突变pn结

突变pn结Tag内容描述：<p>1、突变pn结的击穿电压 1 突变pn结电场分布和最大电场强度 pn结空间电荷区内的电场电势分布 可由求解泊松方程得到 考虑一维泊松方程 1 式中 0分别为半导体相对介电常数和真空介电常数 为电荷密度 在全电离近似和耗尽近。</p><p>2、PN结,一、PN结的形成,二、PN结的单向导电性,三、PN结的击穿特性,四、PN结的电容效应,五、PN结的温度特性,P型半导体和N型半导体相结合PN结 PN结是构造半导体器件的基本单元。其中，最简单的晶体二极管就是由PN结构成的。,在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 多子的扩散运动。</p><p>3、第5章pn结的静电特性第6章pn结直流电流 电压特性第7章pn结小信号频率特性第8章pn结的开关特性 ThepnJunction 第5章pn结的静电特性 静电特性 pn结的电荷 电场和电位分布 5 1 结的相关术语 5 2 pn结空间电荷区的电场和。</p><p>4、第1章半导体元件,1.1半导体基础知识1.2半导体二极管1.3半导体三极管,1.1半导体基础知识,自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。半导体的特点：热敏性光敏性掺杂性,1.1.1本征半导体完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。1.本征半导体的原子结构及共价键共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子组成，称为束缚电子。图1.1所示为硅和锗的原子结构和共。</p><p>5、第五章扩散制造PN结 1952年，Pfann提出了用扩散技术改变硅或锗的导电类型的尝试性参考 1瓦格普芬，半导体信号转换装置，美国专利第2，597，028号(1952年)。从那以后，人们就如何通过扩散方法将掺杂剂引入硅中提出了各种想法。研究目标是如何控制硅中掺杂剂的浓度、均匀性和可重复性，以及如何降低大规模生产的成本。现在，扩散作为一种基本的核心技术，已经广泛应用于半导体元件的制造过程中。</p><p>6、PN结 PN结 PN junction 采用不同的掺杂工艺 通过扩散作用 将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体 通常是硅或锗 基片上 在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结 PN结具有单向导电性 P是positive的缩写 N是negativ。</p><p>7、二、PN结伏安特性-流过PN结的电流与加在其两端电压之间的关系 1、 加电压后，PN结内部的物理过程（内特性）（1） 加正向电压（或加正偏压，或正偏）电源的正极接区, 负极接区。（a）此时外加电压在阻挡层内形成的电场与内建电场方向相反,空间电荷区两端电压从VBVBV，变小，这样就打破了原有的动态平衡状态, 扩散漂移，有电流从PN，即多子的扩散电流（包。</p><p>8、当PN结上加的反向电压增大到一定数值时，反向电流突然剧增，这种现象称为PlN结的反向击穿。PN结出现击穿时的反向电压称为反向击穿电压，用u。表示。反向击穿可分为雪崩击穿和齐纳击穿两类。(1)雪崩击穿。当反向电压较高时，结内电场很强，使得在结内作漂移运动的少数载流子获得很大的动能。当它与结内原子发生直接碰撞时，将原子电离，产生新的“电子一空穴对”。这些新的“电子一空穴对”，又被强电场加速再。</p><p>9、第五章 扩散制作PN 结 Pfann在1952年提出采用扩散技术改变硅或锗的导电类型的设想参考文献 1 W G Pfann Semiconductor Signal Translation Device U S Patent No 2 597 028 1952 此后 人们对如何用扩散方法将掺杂剂。</p><p>10、第1章半导体元件,1.1半导体基础知识1.2半导体二极管1.3半导体三极管,1.1半导体基础知识,自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。半导体的特点：热敏性光敏性掺杂性,1.1.1本征半导体完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。1.本征半导体的原子结构及共价键共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子组成，称为束缚电子。图1.1所示为硅和锗的原子结构和共。</p><p>11、一 P N结合 1 2 但若将数片P或N型半导体加以适当的组合 则会产生各种不同的物理特性 而使半导体零件的功能更多彩多姿 今天我们要先看看把一块P型半导体与N型半导体结合起来的情况 PN结工作原理 P型 N型 3 当一块P型半导体与N型半导体结合起来时 P型掺杂硼是受主 N型掺杂磷是施主 如下图所示 由于P型半导体中有很多的电洞 而N型半导体中有许多电子 所以当P N结合起来时 结合面附近的电子。</p><p>12、一.P-N结合(1)(2)但若将数片P或N型半导体加以适当的组合，则会产生各种不同的物理特性，而使半导体零件的功能更多彩多姿。今天我们要先看看把一块P型半导体与N型半导体结合起来的情况。,PN结工作原理,P型,N型,(3)当。</p><p>13、二 PN结伏安特性 流过PN结的电流与加在其两端电压之间的关系 1 加电压后 PN结内部的物理过程 内特性 1 加正向电压 或加正偏压 或正偏 电源的正极接 区 负极接 区 a 此时外加电压在阻挡层内形成的电场与内建电场方向相反 空间电荷区两端电压从VB VB V 变小 这样就打破了原有的动态平衡状态 扩散漂移 有电流从P N 即多子的扩散电流 包括电子扩散电流和空穴扩散电流 形成正向电流 b 使。</p><p>14、PN结正向电压温度特性研究,南昌航空大学大学物理实验国家示范中心,目录,温度传感器,常用的温度传感器有热电偶、热敏电阻及PN节温度传感器等,实验目的,1、了解PN结正向压降随温度变化的基本关系式；2、在恒流供电条件下，测绘PN结正向压降随温度变化的曲线，并由此确定其灵敏度和被测PN结材料的禁带宽度；3、学习PN结测温的方法。,实验原理:,PN结是半导体器件的核心。,P型半导体-以空穴为主要的载。</p><p>15、,1,1.2PN结,1.2.1PN结的形成,将一块P型半导体和N型半导体紧密连接在一起，这种紧密连接不能有缝隙，是一种原子半径尺度上的紧密连接。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程。,N型半导体中的多子电子的浓度远大于P型半导体中少子电子的浓度；P型半导体中多子空穴的浓度远大于N型半导体中少子空穴的浓度。于是在两种半导体的界面上会因载流子的浓度差发生了扩散运动，见左图。,图中。</p><p>16、PN结及其特性详细介绍 1. PN结的形成在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:扩散到对方的载流子在P区和N区的交界处附近被相互中和掉，使P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这样在两种半导体交界处逐渐形成由正、负离子组成的空间电。</p><p>17、PN结原理及其制备工艺 在物理学中 根据材料的导电能力 可以将他们划分为导体 绝缘体和半导体 典型的半导体是硅Si和锗Ge 它们都是4价元素 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子 n型半导体 n 表示负电的意思 在这类半导体中 参与导电的主要是带负电的电子 这些电子来自半导体中的 施主 杂质 所谓施主杂质就是掺入杂质能够提供导电电子而改变半导体的导电性能 例如 半导体锗和硅中的五。</p><p>18、pn结（p-njunction）物理知识大全当今社会是一个高速发展的信息社会。生活在信息社会，就要不断地接触或获取信息。如何获取信息呢?阅读便是其中一个重要的途径。据有人不完全统计，当今社会需要的各种信息约有80%以上直接或间接地来自于图书文献。这就说明阅读在当今社会的重要性。还在等什么，快来看看这篇pn结(p-njunction)物理知识大全吧pn结（p-njunction）pn结(p-njunction)在一块n型(或p型)半导体单晶上，用适当的工艺方法(如合金法、扩散法和离子注入法等)把p型(或n型)杂质掺入其中，使这块单晶的不同区域分别具有p型和n型的导电类。</p>