微电子学概论集成电路制造工艺

微电子学概论集成电路制造工艺Tag内容描述：<p>1、集成电路制造工艺,双极集成电路制造工艺,上一次课的主要内容,CMOS集成电路工艺流程,N型(100)衬底的原始硅片,NMOS结构 PMOS结构,P阱(well),隔离,阈值调整注入,栅氧化层和多晶硅栅,NMOS管源漏注入 PMOS管源漏注入,接触和互连,LOCOS隔离 开槽回填隔离,制作埋层（减小集电极串联电阻） 初始氧化，热生长厚度约为5001000nm的氧化层（隐埋扩散的掩蔽层）。</p><p>2、集成电路制造工艺,制造业,芯片制造过程,需要集成的内容,有源器件制备在同一衬底上，相互隔离 （二极管、双极晶体管、MOSFET） 无源器件（电阻、电容等） 互连引线,P,P,集成电路设计与制造的主要流程框架,集成电路的设计过程： 设计创意 + 仿真验证,设计业,集成电路芯片的显微照片,双极工艺 双极集成电路 CMOS工艺 CMOS集成电路,集成电路工艺,NPN晶体管,N沟道MOS晶体管,CMOS集成电路(互补型MOS集成电路)：目前应用最为广泛的一种集成电路，约占集成电路总数的95%以上。,集成电路制造工艺,前工序：（重点） 形成半导体器件的核心部分，管芯。</p><p>3、集成电路制造工艺,CMOS集成电路制造工艺,上一次课的主要内容,从原始硅片到封装测试前的关键工艺 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上。 工艺：光刻、刻蚀 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 工艺：扩散，离子注入 ，退火 薄膜制备：制作各种材料的薄膜 工艺：氧化，化学气相淀积，物理气相淀积,工艺集成,工艺集成：组合工艺，制备不同。</p><p>4、下一页上一页 集成电路设计II 下一页上一页 分层分级设计思想分层分级设计思想 设计信息描述方法设计信息描述方法 图形描述 语言描述 ICIC设计流程设计流程 （TOPTOPDOWNDOWN） 系统功能设计系统功能设计 逻辑和电路设计逻辑和电路设计 版图设计版图设计 上次课内容 下一页上一页 OUTLINE 集成电路设计特点及设计信息描述 典型设计流程 集成电路的设计规则和全定制设计方法 专用集成电路的设计方法 几种集成电路设计方法的比较 可测性设计技术 下一页上一页 种类繁多的集成电路种类繁多的集成电路 下一页上一页 集成电路设计中要考虑的因。</p><p>5、北京大学 大规模集成电路基础 3 1半导体集成电路概述 集成电路 IntegratedCircuit IC 芯片 Chip Die 硅片 Wafer 集成电路的成品率 成品率的检测 决定工艺的稳定性 成品率对集成电路厂家很重要 集成电路发展的原动力。</p><p>6、集成电路设计的EDA系统,Behavior,Specification,Register-transfer,Logic,Circuit,Layout,集成电路设计结构,集成电路设计流程,OUTLINE,ICEDA系统概述高层级描述与模拟VHDL及模拟综合逻辑模拟电路模拟时序分析和混合模拟版图设计的EDA工具器件模拟工艺模拟计算机辅助测试（CAT）技术,ICEDA系统概述,EDA（Electro。</p><p>7、东北大学 金硕巍,大规模集成电路基础,3. 1半导体集成电路概述,集成电路（Integrated Circuit，IC）,芯片（Chip, Die） 硅片（Wafer）,集成电路的成品率：,成品率的检测，决定工艺的稳定性，成品率对集成电路厂家很重要,集成电路发展的原动力：不断提高的性能/价格比,集成电路发展的特点：性能提高、价格降低,集成电路的性能指标： 集成度 速度、功耗 特征尺寸 可靠性,主要途径：缩小器件的特征尺寸 增大硅片面积,功耗 延迟积,集成电路的关键技术：光刻技术(DUV),缩小尺寸：0.250.18mm 增大硅片：8英寸12英寸,亚0.1mm：一系列的挑战， 亚50。</p><p>8、摘要 摘要 S i G e m T 是基于s i 能带工程的一种异质结晶体管，它一出现就引起了世界普 遍关注。由于基于S 江艺，与- v 化合物器件比，S i G el 玎强在性能价格比、功 耗、噪声、集成度等方面有明显优势。在。</p><p>9、摘要 摘要 上世纪中叶第一块集成电路芯片的出现，标志着由电子管和晶体管制造电子 整机的时代发生了量和质的飞跃，创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛 生命力的新兴产业集成电路产业。经过半个多世纪的时间。</p><p>10、摘要 随着集成电路特征尺寸的减小，铜互连线上的电阻及信号延迟增大，抗电迁移能力 减弱，使得电路可靠性降低。由于碳纳米管不会发生电迁移且可承受高达1 0 1 0 A c m 2 的 电流密度，故有望成为替代铜互连线的新。</p><p>11、用于纳米集成电路可制造性设计的测试结构版图生成器设计 摘要 集成电路工艺达到超深亚微米与纳米技术节点 工艺变异降低器件与互连 参数的精确性 影响集成电路性能与成品率 采用测试结构版图自动生成的方 法 可以快速。</p><p>12、摘要 集成电路产业无疑是有史以来发展速度最为迅猛的产业之一。随着特征尺寸 的持续不断缩小，集成电路的性能和集成度均以几何速度飞速增长。但集成电路 制造工艺进入纳米时代后，严重的工艺参数偏差导致集成电路性。</p>