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突变pn结的击穿电压1. 突变pn结电场分布和最大电场强度pn结空间电荷区内的电场电势分布，可由求解泊松方程得到。考虑一维泊松方程 (1)式中，0分别为半导体相对介电常数和真空介电常数，为电荷密度。在全电离近似和耗尽近似下，应有 (2)电荷密度分布如图所示。将电荷密度分布代入泊松方程，得到 (3) (4)利用电场和电势分布的关系式 (5)将微分方程积分一次，得到电场分布函数 (6) (7)利用空间电荷区边界处电场强度为零的条件，并考虑到x=0处电场连续，可确定两个积分常数 (8)E0为pn结空间电荷区最大电场强度。最后得到 (9) (10)由(8)式还可得到 (11)由此，最大电场强度 (12)其中， (13)2. 突变pn结的击穿电压计算由电场和电势的关系，pn结耗尽区的总电势差等于电场分布曲线上方的面积，设外加反向电压为VR，则 (14)当反向电压较大时，。上式两边平方，得到 (15)即 (16)当pn结的最大电场强度等于击穿的临界电场时，pn结击穿，所对应的外加电压就是击穿电压，所以 (17)对于单边突变结，例如，p+n结，NA ND,
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