CMOS非门

CMOS非门Tag内容描述：<p>1、数字集成电路设计数字集成电路设计 实验报告实验报告 院院系系名称名称 专业班级专业班级 学学 号号 学生姓名学生姓名 指导老师指导老师 时时 间间 一 一 实验目的实验目的 通过实验了解 CMOS 反相器的工作原理 能自己用 CMOS 和 PMOS 连接电路组合成 2 输入与非门 实验求得直流特性曲线分析 和瞬态分析 二 实验内容二 实验内容 1 用软件求出输入输出电压曲线 2 通过设置不同的参数。</p><p>2、静态cmos8输入与非门的性能优化 实验目的 1 通过对8输入与非门的性能优化掌握大扇入组合逻辑电路的设计优化方法 2 掌握HSPICE等EDA软件的基本操作 实验原理 1 大扇入时的设计技术 调整晶体管尺寸 逐级加大晶体管尺寸。</p><p>3、TL F 5976 CD4070BM CD4070BC CD4077BM CD4077BC March 1992 CD4070BM CD4070BC Quad 2 Input EXCLUSIVE OR Gate CD4077BM CD4077BC Quad 2 Input EXCLUSIVE NOR Gate General Description Employing complementary。</p><p>4、TL F 5940 CD4002M CD4002C Dual 4 Input NOR Gate CD4012M CD4012C Dual 4 Input NAND Gate March 1988 CD4002M CD4002C Dual 4 Input NOR Gate CD4012M CD4012C Dual 4 Input NAND Gate General Description These。</p><p>5、7 985 CAUTION These devices are sensitive to electrostatic discharge follow proper IC Handling Procedures 1 888 INTERSIL or 321 724 7143 Copyright Intersil Corporation 1999 CD4068BMS CMOS 8 Input NAND。</p><p>6、实验二 模拟静态CMOS与非门逻辑电路的I/V特性和瞬态特性一、实验目的1. 学习cadence中原理图设计与分析2. 掌握静态CMOS逻辑电路设计原理3. 分析静态CMOS逻辑电路（与非门）的I/V特性和瞬态特性二、预习要求1、 根据性能和指标要求，设计并计算电路的有关参数。2、 掌握cadence编辑环境，设计静态CMOS与非门逻辑电路原理图。3、 掌握ca。</p><p>7、October 1987 Revised June 1999 CD4023BC Buffered Triple 3 Input NAND Gate 1999 Fairchild Semiconductor CorporationDS CD4023BC Buffered Triple 3 Input NAND Gate General Description These triple gates a。</p><p>8、October 1987 Revised January 1999 CD4001BC CD4011BC Quad 2 Input NOR Buffered B Series Gate Quad 2 Input NAND Buffered B Series Gate 1999 Fairchild Semiconductor CorporationDS CD4001BC CD4011BC Quad 2。</p><p>9、TL F 5956 CD4023BM CD4023BC Buffered Triple 3 Input NAND Gate CD4025BM CD4025BC Buffered Triple 3 Input NOR Gate February 1988 CD4023BM CD4023BC Buffered Triple 3 Input NAND Gate CD4025BM CD4025BC Buf。</p><p>10、7 1038 CAUTION These devices are sensitive to electrostatic discharge follow proper IC Handling Procedures 1 888 INTERSIL or 321 724 7143 Copyright Intersil Corporation 1999 CD4078BMS CMOS 8 Input NOR。</p><p>11、用CMOS传输门和CMOS非门设计 边沿D触发器 姓 名 单赟吉 所在学院 电子信息工程 专业班级 通信1109 学 号 11211105 指导教师 白双 日 期 __2013.12月_____ 目 录 摘要 2 第一章 绪论 2 1.1 CMOS D触发器与TTL D触发器的比较 3 1.2 触。</p><p>12、7 1038 CAUTION These devices are sensitive to electrostatic discharge follow proper IC Handling Procedures 1 888 INTERSIL or 321 724 7143 Copyright Intersil Corporation 1999 CD4078BMS CMOS 8 Input NOR。</p><p>13、TTL与非门及CMOS门电路实验,2,北航电工电子中心,实验目的,掌握TTL与非门主要参数及传输特性的测试方法。 了解CMOS非门电路的性能和特点。 熟悉TTL与CMOS器件的互连方法。,3,北航电工电子中心,TTL与非门主要参数,输出高电平UOH 指与非门有一个以上输入端接地或接低电平时的输出电平值。 空载时UOH必须大于标准高电平(USU = 2.4V )，接有拉电流负载时UOH将下降。 测试UOH的电路如图1所示。,图1 输出高电平UOH测试电路,4,北航电工电子中心,TTL与非门主要参数,图2 输出低电平UOL测试电路,输出低电平UOL 指与非门的所有输入端都接高电平的输出。</p><p>14、数字电子技术研究性学习用CMOS传输门和CMOS非门设计边沿D触发器姓 名： 贾岚婷 学 号： 13211153 班 级： 通信1307 指导老师： 侯建军 时 间： 2015年12月1日15 / 15下载文档。</p>