模拟电子技术基础试卷-第一章复习.pdf

题目部分，(卷面共有 67 题,205.0 分,各大题标有题量和总分) 一、选择题(40 小题,共 132.0 分) (4 分)1晶体管工作在放大区时，发射结为_，集电结为_，工作在饱和区时，发射结 为_，集电结为_。 A、正向偏置，B、反向偏置 ，C、零偏置 (2 分)2 1。NPN 和 PNP 型晶体管的区别取决于_ A、半导体材料硅和锗的不同，B、掺杂元素的不同 ， C、掺杂浓度的不同，D、P 区和 N 区的位置不同。 2N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于_ A、衬底材料前者为硅，后者为锗， B、衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型， C、导电沟道中载流子前者为 电子，后者为空穴。 (2 分)3晶体管工作在放大区时，发射结为_，流过发射结的主要是_；集电结为_， 流过集电结的主要是_。 A、正向偏置，B、反向偏置，C、零偏置，D、扩散电流，E、漂移电流 (3 分)4硅二极管的正向电压从 0.65V 增大 10，则流过的正向电流增大_。 A、约 10，B、小于 10 ，C、大于 10 (1 分)5N 型半导体是在纯净半导体中掺入_；P 型半导体是在纯净半导体中掺入_。 A、带负电的电子，B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等 ，D、五价元素，如磷等 (2 分)6普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_， 反向电流一般_； 普通小功率锗二 极管的正向导通压降约为_，反向电流一般_。 A、0.10.3V，B、0.60.8V ，C、小于A1，D、大于A1 (2 分)7当 PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当 PN 结外加反向 电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 A、大于，B、小于，C、等于，D、变宽，E、变窄，F、不变 (3 分)8某硅二极管在正向电压V6 . 0 D U时， 正向电流mA10 D I。 当 D U增加 10 （即 增大到 0.66V）时，则 D I约为_。 A、10mA ，B、11mA ，C、20mA ，D、100mA (4 分)9随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度_，而多数载流子的浓度 _。 A、明显增大，B、明显减小，C、变化较小 (2 分)10在保持二极管反向电压不变的条件下， 二极管的反向电流随温度升高而_； 在保 持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而_。 A、增大 ，B、减小，C、不变 (2 分)11设某二极管反向电压为 10V 时，反向电流为1 . 0A 。在保持反向电压不变的条件 下，当二极管的结温升高 10，反向电流大约为_。 A、0.05A，B、0.1A，C、0.2A，D、1A (2 分)12设某二极管反向电压为 10V 时， 反向电流为1 . 0A。 在保持反向电压不变的条件下， 当二极管的结温降低 10，反向电流大约为_。 A、0.01A ，B、0.05A，C、0. 1A ，D、0.2A (4 分)13在如图所示的电路中，当 V3V 时，测得 I1mA，V7 . 0 D U。 1当 V 调到 6V，则 I 将为_。 A、1mA，B、大于 1mA，但小于 2mAC、2mA，D、大于 2mA 2保持 V3V 不变，温度升高 20，则 D U将为_。 A、小于 0.7V ，B、0.7V 不变，C、大于 0.7V R VDUD V I (4 分)14在如图所示的电路中，当 V6V 时，测得 I2mA，V7 . 0 D U。 1当 V 降至 3V 时，则 I 将为_。 A、小于 1mA ，B、1mA，C、大于 1mA，但小于 2mA ，D、2mA 2保持 V 不变，温下降 20，则 D U将为_。 A、小于 0.7V，B、0.7V 不变，C、大于 0.7V R VDUD V I (2 分)15设某二极管在正向电流 ID10mA 时。其正向压降 D U0.65V。在 ID保持不变的条 件下，当二极管的结温升高 20， D U约为_。 A、0.4V，B、0.6V ，C、0.65V，D、0.7V (2 分)16在本征半导体中，空穴浓度_电子浓度；在 N 型半导体中，空穴浓度_电子 浓度；在 P 型半导体中，空穴浓度_电子浓度。 A、大于，B、小于 ，C、等于 (2 分)17在_中，空穴浓度大于电子浓度；在_中，空穴浓度等于电子浓度；在_ 中，空穴浓度小于电子浓度。 A、本征半导体，B、P 型半导体 ，C、N 型半导体） (1 分)18在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_， 而少数载流子的浓度与_ 关系十分密切。 A、温度，B、掺杂工艺，C、杂质浓度 (4 分)19已知图中二极管的反向击穿电压为 100V，在 V10V 时，测得 I1A 。 1当 V 增加到 20V 时，I 将_。 A、为 2A 左右，B、小于 1A ，C、变化不大，D、远大于 2A 2保持 V 不变，温度升高 10，则 I 将_。 A、为 2A 左右，B、小于 1A ，C、变化不大，D、远大于 2A R VDUD V I 10k (2 分)20电路如图所示， V sin1 . 0 i tu，当直流电源电压 V 增大时，二极管 VD 的动 态电阻 d r将_。 A、增大，B、减小，C、保持不变 R VD V i u 1V (2 分)21设某二极管在正向电流 ID10mA 时，其正向压降 UD0.6V。在 ID保持不变的条件 下，当二极管的结温降低 20，UD约为_。 A、0.55V，B、0.6V，C、0.65V，D、0.75V (2 分)22设某二极管在正向电流 ID10mA 时，其正向压降 UD0.6V。在 UD保持不变的条 件下，当二极管的结温升高 10，ID将_。 A、小于 10mA，B、大于 10mA，C、等于 10mA (6 分)23在如图所示的电路中， 已知二极管的反向击穿电压为 100V， 当 V=10V、 温度为 20 时，I1A 。 1当 V 增大到 20V 时，则 I 约为_。 A、10A ，B、2A ，C、1A ，D、0.5A 2当 V 保持 10V 不变，温度升高到 30， ，则 I 约为_。 A、10A ，B、2A ，C、1A ，D、0.5A 3在实际使用中，该二极管的反向工作电压通常不应该超过_。 A、100V，B、50V，C、10V R VD V I (6 分)24在如图所示的电路中， 已知二极管的反向击穿电压为 300V， 当 V=100V、 温度为 20 时，I1A 。 1当 V 降低到 50V，则 I 约为_。 A、0.1A ，B、0.5A ，C、1A ，D、2A 2当 V 保持 100V 不变，温度降低到 10，则 I 约为_。 A、0.1A ，B、0.5A ，C、1A ，D、2A 3该二极管在反向电压为 200V 的电路中使用是_。 A、安全的，B、不够安全的 R VD V I (4 分)25已知图中二极管的反向击穿电压为 100V，测得 I1A 。 1当 R 从 10k减小至 5k时，I 将_。 A、为 2A 左右，B、为 0.5A 左右，C、变化不大，D、远大于 2A 2保持 V 和 R 不变，温度下降 10，I 将_。 A、为 2A 左右，B、为 0.5A 左右，C、变化不大，D、远大于 2A R VD V I 10k 20V (5 分)26图中给出不同连接方式的复合管，为下列不同要求选择合适的复合管，用 a、b、c、 d 填空（如果存在多种选择，应都选择） 。 1要求等效 PNP 型，应选择_； 2要求等效输入电阻大，应选择_； 3要求等效 UBE的温度系数小，应选择_。 ( a )( c )( b )( d ) (5 分)27图中给出不同连接方式的复合管，为下列不同要求选择合适的复合管，用 a、b、c、 d 填空（如果存在多种选择，应都选择） 。 1要求等效 NPN 型，应选择_； 2要求基、射极静态电压小，应选择_； 3要求输入电阻大，应选择_。 ( a )( c )( b )( d ) (6 分)28额定功耗和最大集电极电流相近的两个晶体管组成如图所示的复合管。 1复合管的额定功耗约等于 A、VT1管的额定功耗 ，B、VT2管的额定功耗，C、两管额定功耗之和， D、两管中额定功耗较大者，E、两管中额定功耗较小者。 2复合管的反向击穿电压约等于 A、VT1管的反向击穿电压，B、VT2管的反向击穿电压，C、两管的击穿电压之和， D、两管中击穿电压较大者，E、两管中击穿电压较小者 3复合管的最大集电极电流约等于 A、VT1管的最大集电极电流 ，B、VT2管的最大集电极电流， C、两管的最大集电极电流之和 ，D、两管中集电极电流较大者 ， E、两管中集电极电流较小者 VT1 VT2 (5 分)29试判断图中复合管的接法哪些是合理的， 哪些是错误的， 在正确的复合管中进一步 判断它们的等效类型。管是_；管是_；管是_；管是_；管是_。 A、NPN 管，B、PNP 管， C、N 沟道场效应管，D、P 沟道场效应管，E、错误的 13245 (5 分)30试判断图中复合管的接法哪些是合理的， 哪些是错误的， 在正确的复合管中进一步 判断它们的等效类型。 管是_；管是_；管是_；管是_；管是_。 A、NPN 管 ，B、PNP 管，C、N 沟道场效应管， D、P 沟道场效应管 ， E、错误的 3245 1 (4 分)31在某放大电路中，测得晶体管的三个电极、的流入电流分别为1.22mA、 0.02mA、1.2mA。由此可判断电极是_，电极是_，电极是_（A、发射极，B、 基极， C、集电极） ；该晶体管的类型是_（A、PNP 型 ，B、NPN 型） ；该晶体管的共射 电流放大系数约为_ （A、40 ，B、60 ，C、100） (4 分)32在某放大电路中，测得晶体管的三个电极、的流入电流分别为1.2mA、 0.03mA、1.23mA。由此可判断电极是_，电极是_，电极是_ （A、发射极， B、基极，C、集电极） ；该晶体管的类型是_（A、PNP 型，B、NPN 型； ）该晶体管的共射电流放大系数约为_ （A、40 ，B、100，C、400） (1 分)33对于同一个晶体管来说，CBOI _CEOI； (BR)CBOU_(BR)CEOU。 A、小于，B、大于，C、等于 (1 分)34随着温度升高，晶体管的电流放大系数_，穿透电流CEOI_，在 IB不变的情 况下 b-e 结电压 UBE_。 A、增大，B、减小，C、不变 (2 分)35随着温度升高，晶体管的共射正向输入特性曲线将_，输出特性曲 线将_，输出特性曲线的间隔将_。 A、上移，B、下移，C、左移，D、右移，E、增大，F、减小， G、不变 (6 分)36用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示， 试判断这些晶体 管分别处于什么状态。 A、放大，B、饱和，C、截止，D、损坏 ； ； ； ； 。 ( 1 )( 3 )( 2 )( 5 ) +2V +3.7V +6V 5.6V 0.7V 6.7V7.8V 12V 6V3V 8.5V +12V +3V6.3V ( 4 ) 6V (3 分)371。已知某晶体管的特征频率 fT=150MHz，低频时50 0 ，则该管的截止频率 f 约为_A、1MHz，B、3MHz ，C、10MHz ，D、50MHz； 2当管子工作频率达 30MHz 时， 约为_ A、50，B、10 ，C、5 ，D、1 (3 分)381。已知某晶体管的截止频率ZMH20f，低频时50 0 ，则该管的特征频率 fT约为_ A、10MHz，B、20MHz，C、100MHz，D、1000MHz； 2当管子工作频率达 200MHz 时， 约为_ A、1 ，B、5 ，C、10 ， D、50 (6 分)39用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示， 试判断这些晶体 管处于什么状态。 A、放大，B、饱和 ，C、截止 ，D、损坏 ； ； ； ； 。 ( 1 )( 3 )( 2 )( 5 ) +3.3V +2.5V +9V +12V 6.3V+0.7V 12V 6V6V 0V +2.3V +3V0V ( 4 ) 0.7V+3V 硅硅锗硅 锗 (6 分)40用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示， 试判断这些晶体 管分别处于什么状态。 A、放大，B、饱和，C、截止，D、损坏 ； ； ； ； 。 ( 1 )( 3 )( 2 )( 5 ) 0V 0V +6V+6V 0.7V 12.7V9.2V 18V 12V3V 8.5V+12V +3V+5.3V +5.7V ( 4 ) 二、是非(27 小题,共 73.0 分) (2 分)1P 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。 （） (2 分)2晶体三极管具有两个 PN 结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。 （） (2 分)3测出某晶体管的共基电流放大系数小于 1，表明该管子没有放大能力。 （） (2 分)4由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放 大能力大大减小。 （） (1 分)5稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（） ，它不允许工作在 正向导通状态（） 。 (3 分)6半导体中的空穴是：半导体中的晶格缺陷形成的； （）电子脱离共价键后留 下的空位； （）带正电的离子。 （） (2 分)7在 N 型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素可以改型为 P 型半导体。 （） (2 分)8P 型半导体是呈中性的（） ，N 型半导体是带负电的。 （） (2 分)9N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （） (2 分)10在 P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为 N 型半导体。 （） (2 分)11P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （） (2 分)12PN 结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。 （） (2 分)13PN 结方程既描写了 PN 结的正向特性和反向特性， 又描写了 PN 结的反向击穿特性。 （） (3 分)14本征半导体在温度升高后，自由电子和空穴数目都不变； （）自由电子和 空穴数目都增加，但增量相同。 （） (1 分)15本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。 （） (1 分)16掺杂半导体因含有杂质，所以在制造半导体器件时是没有用处的。 （） (2 分)17由于 PN 结交界面两边存在电位差，所以当把 PN 结两端短路时就有电流流过。 （） (6 分)18复合管的穿透电流近似等于组成复合管的各晶体管的穿透电流之和（） ； (2 分)19用双极型晶体管组成的共射放大电路与用场效应管组成的共源放大电路相比， 前者 的输入电阻比后者大（） ；前者的噪声系数比后者小（） ；前者静态工作点的温度漂 移比后者大（） 。 (2 分)20小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换（） ；双极型晶体管具 有 NPN 或 PNP 对称结构，所以发射极和集电极也可以互换（） 。 (6 分)21复合管的值近似等于组成复合管的各晶体管的值乘积（） ； (6 分)22一个 NPN 管和一个 PNP 管可以复合成 NPN 管也可以复合成 PNP 管（） ； (6 分)23一个 NMOS 管和一个 PNP 管可以复合成 NMOS 管也可以复合成 PNP 管（） ； (6 分)24两个 MOS 管可以复合成一个 MOS 管（） 。 (2 分)25场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。 （） (2 分)26绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的小。 （） (2 分)27耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小。 （） =答案= 答案部分，(卷面共有 67 题,205.0 分,各大题标有题量和总分) 一、选择题(40 小题,共 132.0 分) (4 分)1答案 A|B|A|A (2 分)2答案 D|C (2 分)3答案 A|D|B|E (3 分)4答案 C (1 分)5答案 D|C (2 分)6答案 B|C|A|D (2 分)7答案 A|E|B|D (3 分)8答案 D (4 分)9答案 A|C (2 分)10答案 A|B (2 分)11答案 C (2 分)12答案 B (4 分)13答案 D|A (4 分)14答案 A|C (2 分)15答案 B (2 分)16答