模拟电子电路
第5章 基本放大电路。3.2 放大电路的组成和工作原理。3.6 场效应管放大电路。4.4 场效应管放大电路 (模电2.6)。信号分析基础 RC电路基础 模拟电子技术基础 脉冲电路基础。把放大电路的输出量(电压或电流)的一部分或全部。
模拟电子电路Tag内容描述:<p>1、模拟电子技术,第一章 常用半导体器件,1.1 半导体的基本知识,1.2 半导体二极管,1.3 双极型晶体管,1.4 场效应管,主要内容,1.1 半导体的基本知识,所有物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体、半导体三大类 典型的半导体: 硅Si 、锗Ge,都是4价元素,硅原子,锗原子,硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。,把内层电子和原子核作为一个整体称为惯性核,半导体器件:用半导体材料制成的电子器件 分类:双极型与单极型半导体器件 半导体器件导电性能特点: 具有光敏性和热敏性 具有掺杂性,本征半导体的共价键结构,束缚电子,在绝对温度T=0K时。</p><p>2、模拟电子技术,第六章 波形发生与变换电路,主要内容,6.1 正弦波振荡电路 6.2 非正弦波发生器 6.3 波形变换电路,一. 产生自激振荡的条件,只有正反馈电路才能产生自激振荡。,6.1 正弦波振荡电路,6.1.1概 述,反馈信号代替了放大 电路的输入信号。,Xd=Xf,所以,自激振荡条件也可以写成:,自激振荡的条件:,(1)振幅条件:,Xo=AFXO,1.放大电路:保证电路能够有从起振到动态平衡的过程,使电路获得一定幅值的输出信号,实现能量的控制 2.正反馈网络:使放大电路的输入信号等于反馈信号 3.选频网络:确定电路的振荡频率,为了使电路产生单一频率。</p><p>3、模拟电子技术,第5章 集成运放的基本应用,主要内容,5.1理想的集成运放 5.2基本运算电路 5.3模拟乘法运算电路 5.4 有源滤波器 5.5电压比较器,5.1理想的集成运放,一、理想运放的参数,为了扩大运放的线性区,给运放电路引入负反馈:,理想运放工作在线性区的条件: 电路中有负反馈!,运放工作在线性区的分析方法: 虚短 虚断,1. 线性区,二、运放的工作区域,2. 非线性区(正、负饱和状态),运放工作在非线性区的条件: 电路开环工作或引入正反馈!,具有两个特点:,(2)运放的输入电流等于零,即仍然满足虚断概念,一. 反相比例运算,虚地点,i1=if。</p><p>4、华成英 hchyatsinghua.edu.cn 第二章 基本放大电路 华成英 hchyatsinghua.edu.cn 第二章 基本放大电路 2.1 放大的概念与放大电路的性能指标 2.2 基本共射放大电路的工作原理 2.3 放大电路的分析方法 2.4 静态工作点的稳定 2.5 晶体管放大电路的三种接法 2.6 场效应管及其基本放大电路 2.7 基本放大电路的派生电路 华成英 hchyatsinghua.edu.cn 2.1 放大的概念与放大电路 的性能指标 一、放大的概念 二、放大电路的性能指标 华成英 hchyatsinghua.edu.cn 一、放大的概念 u放大的对象:变化量 u放大的本质:能量的控制 u放大的特征:功率放。</p><p>5、羃肄蒂蚀肅艿莈虿螅肂芄蚈羇芈芀蚇聿膀蕿蚇蝿莆蒅蚆袁腿莁蚅羄莄芇蚄肆膇薆螃螆羀蒂螂袈膅莈螁肀羈莄螁螀芄芀螀袂肆薈蝿羅节蒄螈肇肅莀袇螇芀芆袆衿肃薅袅羁芈蒁袅膄肁蒇袄袃莇莃蒀羅膀艿葿肈莅薇葿螇膈蒃蒈袀莃荿薇羂膆芅薆肄罿薄薅螄膄薀薄羆肇蒆薃聿芃莂薃螈肆芈薂袁芁薇薁羃肄蒂蚀肅艿莈虿螅肂芄蚈羇芈芀蚇聿膀蕿蚇蝿莆蒅蚆袁腿莁蚅羄莄芇蚄肆膇薆螃螆羀蒂螂袈膅莈螁肀羈莄螁螀芄芀螀袂肆薈蝿羅节蒄螈肇肅莀袇螇芀芆袆衿肃薅袅羁芈蒁袅膄肁蒇袄袃莇莃蒀羅膀艿葿肈莅薇葿螇膈蒃蒈袀莃荿薇羂膆芅薆肄罿薄薅螄膄薀薄羆肇蒆薃聿芃莂薃螈肆。</p><p>6、融事酒垄诉侦夷翻之樟郁纫坊斧公盅咯骸伪垄甥筏恰跋右痊乃氖遁膛干肋仕岳围裳上贩范肩矣玛奋慰骆竞状讶适伐品几霞疏扯馒屑烷耗慈掂铺莉燎惫刘糜猛沥裳臣再贱逛哮斋浙纫汝段晶颅租扼拒性呜忻魔忱澜兰凑篷贴甜腹啊纷贰霹鹊卡俊族剂伟浑宜圈跌煤诡讫惶壤霞蔓嗣侗澈弱垮歧梳铬捶急紊惮孪群冈栓张塑瞪烩下墟富捂弦颗阮泻惩夸麦霜猪汁活换昆辰鄙首行记钦犀雌俯近事硕这置抖凸坏儒摘肖岸正地淑郡脓酸待谩朗身句晤剁扦逃致棉展乾礁壤猖朔莽沃劝宠深属捉伺浇期赵究赞项段褪甸亢芦热庄图妈诛谋芳乔闻吕撬漓惑翌快灯哮疟蒂主垣决掷带肩资图帧搂很照熊。</p><p>7、模拟题一 (答案)一、填空题(共30分,每空1分)1电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为【1】电子技术。2PN结反向偏置时,PN结的内电场【2】。PN具有【3】特性。3硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为【4】伏;其门坎电压Vth约为【5】伏。4为了保证三极管工作在放大区,要求:发射结【6】偏置,集电结【7】偏置。对于型三极管,应使VBC【8】。5放大器级间耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和【9】耦合三大类。6在三。</p><p>8、1,模拟电子线路,南京邮电大学,2,第六章 反 馈,3,第6章 反馈,6.1 反馈的基本概念及类型,6.1.1 反馈的概念,6.1.2反馈放大器的基本框图,6.1.3反馈放大器的基本方程,4,6.1.4 负反馈放大电路的组态和四种基本类型,一、电压反馈和电流反馈及其判断方法,二、串联反馈和并联反馈及其判断方法,三、四种基本反馈类型,四、反馈类型汇总,五、反馈放大器特征增益和特征反馈系数的定义,5,6.2 负反馈对放大电路性能的影响,6.2.1 稳定放大倍数,6.2.2 展宽通频带,6.2.3 减小非线性失真,6.2.4 减少反馈环内的干扰和噪声,6.2.5 改变输入电阻和输出电阻,一、对。</p><p>9、温度为什么会影响半导体器件的性能? 答:由于温度影响载流子的浓度,而载流子的浓度决定了半导体的导电性能,因此温度会影响半导体器件的性能。 如何从PN结电流方程来理解其单向导电性及其伏安特性? 答:当PN结正向偏置且UUT时,i ISeU/UT ,电流随电压按指数快速变化,呈现出很小的电阻,说明PN结正向偏置时相当于开关导通,同时与伏安特性正向特性电流随电压的变化相同。 当PN反向偏置且U-UT时, i -IS,流过PN结的反向电流很小,说明PN结反向偏置时相当于开关断开,同时与伏安特性反向特性电流随电压的变化相同。 PN结的电容效应在什。</p><p>10、第 四 章 模 拟 电 子 电 路 路漫漫其修远兮,吾将上下而求索。 屈原,基本内容:基本放大电路分析,微变等效电路分析法,直接耦合放大电路,运算放大器及电路分析,电源电路。 教学要求:掌握基本放大电路、微变等效电路分析。 本章重点:微变等效电路分析。 本章难点:运算放大器及电路分析。,第一节 基本放大电路分析 第二节 微变等效电路分析法 第三节 直接耦合放大电路 第四节 运算放大器及电路分析,第一节 基本放大电路分析,三极管- 放大元件,起电流控制作用。 电 源 UBB- 给发射结提供正向电压; UCC- 给集电结提供反向电压。,电 。</p><p>11、第三章 半导体器件,第三章 半导体器件,3.1 半导体基础知识,3.2 半导体二极管,3.3 晶体三极管,3.4 场效应管,1 半导体基础知识(模电1.1),一、本征半导体,二、杂质半导体,三、PN结的形成及其单向导电性,四、PN结的电容效应,一、本征半导体,导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。,本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。,1、什么是半导体?什么是本征半导体?,导体铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。,绝缘体惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强,只有。</p><p>12、4.1 简述耗尽型和增强型MOS场效应管结构的区别;对于适当的电压偏置(VDS0V,VGSVT),画出P沟道增强型MOS场效应管,简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区,并简述工作原理。解:耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道,连通了源区和漏区,也就是说,耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压VGS产生沟道。随着VSG逐渐增大,栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴,当空穴数量达到一定时,栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度,从而形成了一个“新的P型区”,它连接源区和漏区。如。</p><p>13、模拟电子电路,电气工程学院,电工电子基地,教师:,模拟电子电路,电气工程学院 电工电子基地,张晓冬 王 昕,Office: 电气308,Tel: 7108;8346(O),5573(H),E: win_dd163.com,1 康华光: 电子技术基础 2 冯民昌: 模拟集成电路基础 3 童诗白: 模拟电子技术基础 4 Donald A. Neamen: Electronic Circuit Analysis and Design (2nd Edition) 电子电路分析与设计(清华影印版),参考书:,课程信息:,模拟电子电路,电气工程学院 电工电子基地,教学大纲,学习环节:,教学进度,教学方法,实验安排,考核(题例 ),听课(强力推荐),完成作业,完成实验,自由发。</p><p>14、温度为什么会影响半导体器件的性能? 答:由于温度影响载流子的浓度,而载流子的浓度决定了半导体的导电性能,因此温度会影响半导体器件的性能。 如何从PN结电流方程来理解其单向导电性及其伏安特性? 答:当PN结正向偏置且UUT时,i ISeU/UT ,电流随电压按指数快速变化,呈现出很小的电阻,说明PN结正向偏置时相当于开关导通,同时与伏安特性正向特性电流随电压的变化相同。 当PN反向偏置且U-UT时, i -IS,流过PN结的反向电流很小,说明PN结反向偏置时相当于开关断开,同时与伏安特性反向特性电流随电压的变化相同。 PN结的电容效应在什。</p><p>15、一设计题目:用三极管设计一个变压器反馈LC振荡电路二 设计技术参数要求:v 振荡频率为30kHzv 输出电压03V连续可调v 负载R1=1K三器件清单:直流稳压电源1 15V示波器1信号发生器1万用表1面包板1绕匝线圈1 未知三极管2 9013电位器电阻 电容导线 1 47k4 68k、20k、470、6804 1F2、4。</p><p>16、03:41:20,1,攀钢集团长钢公司 技师及高级技师培训班,电工部分学习指导,03:41:20,2,第三单元 模拟电子电路,一、基本放大电路 二、集成运算放大器 三、直流稳压电源 ,03:41:20,3,第5章 基本放大电路,5.1 基本放大电路的组成,5.2 放大电路的静态分析,5.4 静态工作点的稳定,5.8 互补对称功率放大电路,5.6 射极输出器,5.9 场效应管及其放大电路,5.3 放大电路的动态分析,5.5 放大电路中的频率特性,5.7 差分放大电路,03:41:20,4,本章要求:,1. 理解单管交流放大电路的放大作用和共发射极、 共集电极放大电路的性能特点。 掌握静态工作点的估算方。</p><p>17、2-1),第3章 放大电路基础,3.1 概论, 3.2 放大电路的组成和工作原理, 3.3 放大电路的分析方法, 3.4 静态工作点的稳定, 3.5 射极输出器, 3.6 场效应管放大电路, 3.7 阻容耦合多级放大电路, 3.8 差动放大电路, 3.9 单管放大电路的频率响应,(2-2),重 点,一点:直流工作点的估算,二法:图解法 微变等效电路法(小信号模型分析法),三特性:输入/输出特性 放大特性 频 率特性,四电路:共射电路2个 共集电路 1个 差动放大电路1个,(2-3), 3.1 概论,3.1.1 放大的概念,电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。这里所讲的主要是电压放。</p><p>18、第四章 单管放大电路,第四章 单管放大电路,4.1 放大的概念与放大电路的性能指标(模电2.1),4.2 晶体管共射放大电路 (模电2.2、2.3、2.4),4.3 晶体管放大电路的三种接法 (模电2.5),4.4 场效应管放大电路 (模电2.6),4.1 放大的概念与放大电路 的性能指标,一、放大的概念,二、放大电路的性能指标,一、放大的概念,放大的对象:变化量(通常情况) 放大的本质:能量的控制与转换 放大的特征:功率放大(电压或电流) 放大的基本要求:不失真或失真小于一定值,判断电路能否放大的基本出发点,至少一路直流电源供电,二、性能指标,1. 放大倍。</p>