模拟电子技术基础试卷

模拟电子技术基础试卷Tag内容描述：<p>1、题目部分，(卷面共有67题,205.0分,各大题标有题量和总分)一、选择题(40小题,共132.0分)(4分)1晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结为____，集电结为____。A、正向偏置， B、反向偏置 ， C、零偏置(2分)21。NPN和PNP型晶体管的区别取决于____A、半导体材料硅和锗的不同， B、掺杂元素的不同 ，C、掺杂浓度的不同， D、P区和N区的位置不同。2N沟道和P沟道场效应管的区别在于____A、衬底材料前者为硅，后者为锗，B、衬底材料前者为 N型，后者为 P型，C、导电沟道中载流子前者为 电子，后者为空穴。(2分。</p><p>2、题目部分，(卷面共有 67 题,205.0 分,各大题标有题量和总分) 一、选择题(40 小题,共 132.0 分) (4 分)1晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结 为____，集电结为____。 A、正向偏置，B、反向偏置 ，C、零偏置 (2 分)2 1。NPN 和 PNP 型晶体管的区别取决于____ A、半导体材料硅和锗的不同，B、掺杂元素的不同 ， C、掺杂浓度的不同，D、P 区和 N 区的位置不同。 2N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于____ A、衬底材料前者为硅，后者为锗， B、衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型， C、导电沟道中载流子前。</p><p>3、电子电工专业试卷说明：本试卷分第 卷（选择题）和第卷（非选择题）两部分，第卷XXX页，第卷XXX页。两卷满分为100分，考试时间120分钟。卷答案涂在答题卡上，卷答案写在试卷上。第卷（选择题，共35分）注意事项：每小题选出答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，请用橡皮擦干净后，再选择其答案标号，如果答案不涂写在答题卡上，成绩无效。一、选择题（本大题共10小题，每小题3分，共计30分。每小题只有一个正确答案。）1、半导体二极管加正向电压时，有（ ） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大C、电流小电阻小 D、。</p><p>4、模拟电子技术基础模拟试卷2一、 填空题（共15分，每空1.5分）1、集成运放通常包含 、 、 、 四个部分。2、在双端输入的长尾式差分放大电路中，射极电阻对 信号无影响，对 信号具有抑制作用。3、在放大电路中，引入串联负反馈使输入电阻 ，引入电压负反馈使输出电阻 。4、PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 和少数载流子的 。二、 判断题（共18分）1、判断如下(a)、(b)电路中三极管分别工作在哪个区，要求写出简单计算过程或简要说明理由。(本题6分)(a) (b)2、判断如下(c)、(d)电路是否有放大作用，并说明理由(本题6分。</p><p>5、模拟电子技术基础模拟试卷3参考答案班级 座号 姓名 题号一二三四合计 得分得分评卷人一、填空（26分，每空1分）1、工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均为零称为虚 断 。两个输入端的电位相等称为虚 短 ，若反相输入情况下同相端接地，反相端又称为虚 地 。即使理想运放器在非线性工作区，虚 断 结论也是成立的。2、稳定静态工作点应加 直流负 反馈；稳定放大倍数应加 交流负 反馈；稳定输出电压应加 交流电压负 反馈；稳定输出电流应加交流电流负反馈。3、正弦波振荡电路发生自激振荡的相位平衡条件是；振幅平衡条件是，起。</p><p>6、模拟电子技术基础试卷 一概念填空题 本题共6题 每空1分 共14分 1 P型半导体中空穴为 载流子 自由电子为 载流子 2 PN结正偏时 反偏时 所以PN结具有 导电性 3 三极管是 控制元件 场效应管是 控制元件 4 晶体三极管具有。</p>