位错对电学性能的影响

位错对电学性能的影响Tag内容描述：<p>1、第2 7 卷 第1 期 1 8 0 2 0 1 1 年1 月 农业工程学报 T r a n s a ct io n so ft h eC S A E 、，0 1 2 7N o 1 J a n 2 0 1 l 位错对天然纤维力学性能的影响机理研究 戴达松L 2 ，M iz iF a n 2 ，黄彪1 ，陈学榕1 ，唐丽荣1 ，李素琼1 ( 1 福建农林大学材料工程学院，福州3 5 0 0 0 2 ；2 布鲁内尔大学工程设计学院土木工程系，伦敦U B 83 P H ) 摘要：天然纤维中的位错是纤维中最弱部分，对纤维的拉伸强度具有重大的影响。为研究位错对天然纤维力学性能的 影响机理，本文采用了O M ( 光学显微镜) 以及F E G S E M 对大麻纤维的位错进行。</p><p>2、工程材料学 .层错及层错能 .奥氏体层错对钢力学性能的影响,纠碧毗帜哑识熄没谣乓由门岗峭镣藻荆疆仓勤阮苛柑罐陡果深柳逸锅牢致层错及层错能以及奥氏体层错对钢力学性能的影响层错及层错能以及奥氏体层错对钢力学性能的影响,一.层错及层错能,层错：晶体中原子堆垛次序不同于正常次序而引起的一种面缺陷；是由一个不全位错扫过滑移面(见滑移)时所造成的平面区域不完整性，简称层错。,鸣诣屠附脉鸳碑剁均急锅秤瞧蝗。</p><p>3、第26卷 第10期 2005年10月 半 导 体 学 报 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Vol 26 No 10 Oct 2005 3 国家自然科学基金 批准号 50372018 和湖南省自然科学基金 批准号 02JJ Y2013 资助项目 张丽芳 女 1977年出生。</p><p>4、航空学报 A c t aA e r o n a u t i c ae tA s t r o n a u t i c aS i n c a O c t 2 52 0 1 4V 0 1 3 5N o 1 02 8 5 7 2 8 6 4 I S S N1 0 0 0 6 8 9 3C N1 1 1 9 2 9 V h t t p ：h k x b。</p><p>5、第3 3 卷 2 0 0 4 年 第1 l 期 1 1 月 稀有金属材料与工程 R A R EM E T A LM A T E R I A L SA N DE N G I N E E R I N G V 0 1 3 3 N o 1 1 N o v e m b e r2 0 0 4 固溶处理对N i T i 薄膜中位错密度的影响 李永。</p><p>6、第2 4 卷第4 期 2 0 0 9 年8 月 液晶与显示 C h i n e s eJ o u r n a lo fL i q u i dC r y s t a l sa n dD i s p l a y s V 0 1 2 4 N o 4 A u g 2 0 0 9 文章编号 1 0 0 7 2 7 8 0 2 0 0 9 0 4 0 5 5 7 0 5 退火。</p><p>7、第 2 9 卷 第 1 0期 2 01 3年 1 0月 无 机 化 学 学 报 C HI NE S E J 0URNAL OF I NORGANI C CHEMI S T RY Vo 1 2 9 No 1 0 2 02 7 2 0 33 N2 流量对 Ga N的形貌及光学和电学性能的影响 翟化松 l 2 3 王坤鹏 余春。</p><p>8、1994 2009 China Academic Journal Electronic Publishing House All rights reserved 第卷第期 年月 大连铁道学院学报 冷塑性变形对 下一加声 反铁磁合金 电学性能的影响 陆兴 卢银德孙斌 张彦生 材料科学与工程系。</p><p>9、文章来源 毕业论文网 www.biyelunwen.com.cnRTP预处理对直拉硅中铜沉淀行为及其电学性能的影响文章来源 毕业论文网 www.biyelunwen.com.cn全部作者：王维燕 杨德仁第1作者单位：浙江大学硅材料国家重点实验室论文摘要：我们使用红外扫描电镜，电子束诱生电流和微波光电导衰减仪等设备，研究了RTP预处理对直拉硅中Cu沉淀的行为及其电学性能的影响。实验发现，与没有经过RTP预处理的情形相比较，经RTP氩气气氛1200或1100预处理，几乎对硅中Cu沉淀的尺寸和大小没有影响，但导致硅片复合强度的增强和少子寿命的降低。然而经RTP氧气气氛1200或1。</p><p>10、1 The effect of RTP pre annealing on the precipitation behavior and electrical property of copper in CZ silicon Weiyan Wang Deren Yang State Key Lab of Silicon Materials State Key Lab of Silicon Mate。</p><p>11、硕士学位论文 摘要 碳纳米管具有十分优异的物理、化学性能，使其具有巨大的应用前景。但由 于实验制备的碳纳米管初产品中含有大量的杂质，因此在对碳纳米管进行实验 研究或应用之前通常都需要对碳纳米管进行表面纯化。</p><p>12、第 44 卷第 1 期 2 00 8 年1 月 机械工程学报 Vo1 44 N 1 C H IN E SE JO U R N A L O F M E C H A N IC A L E N G IN E E R IN G Jan 2008 驱动器布位及冗余驱动对 Tri c ept 并联机构性能的影响水 李剑锋 费仁元。</p><p>13、第 37 卷 增刊 4 稀有金属材料与工程 Vol 37 Suppl 4 2008 年 10 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING October 2008 收稿日期 2008 08 10 基金项目 国家 973 项目 2006CB601004 国家 863 计划 2006AA03Z203 及。</p><p>14、金属颗粒的大小及形状对碳纳米管增强铜及铜合金的硬度和电学性能的影响摘要：利用碳纳米管（CNT）的特殊性质在金属基复合材料（MMC）中的宏观应用仍然是科学与技术的一大挑战。由于将碳纳米管掺入金属且可扩展的过程很困难，为商业应用取得的成功尝试很少。通过成熟的热压烧结粉末冶金法制备了碳纳米管增强铜及铜合金（青铜）复合材料。碳纳米管-金属粉末混合与热压烧结的工艺参数已经被优化且混合粉末和复合材料的。</p><p>15、摘要 本文研究了溅射的沉积工艺参数对P t 电极上沉积的B S T 组分梯度薄膜微结构与电 学性能的影响。实验结果表明：B S T 组分梯度薄膜晶粒大小和晶化程度随着衬底温度的 升高而提高，6 0 0 下沉积的B S T 薄膜介。</p><p>16、，。、-j I n f l u e n c e so fh y d r o g e n a t i o no nm i c r o s t r u c t u r a l e v o l u t i o no fT i 6 A 1 4 V a l l o y a n dm o l e c u l a r d y n a m i c ss i m u l a t i o no。</p>