（锗硅）集成电路芯片生产线项目可行性研究报告

成电路芯片生产线项目 1 6、 m 硅）集成电路芯片生产线项目 可行性研究报告 第一章 总论 项目名称与通信地址 项目名称： 6、 m 硅）集成电路芯片生产线项目 承办单位： 深圳市 法人代表 ： 项目负责人： 通信地址： 邮政编码： 传 真： 电 话： 内容提要 由 深圳市 以下简称 作为中方投资公司与 洲）集团有限公司（以下简称 深圳合资组建一家合资企业，共同投资兴建 6、 m 硅）集成电路芯片生产线项目，主要产品包括 成月投片量 5000片的生产能力。 项目总体规划分两期建设，一期工程初期实现 6 000片 /月的生产能力（本项目），根据产品市场的发展和需求情况最终可形成 20000片 /月的生产能力，二期工程兴建8生产线，实现月产 8 0000片。 成电路芯片生产线项目 2 一期工程规划用地 116000 括研发中心用地 20000 二期工程规划用地 84000 用地 200000 本 项目总投资（建设投资） 册资金 1500万美元，合资公司总股本的 60%， 项目总投资中注册资金以外的部分 (，将以合资公司名义向境内或境外金融机构贷款解决。 本项目用地由深圳市政府免费提供，一期工程用地位于深圳市宝龙工业园区，用地面积 96200 发中心用地 19800 于深圳市高新技术产业园区，规划建筑包括生产厂房（ 动力厂房、综合楼、多功能中心、专家楼、倒班宿舍、化学品库、气站等，本项目（ 5000片）新建其中的生产厂房（ 动力厂房和倒班宿舍，合计新建面积 26600 它建筑和子项根据生产规模的扩大实行分步实施。生产厂房（ 月投片 20000的规模建设，洁净室和相配套的生产动力设施按 5000片规模配置。 预计本项目达产年销售收入 润 目内部收益率 投资回收期 项目建设的必要性和有利条件 本项目旨在建立一条 6” m 成电路芯片生产线，该生产线同 成电路 具有兼容性，因此该生产线除了可以生产 可以根据市场需求生产其它 件。本项目在投产初期，由于考虑到 件市场有一个发展过程，因而安排一定的生产量生产有用户需求的功率 件，这样项目既考虑到一步就迈上了生产当前国际上先进的高频 件，为进一步发展这一类器件抢占更大的市场奠定基础，同时又能保证生产线的产量能达到饱和值，并为企业带来更大的效益。本项目的建立具有如下意义： 成电路芯片生产线项目 3 （ 1）填补国内 频器件生产的空白，推动我国 成电路生产赶上国际先进水平。 频器件是 一种利用硅基片及能带工程的新型异质结双极器件，由于具有优良的高频特性同时又具有价格低廉以及同硅集成电路兼容集成的优点，因而深受各国重视。尽管 1987年第一只 经历了十几年的研究及发展，但一直到 1998 年真正的 本项目利用韩国合资方 司掌握的先进 件及电路工艺技术生产的 件及集成电路，使我国能在最短的时间内填补这种器件及电路的空白，推动我国 成电路生产赶上国际先进水平。 （ 2）满足我国高频应用领域的需求，促进相关应用领域的发展 随着我 国光纤通信、航天科技及军事科技的迅速发展，对高频电路不仅在数量上有更多的要求，而且希望电路满足低成本、小体积及能同硅电路兼容集成，从而构成系统集成芯片。 术正好满足这些要求，因而建立 6 英寸 m 成电路生产线，能扭转我国目前高频电路主要依赖 件及大部分靠进口的状态，从而促进我国相关应用领域的发展。 （ 3）拓宽我国微电子产品的领域，形成我国 成电路生产及研发基地。 多年来我国微电子工业的发展缓慢，尽管截止 2000 年我国已共有 25 条微电子生产线，但除了上海华虹 8 英 寸 m 产品刚进入当代国际硅主流技术水平以外，其它生产线以生产低中档产品为主。近年来我国微电子工业发展速度有所加快，特别上海“中心国际”及“宏力” 8 英寸 产线的建立，扩充了我国集成电路的生产能力，提高了我国集成电路的产品水平。但是上述所有微电子生产线均未考虑 件的生产。因此本项目 成电路生产线的建 成电路芯片生产线项目 4 立，可以拓宽我国微电子产品的领域，本项目第二期工程拟升级成 8英寸加工线，并将建立 成电路研究及发展中心，最终形成我国 成电路生产及研发基地。 （ 4）带动我国高频电路及系 统集成芯片设计行业的发展 多年来我国从事高频电路设计的科技人员均以 件为主要对象，原因是缺乏新的高频器件，本项目 件生产线的建立，为建立 频电路及系统集成芯片设计平台提供了一个验证及保证的条件，从而带动我国高频电路及系统集成芯片设计行业的发展。 （ 5）推动深圳市电子信息产业的进一步发展 电子及通信设备制造业是深圳工业的主导行业，但是深圳市的微电子工业由于起步较晚相对落后。据统计 2000年深圳直接使用的集成电路 50亿美元中， 90依靠进口。在高频应用的电路中，由于采购困难更限制了相关电 子产品的发展。本项目利用少量投资，购置以翻新设备为主的 6英寸 立一条相对水平较高的 仅具有很好的经济意义，而且能缓解上述矛盾，并推动深圳市电子信息产业的发展。 (1) 深圳具有建设高技术集成电路芯片项目的良好环境 深圳与上海、北京一样，是国内最有条件发展集成电路芯片制造业的城市之一。深圳市为加速和鼓励发展集成电路芯片制造业，配合国务院 18号文精神，对该项目提出了包括地租、贴息贷款和水电价格等多项优惠政策，为本项目的实施创造了有利条件。 深圳及周边珠江三角洲地区是国内集成电路主要的集散地之一，华南地区集成电路消耗量占国内的一半以上，同时也是中国最大的光通讯、无线通讯、网络设备生产开发中心，占据中国该类产品生产的70%以上。 2000年中国电子信息百强前 30名中有超过 1/3在深圳及其附 成电路芯片生产线项目 5 近地区，包括华为、中兴、康佳、德塞、长城等，这些大公司使用大量集成电路，使得广东的电路进口数量占全国的 60项目具有良好的投资环境和市场环境。 此外，深圳作为中国最年轻和最具活力的国际化大都市，毗邻香港，利用靠近香港、交通便利的地理优势，容易吸引优秀的国际 人才，产品可方便地面向海外市场。 (2) 本项目合作方 员培训、工艺设备维护以及具有丰富经验的集成电路生产管理技术团队支持。 目前 任深港韩国电子商会会长（该会成员多达 100多家）。本项目韩国方面组织了具有国际大公司背景和 6、 8生产线建设与运营经验的技术团队，团队成员分别具有 星电子、现代半导体公司、韩国电子部品研究院（ 韩国电子通讯研究院（ 国际大公司或知名院所的工作背 景和经历，这为本项目实施提供了强有力的保障。 (3)本项目生产线建设的一大特点是采用与技术引进相结合的整条线成套设备引进的方式，这使得相应的服务、维修及备件供应有保障，这对本项目生产线能够长期稳定、可靠的运行极为重要，对本项目实施极为有利。 可行性研究报告编制依据 务院 2000 年鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策（国发 2000 18号文）以及 2001 年国务院办公厅关于进一步完善软件产业和集成电路产业发展政策有关问题的复函。政策规定鼓励发展集成电路产业，并提出多项优惠政策 。 家发展计划委员会和科学技术部 1999 年 7 月颁发的当前优先发展的高技术产业化重点领域指南第 34条规定，集成电路是信息化产业发展的基础。集成电路产业包括电路设计、芯片 成电路芯片生产线项目 6 制造、电路封装、测试等，需重点发展。 商投资产业指导目录 2002 年版 鼓励“集成电路设计与线宽 米及以下大规模集成电路生产”。 圳市 业有限公司 与 洲）集团有限公司 关于在深圳市成立合资公司的协议书。 圳市政府关于建设超大规模集成电路生产项目优惠政策的相关文件 。 圳市 息产业电子第十一设计研究院基础资料 。 圳市 业有限公司 委托 深圳市 询有限公司 编制该项目可行性研究报告的协议 究结果 要技术经济指标 本项目主要技术经济指标见表 1 2。 表 1 2 主要技术经济指标 序号 名 称 单 位 数 据 备注 1 生产规模 片 /月 5000 达产年 6 片 /月 1500 达产年 6 片 /月 3500 达产年 2 年销售收入 万美元 产年平均 3 固定资产总投资 万美元 4 职工人员 人 104 5 用地面积 00000 其中一期 116000 6 新建建筑面积 6600 7 新增生产设备、仪器数量 台 (套 ) 51 8 变压器装设容量 5000 9 自来水消耗量 t/d 2460 成电路芯片生产线项目 7 序号 名 称 单 位 数 据 备注 10 主要动力消耗 工艺循环冷却水消耗用量 m3/h 150 氮气 (耗量 m3/h 450 工艺氮气 (耗量 m3/h 200 工艺氧气 (耗量 m3/h 9 工艺氢气 (耗量 m3/h 4 工艺氩气 (耗量 m3/h 4 压缩空气 (耗量 m3/h 520 高纯水系统 m3/d 600 冷冻水 (600 11 达产年利润 万美元 12 销售税金及附加 万美元 13 总投资回收期 年 建设期 14 财务内部收益率 % 后 15 总投 资利润率 % 16 销售利润率 % 17 盈亏平衡点 % 产能力计算 18 贷款偿还期 年 建设期 研究结论 该项目是 6、 m 年来已成为集成电路技术发展的一个热点，得到了日益广泛的应用， 产品方向符合国家产业导向，是国家高新技术产业目录指导发展产品和国家 2002年度鼓励外商投资产品。 本项目的实施对 填补我国 产的空白，推动我国 目前 多，生 产量 也少，但 从 其 应用 用途分析，一 成电路芯片生产线项目 8 般 推测 其 未来发展空间 甚大， 根据 C 999年 市场规模约为 元， 预测 至 2004年 将 有 9亿 美元的市值，年平均 增长 104%，产品具有广阔的市场前景。 成电路的市场虽然发展十分迅速，但对本项目而言仍有一个逐步开拓的过程，因此，本项目确定的生产规模（月投 5000片）是合适的。 同时为进一步减小市场风险，本 项目考虑在投产初期，利用生产线的部分生产能力，进行工艺兼容、市场成熟的硅 目初期产品是采取定向委托加工方式，产品市场有保障。 本项目设备配置采用翻新设备，以很低的投资建立起一条有一定规模的 6英寸锗硅生产线，产品技术含量高。同时减少了投资风险，降低运营成本和费用。 根据 议，生产技术由作为韩方的技术入股， 项目实施具有技术保障。 、 8生产线建设与运营经验的技 术团队。团队成员分别有 星电子、现代公司、韩国电子部品研究院和韩国电子通讯研究院等国际大公司或知名院所的工作背景，是本项目建设运营的有力支撑。 该项目投资回收期 务内部收益率 总投资利润率 销售利润率 盈亏平衡点 项目具 有良好的投资效益和抗风险能力。 综上所述，项目建设是可行的。 成电路芯片生产线项目 9 第二章 投资方简介 圳市 司概况 深圳市 于 2000年 12月 29日成立的有限责任公司，公司注册资本 为 10800 万元。本公司的股东为中国高科集团股份有限公司 (以下简称 :中国高科 )和上海高科联合生物技术研发有限公司 (以下简称 :高科生物 )。中国高科占本公司注册资本的 高科生物占 公司的经营范围是：兴办实业；电子通讯产品及智能系统等相关产品的技术开发 、销售；国内商业、物资供销业；经营进出口业务。 2002 年，公司实现主营收入 元，实现净利润 3600 万元 。目前，公司的总资产已超过 5 亿元人民币，元人民币。 东背景 中国高科是由国内众多知名高校共同发起设立 并于 1996 年 7 月在上海证券交易所上市的股份有限公司（证券代码为 600730）。 2001年底，中国高科注册资本 17460 万元，总资产达 135554 万元，净资产 37015万元。高科生物是由中国高科控股的有限责任公司（中国高科占 ，公司的注册资本为人民币 15000万元，主要从事新型生物化学药物系列 、新型药物制剂、基因工程药物、新型卫生材料等新型药品的研发、新药项目的技术转让。 属企业介绍 成立以来，在中国高科的支持下，积极进行资本运作。截止 2002 年底，公司控股和参股的企业已达 7 家。他们分别是深圳市高科智能系统有限公司（占注册资本的 51%）、深圳仁锐实业有限公司（占注册资本的 75%）、深圳市高科新世纪贸易有限公司（占注册资本的 65%）、深圳市高科通讯电子有限公司（占注册资本的 40%）、深 成电路芯片生产线项目 10 圳市华动飞天网络技术开发有限公司（占注册资本的 32%）、深圳市金开利环境科技有限公司（占注册资本的 60%）、深圳市星伦网络科技有限公司（占注册资本的 84%）。 洲）集团有限公司 o., 000 年 12 月 22日在香港注册成立， 注册地址： M N 9/F O 公司一直致力于电子通信领域的发展，并与韩国电子部品研究院（ 韩国电子通信研究院（ 司进行了多方面的合作。 2002 年 5 月：公司与韩国电子部品研究院（ 署了“中国技术合作战略伙伴”协议，内容涉及 机 前，于 2003 年 1 月 16 日在与 韩国 业 ( 韩国 电 子部品 研 究院 （ 共同投 资 成立 “深圳华韩集成电路科技有限公司”。 2002 年 6 月，在深圳投资注册了以利亚电子科技（深圳）有限公司。主要从事 板（ 驱动 量生产生产工艺流程及设备的高科技公司，并与韩国电子部品研究院（ 立 了 术合作关系。 2003 年 1 月 2 日与韩国电子通讯研究院（ 署了“ 技术内容涉及 00 多项。 公司将继续在半导体、芯片设计等领域发展，并将韩国的先进技术继续引进到中国，与本地的技术融合，愿成为中、韩技术交流的一个桥梁。 成电路芯片生产线项目 11 第三章 该产业国内外发展情况 品主要应用领域和意义 项目主要产品 件的特点是利用廉价的硅基片同硅集成电路兼容的加工工艺生产新型的高频器件及电路，器件和电路产品的应用目前主要集中在 2 10 范围内，并可能扩展到 40 3出 件的可能应用范围。 图 3件应用范围 如果将其应 用具体化，至少可以举出以下一些射频应用领域的例子： 蜂窝电话和 话 接收器用低噪声放大器（ 发送器用功率放大器（ 压控振荡器（每个发送 /接收装置的基本部件） 廉价的 撞报警雷达系统 1上的单片无线话音和数据电话系统 成电路芯片生产线项目 12 数据采集，直接基带无线接收器和信号合成专用高速模数转换和数模转换器 廉价高可靠的全球定位（ 收器 互动式电视 早期高频无线应用的电路例如混频器、调制解调器和压控振荡器等都是 用硅双极技术设计的，同时功率放大器和低噪声放大器等前端电路主要用 术设计。随着应用要求的频率提高，硅双极器件已力不从心，因而 逐渐成为高频应用的主流。这主要是因为料具有高的电子迁移率及快的漂移速度，因而适用于制作高频器件，但是 在诸多缺点，例如 晶材料制备工艺复杂因而价格昂贵； 料的机械强度低，晶片易碎尺寸做不大；热导率低因而散热不良； 件工艺同硅器件工艺不具有兼容性等。这些缺点限制了 件的发展，特别限制了器件的大规模生产。 具有优 良特性的 术（见表 3在扫除上述障碍，并有可能开发出一种集成的高频无线电路，例如可以将压控振荡器、功率放大器及低频噪声放大器集成在一起，构成完整的无线前端产品。 除此以外， 术可以将 路集成在一起，形成速度、功耗、性能、集成度和成本最佳组合的系统集成芯片，从而完成更加复杂的功能，这样的芯片可直接用于先进的无线通信产品中，例如用于第二代、第三代手机及宽带局域网（ 。毫不夸张，件的应用及开发，将使微电子学在通信领域中参数一次新的飞跃，具有十分重要的意义。 成电路芯片生产线项目 13 表 3件、 性的比较 器件 室温增益 低温增益 同 艺兼容性 规模生产性 芯片成本 目前工艺水平 ( m) 0 中 下降 易 低 10 高 上升 好 易 中 60 低 上升 劣 一般 高 ： 60项目投产的初期以生产 压控振荡器（ 主，它是 基础产品同时又是有广阔市场的产品，它将为今后扩展其它 成电路的生产铺平道路。 本项目加工的功率 件是硅器件中广泛应用的产品，国际上由于产业调整加工有逐渐移向我国的趋势，例如日本 司在我国曾同一些 4”生产线合作过该器件生产。但由于生产效率偏低未能成功，这次该公司作为本项目韩方股东，在项目投产的前两年将安排约 4000 片 /月的生产量生产功率 件，这对项目建立的生产线迅速达产及提高经济效益起到保证作用，同时作为补充我国及深圳地区微电子产业也将作出贡献。 际国内技术水平发展情况 产经历了近 20年左右发展的道路。表 2 列出了 1982 年开始研究低温 延 料工艺，到 1998 年第一代 品问世的主要发展历程。 成电路芯片生产线项目 14 表 3主要发展历程 时间 发展内容 1982 开始研究低温 艺 1986 延 功 1987 第一个 作成功（采用 法外延） 1990 75993 100995 160998 第一代 品问世（ 噪声 放大器） 由于 工艺同 艺具有兼容性，因此在材料研究取得突破以后，其器件及电路的水平迅速提高，表 3出了截止 2000年 器件研究水平。 表 3研究水平 器件结构 长方法 增益 发射极面积 （ fT/实验室 双台面 200 2 8 30/160 多晶自对准 13 8/69 多晶自对准 5000 54/ 多晶自对准 00 1 76/180 年来器件水平又有很大提高，最近报导的 BT 360件商业生产水平的 0 60用的工艺水平为 1 m 工艺。商业上主要用 术生产低噪声放大器（ 压控振荡器 电路，除此以外，利用 艺兼容集成的水平在不断提高，利用 艺已试制出集成 180 万晶体管道 片。 作为例子表 3出无线通信用 水平，表 3出一些具有代表性的 成电路。 成电路芯片生产线项目 15 表 3无线通信用 水平 性能 作频率（ 作电压（ V） 3 4 2 5 3 电流（ A） 10 8 噪声系数（ 益 20 1 14 表 3有代表性的 成电路 电路 性能 时间 /公司 2 位， 750994/频器 8 分频， 50998/片 7z 1997/益） 声系数） 15 调谐范围，在100移时噪声比 z 1998/路复用器 2： 1， 40Gb/s 1998/路 分解器 1： 2， 60Gb/s 1997/置放大器 带宽 出阻抗 43，功耗 17003/件的技术虽然发展迅速，但主要掌握在国际上少数公司手中，特别是生产技术掌握在少数像 这样的大公司手中，近几年韩国 公司加强了 术研究，发展了较为成熟的 其电路的生产技术。 国内近几年对 术的研究也较为重视，但研究主要集中在少数高校及研究所，主要研究内容为 延材料及 制作， 成电路芯片生产线项目 16 研究项目主要来自于市级和国家自 然基金以及像“ 863”这样的攻关项目，一般研究经费不多，制约了其技术的发展。国内 料的研究尚未达到规模生产水平。 件则达到了一定的研究水平，有代表性的器件是清华大学的 主要器件参数如下： B 结漏电电流 2A/ 100 用 80 2 m 20 m 的 作的 放大器，其 3V， f 83627达到最大 34，其 1约为 17。 可以看出国内 件虽然达到了一定的水平，相对来讲仍比较落后，特别尚未掌握规模生产技术，有待进一步研究及发展。 关于功率 件，从工艺上来说已相对成熟，m 的加工水平已能满足，采用英寸片加工功率 件也是适当的选择，另一方面 率器件的一个发展方向是将控制电路集成在一起的“功率智能集成”芯片，有了功率 术基础，生产线可以根据市场需要进行考虑。 品国际 本项目的主要产品是加工 相关集成电路，如射频压控振荡器等。这些电路是 术最适合生产的产品，并且它们目前在国际上市场发展情况良好。 品 1999 年才开始有售，当年的销售额仅为 370 万美元，但是发展迅速， 2000 年很快上升至 美元，据分析 成电路至少可以占领移动手机宽带集成电路的 36市场。随着 成电路生产能力的提高，销售量将不断扩大，在中频 /比特率达 10Gb/i 和 品。表 3出韩国 出的频集成电路市场状况，表 3出韩国 出的世界手 机市场销量预测情况。 成电路芯片生产线项目 17 表 3频集成电路市场预测 应用领域 电路频率 年度 世界市场额度 窝电话 前 美元 人通信系统 前 美元 球移动个人通信系统 005 年 美元 球定位系统 前 美元 带局域网 前 美元 程空间无线中心 005 年 美元 星直播系统 12 14 前 美元 步光纤网 10 40 前 美元 表 3世界手机市场销量预测 单位：千部 （ ）：百万美元 地区 2002 2003 2004 2005 非洲 亚洲太平洋 /日本 欧洲 西欧 中欧及东欧 美洲 中美及南美 北美 中东 总计 我国 国内高频器件芯片需求量随着无线通信市场的发展，从 90年代末期至今呈爆炸式的增长，特别移动通信业务，我国已成为世界上发展最快的国家。 2002 年移动电话用户已超过 2 亿，新增用户 5000 成电路芯片生产线项目 18 多万，手机用户总量已超过美国跃居世界第一，今年还将保持 6000万支的需求量，预计 2005 年，中国手机拥有量将达到 部。国内手机厂商众多，目前都力图开发自己的品牌，在手机无线集成电路方面也在积极寻找合作伙伴。 除此以外，随着我国计算机的逐渐普及及局域网和卫星定位等无线通信的发展，估计高频芯片使用量在未来的五年内会成倍增长。这些 均为 件在我国提供了广阔的市场。 功率 件仍然是世界微电子的热门产品之一，因为它们广泛用于节能，汽车电子，电源管理及很多相关的电子产品中，因此世界功率 件的市场是旺盛的。据报导 2002 年世界 值为 63 亿美元，预计 2003 年为 72 亿美元， 2004 年上升为 81 亿美元，而 2005 年则达到 93 亿美元。 我国功率 件的需求量在 2000 年已达 只，每年以15的速度增长，市场前景也相当看好。 业的国内外发展形势 件的商品化历史尚短，产业化的规模还要依赖于应 用的开发。由于 件的优良特性，低价格以及同 成电路的兼容性，会有越来越多的应用领域接受它们。目前 件使用最多的领域是 无线电话，它们是首先带动 件产业发展的动力。 1999 年宽带 的集成电路约为 8 亿美元，2000 年则增加至 10 亿美元。 品由于 1999 年刚入世，其销售量为 100 万美元，至 2000 年上升至 4000 万美元，规模扩大。 在无线通信领域中以手机为例，尽管目前尚不知道 品已用于手机的具体数量，但是据分析 成电路至少可 占领该产品的 36以上的市场。随着 成电路的生产规模扩大，这一比例 成电路芯片生产线项目 19 还会增加。目前涉足 成电路生产的厂商有 20 多家，表 3出有代表性的厂商产品门类及评价。 表 3有代表性的厂商 品门类及评价 公司 品门类 评价 线；通信；网络传输 技术广泛的创新者；拥有大量的 工；术专利许可证 A（蓝牙）； 频器 提供提供 门工艺；采用外部代工 线；蜂窝； 频器 同 成同盟 韩） m 工艺，器件特性优于 品；拥有大量专利；采用外部代工 国内目前仅有研究成果，尚不具备产业化条件。从现有的国内硅生产线来看，尚未听说有进行 件生产的可行计划。因此本项目生产线的建立将是国内 件产业化的开始。 关于功率 体管，国际上多年来其市场为少数大公司，如所垄断，近年来也有很多小公司参与 竞争。但是随着微电子工业的发展，大公司为了建立 12 英寸大线，对小线进行削减。目前我国大约有十个单位从事功率 关的器件加工，但是大部分单位均停留在 3 英寸及 4 英寸片加工水平上，这大大影响了生产效率及经济效益。将功率 件转向 6 英寸线进行生产是一个方向。这些均为本项目生产线的代工提供了机遇。 成电路芯片生产线项目 20 第四章 产品大纲及可占领市场分析 品大纲 本项目建立的生产线生产能力为每月加工 5000只 6 英寸晶圆片，在投产初期因 件的市场有一个发展的过程，因此分配 3501600 片用于生产 件， 其余片子用于加工有市场保证的其它硅集成电路，目前主要代加工日本 司（也是韩方合资公司的股东）的功率 件（见委托意向书），具体产品大纲按产品门类，特点，应用及生产模式列于表 4 表 4产品大纲 产品门类 特点 应用 生产模式 质结双极晶体管） 采用 m 线宽，延基区， 0频集成电路 代加工， 6 英寸晶圆片 控振荡器） 无源元件单片集成，片尺寸 于无线手机及宽带局域网等 代加工， 6 英寸晶圆片 功率 件 采用外延硅衬底片，以及 构 用于节能，汽车电子，电源变换器等 代加工， 6 英寸晶圆片 品简介 4出 结构，采用低价格及高成品率达减压艺制备 延层，同时利用自对准 对准硅化物（ 成本征基区，发射极和集电极，工艺同 容，共用掩模 17块。芯片面积为 成电路芯片生产线项目 21 图 4结构 控振荡器（ 图 4出 控振荡器结构，器件特点是将电感、电容及电阻等无源元件同 成在一个芯片上，芯片面积仅为 中采用基区多晶制作高值电阻，采用发射极多晶制作中值电阻；利用二层金属制作电感，电感量在 7 9 2 6 0H。 容值在 围为 Q151 图 4控振荡器结构 成电路芯片生产线项目 22 率 件 功率 件采用二种器件结构，即 向双扩散 向扩散 其结构示于图 4二种器件均在外延硅衬底片上采用多晶硅栅离子注入、扩散、推进工艺完成，工艺流程同通常 件类似。 图 4功率 件的二种结构 产计划 表 4出投产后 5 年内的投产计划，其中月产量及年产量均以 6英寸晶圆片为单位，月产量满产为 5000 片 6 英寸晶圆片。 表 4投产计划表（单位： 6 英寸晶圆片） 产品 第 1 年 第 2年 第 3年 第 4年 第 5年 月 产量 年产量 月产量 年产量 月产量 年产量 月产量 年产量 月产量 年产量 50 4200 750 9000 1500 18000 1500 18000 1500 18000 50 4200 750 9000 3500 42000 3500 42000 3500 42000 功率300 51600 3500 42000 0 0 0 0 0 0 总计 5000 60000 5000 60000 5000 60000 5000 60000 5000 60000 成电路芯片生产线项目 23 占领市场分析 按 2004 年的年产量举例估算，假设每个 6”晶圆片芯片成品率为75，封装成品率为 85，则最终可得年产 品 只，品 2301 万只。如果产品用于手机，并且每个手机用 2 只一只 于 2004 年预计世界总手机需求量约为 5 亿部，因此本项目产品 占领大约 市场份额。但由于本项目 品还可以用于其它无线领域，因此其实际世界市场可能比 很多，该产品的销售应无问题。至于 于其应用市场更为广泛，尽管生产数量较大但需求量也更大，其销售也不会存在大的困难。 此外功率 件全部由合资韩方公司股东日本 司委托， 2004 年世界功率 件市场预测约为 40 亿美元， 产量约为世界份额的 1。本项目的加工量只是该公司加工量的一部分，因此销售不存在问题。 成电路芯片生产线项目 24 第五章 生产技术与生产协作 产工艺流程 图 5产品生产工艺流程图 要技术及来源 要生产技术 质结晶体管）和 频集成电路）生产工艺技术，主要包括： （ 1） 艺； （ 2）电感、电阻、电容（ 变电容二极管（ 制造工艺； （ 3） 套工艺，包括 艺监控图形）方法等； （ 4） 直流与射频测试分析与参数模拟； （ 5） 成电路制造有关的单项工艺，包括： 延、钛硅化物自对准工艺（ 隔离工艺等。 小功率 一种 频集成电路 控振荡 集成电极外延生长 集电极注入 局部氧化 插塞注入 基区外延生长 基区限定刻蚀 低 温氧化物沉积 发射极开孔 射极沉积 侧墙 对准硅化物 第一层 金属化 第二层 金属化 压点 磨片 背压金属片 后步工艺 成电路芯片生产线项目 25 器）两类产品技术，包括产品工艺设计、器件和电路板图、产品测试、封装、可靠性及质量控制等。 功率 件工艺技术，主要是 艺。 术来源 前两项技术由本项目合资公司韩方（ 责提供，并作为韩方的技术入股。第三项技术则由计划委托 本项目生产线进行加工生产的日本 司提供。由于 成为很普通的标准工艺，因此，由委托加工方向加工线提供具体的工艺要求是目前世界上通行的做法。 团公司是一个投资控股公司，它本身并未进行 为本项目提供的 成电路技术，主要来源于以下韩国的研究所和公司： 国电子通信研究院。 这 是一家属于政府的研究所。主要从事芯片的设计及开发，有一条 5 英寸的集成电路加工线和一条 4 英寸的 件加工线。该所研制成功的 m， 数达到了国际先进水平，并已小量生产了 路应用于三星的最新手机中。本项目所采用的艺技术，主要出自这家研究所。 国电子部品研究院。 这也是一家政府眼睛单位。主要从事电子部件及电子系统研发。研究领域包括单片集成系统、光通信、微电子机械、显示技术 、下一代 线通讯、手机核心技术等。从 91 年至今已有 800 多项研究成果进行了技术转让。 C)公司 成电路芯片生产线项目 26 这是一家比较典型的 C 公司，主要从事手机及无线通信用的电路产品开发。该公司所从事的产品设计与开发技术环节是比较全面