Chap微电子概论

Chap微电子概论Tag内容描述：<p>1、北京大学,大规模集成电路基础,3. 1半导体集成电路概述,集成电路（Integrated Circuit，IC）,芯片（Chip, Die） 硅片（Wafer）,集成电路的成品率：,成品率的检测，决定工艺的稳定性，成品率对集成电路厂家很重要,集成电路发展的原动力：不断提高的性能/价格比,集成电路发展的特点：性能提高、价格降低,集成电路的性能指标： 集成度 速度、功耗 特征尺寸 可靠性,主要途径：缩小器件的特征尺寸 增大硅片面积,功耗 延迟积,集成电路的关键技术：光刻技术(DUV),缩小尺寸：0.250.18mm 增大硅片：8英寸12英寸,亚0.1mm：一系列的挑战， 亚50nm：关。</p><p>2、第 五 章集成电路设计,集成电路设计与制造的主要流程框架,集成电路的设计过程： 设计创意 + 仿真验证,设计业,引 言,半导体器件物理基础：包括PN结的物理机制、双极管、MOS管的工作原理等 器件 小规模电路 大规模电路 超大规模电路 甚大规模电路 电路的制备工艺：光刻、刻蚀、氧化、离子注入、扩散、化学气相淀积、金属蒸发或溅射、封装等工序 集成电路设计：另一重要环节，最能反映人的能动性 结。</p><p>3、第二章半导体物理和器件物理基础,*半导体及其基本特性*半导体中的载流子*PN结*双极晶体管*MOS场效应晶体管,2.1半导体及其基本特性,固体材料(电导率）：超导体:大于106(cm)-1导体:106104(cm)-1半导体:10410-10(cm)-1绝缘体:小于10-10(cm)-1,一、什么是半导体,从导电特性和机制来分：不同电阻特性不同输运机制,什么是半导体？金属：电导率106。</p><p>4、北京大学 大规模集成电路基础 3 1半导体集成电路概述 集成电路 IntegratedCircuit IC 芯片 Chip Die 硅片 Wafer 集成电路的成品率 成品率的检测 决定工艺的稳定性 成品率对集成电路厂家很重要 集成电路发展的原动力。</p><p>5、集成电路制造工艺,集成电路设计与制造的主要流程框架,集成电路的设计过程： 设计创意 + 仿真验证,设计业,制造业,芯片制造过程,集成电路芯片的显微照片,集成电路的内部单元(俯视图),沟道长度为0.15微米的晶体管,栅长为90纳米的栅图形照片,50m,100 m 头发丝粗细,30m,1m 1m (晶体管的大小),3050m (皮肤细胞的大小),90年代生产的集成电路中晶体管大小与人类头发丝粗细。</p><p>6、微电子概论结课论文 微电子供电设备突破 姓 名 某某某 学 号 130605666 班 级 冶金工程132班 学 院 材料学院 指导教师 赵甘露 2015年11月 7 摘要 微电子技术作为现代高科技的代表 在经济发展中占据着重要的地位 微。</p><p>7、微电子概论,陈迪,第一章概述,1.1什么是集成电路和微电子学1.2集成电路的发展历程1.3集成电路分类,1.1什么是集成电路和微电子学,集成电路是指半导体集成电路，即以半导体晶体材料为基片，经加工制造，将元件、有源器件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上，执行某种功能的微型化电路。微电子是研究电子在半导体和集成电路中的物理现象、物理规律，并致力于这些物理现象.物理规律的应用，包括器件物理.器件结。</p><p>8、集成电路制造工艺北京大学,1,集成电路设计与制造的主要流程框架,2,集成电路的设计过程：设计创意+仿真验证,设计业,3,制造业,芯片制造过程,4,集成电路芯片的显微照片,5,集成电路的内部单元(俯视图),6,沟道长度为0.15微米的晶体管,栅长为90纳米的栅图形照片,7,50m,100m头发丝粗细,30m,1m1m(晶体管的大小),3050m(皮肤细胞的大小),90年代。</p><p>9、,1,集成电路制造工艺北京大学,.,2,集成电路设计与制造的主要流程框架,.,3,集成电路的设计过程：设计创意+仿真验证,设计业,.,4,制造业,芯片制造过程,.,5,集成电路芯片的显微照片,.,6,集成电路的内部单元(俯视图),.,7,沟道长度为0.15微米的晶体管,栅长为90纳米的栅图形照片,.,8,50m,100m头发丝粗细,30m,1m1m(晶体管的大小),30。</p><p>10、微电子概论结课论文纺织学院专业 ：纺织工程班级 ：纺织工程133姓名 ：邓杰学号：120901203浅析微电子发展及其与医学的结合摘要也许我们对微电子并没有什么深入的了解，但微电子技术的应用与影响在我们的日常生活中随处可见.如今信息技术已渗透到社会生产和生活的一切领域，微电子技术在医学中的应用也由各类医疗器械和集成电路转变为生物芯片。本文将简述微电子技术的发展历史现状，和在医学领域的发展趋势和展望，增进对微电子技术的了解。关键词微电子技术、发展、现代技术革命、晶体管、集成电路、财富、医学、应用 微电子技术是一项。</p><p>11、SJTUSJTU 傅宇卓等 上海交通大学微电子学院 SJTUSJTU outline ?Course view ?Semiconductor technology view ?curriculum view ?Moores Law ?Great Persons，Great History ?Semiconductor industry SJTUSJTU Introduction of the co。</p><p>12、半导体器件物理基础,PN结的形成,正向偏置的PN结情形,正向偏置时的能带图,正向偏置时，扩散大于漂移,N区,P区,空穴：,正向电流,电子：,P区,N区,扩散,扩散,漂移,漂移,PN结的反向特性,N区,P区,空穴：,电子：,P区,N区,扩散,扩散,漂移,漂移,反向电流,反向偏置时的能带图,反向偏置时，漂移大于扩散,PN结的特性,单向导电性： 正向偏置 反向偏置,正向导通，多数载流子扩。</p><p>13、微機電概微機電概C-K Liang 潔淨室(Clean Room) 微機電概微機電概C-K Liang 潔淨室等級 微機電概微機電概C-K Liang 潔淨室控制 微機電概微機電概C-K Liang 典型配置圖 微機電概微機電概C-K。</p><p>14、微电子学概论 大学一年级的启航教育课给我们介绍了自己专业的一些基本情况 也让我们对自己的专业 微电子学有了一些基本的认识 微电子学是一门高科技的学科 它的发展直接影响着我们的日常生活 微电子学是最近几十年才发展起来的 是一门年轻的学科 它是研究在固体 主要是半导体 材料上构成的微小型化电路 电路及系统的电子学分支 作为电子学的分支学科 它主要研究电子或粒子在固体材料中的运动规律及其应用 并利用它实。</p><p>15、微电子学概论第五章 集成电路设计,5.1 集成电路设计特点,集成度与设计成本,集成度（门/chip),设计成本/总成本（%）,5.1 集成电路设计特点,集成度与设计工作量(人工),集成度（ tr/chip),设计工作量（人年）,集成电路设计与制造的主要流程框架,集成电路的设计过程: 设计创意 + 仿真验证,集成电路芯片设计过程框架,是,功能要求,行为设计（ VHDL。</p><p>16、微电子学概论 第三章,庄庆德 2003.8,第三章 VLSI基础,3.1 IC (Integrated Circuit)概述 3.2 双极型集成电路基础 3.3 MOS集成电路基础,第三章 VLSI基础,3.1 IC (Integrated Circuit)概述,集成度，特征尺寸，芯片(Chip)，圆片(wafer),功耗，延迟时间，可靠性,定义:在半导体或其他基板上制作含有多个器。</p>