硕士论文-LTCC钛酸钡陶瓷系统研究.pdf

天津大学 硕士学位论文 ltcc钛酸钡陶瓷系统研究 姓名：吴亮亮 申请学位级别：硕士 专业：微电子学与固体电子学 指导教师：吴顺华 20080501 中文摘要 l t c c 是近年来兴起的一种令人瞩目的多学科交叉的新技术，它为电子 系统的元器件以及模块小型化、轻量化提供了很好的解决途径，越来越受到 国内国际上的重视。 b a t i 0 3 陶瓷是a b 0 3 型化合物，具有典型的钙钛矿型结构，是最重要的铁电 材料之一。由于b a t i 0 3 陶瓷具有优异的介电性能和良好的温度稳定性，以它为 基的多层陶瓷电容器已广泛应用于移动通讯、汽车电子系统中。 本论文以b a t i 0 3 陶瓷为基础，研究了添加剂在低温烧结过程中的作用，以 及对烧结特性、介电性能的影响，并从配比和工艺等方面进行调整，从而得到 符合应用要求的l t c c 介质材料。 在系统中掺入添加剂g e 玻璃，烧结过程中能够与b a t i 0 3 反应生成低温活 性液相，有效地降低陶瓷的烧结温度和烧结时间，实现b a t i 0 3 陶瓷的低温快速 烧结。低价的l i + 取代b a t i 0 3 晶格中t i 4 + 的位置，产生了晶格空位，也能够促进 烧结的固相传质过程，从而缩短烧结时间。b a 2 十的引入，改变了b a t i 0 3 的化学 计量比b a t i ，形成富b a 相b a 2 t i 0 4 ，极大地改善了b a t i 0 3 基陶瓷的低温烧结 性能。 实验对球磨时间、烧结温度以及保温时间等工艺条件对b a t i 0 3 低温烧结系 统的介电性能的影响进行分析，并综合考虑陶瓷的性能指标，制备出了低温烧结 的b a t i 0 3 基l t c c 陶瓷材料，性能参数如下： 烧结温度：8 5 0 介电常数：e _ 3 0 0 0 ( 1k h z 下) 损耗因子：t g6 1 0 t c 特性：ae s 1 5 ( - 5 5 “ - - 1 5 5 ) 关键词：低温共烧陶瓷；b a t i 0 3 ；g e 玻璃；介电性能； a b s t r a c t l o w t e m p e r a t u r ec o f i r e dc e r a m i c s ( l t c c ) i sa n e wb r o a d - r e g a r d i n gt e c h n o l o g y ， w h i c hc o m e sd o w nt om a n ys u b j e c t s l t c ct e c h n o l o g yp r o v i d e sa na l l f i g h ts o l u t i o n t om i n i a t u r i z a t i o na n dh a n d i n e s sf o rd e v i c e sa n dm o d u l e so fe l e c t r o n i cs y s t e m s n o w l t c ci sa t t a c h e di m p o r t a n c eb yd o m e s t i ca n do v e r s e a se x p e r t sm o r ea n dm o r e a so n eo ft h em o s ti m p o r t a n tf e r r o e l e c t r i cm a t e r i a l s ，b a t i 0 3c e r a m i c si st h e a b 0 3c o m p o u n dw i t hat y p i c a lp e r o v s k i t es t r u c t u r e d u et oi t se x c e l l e n td i e l e c t r i c p e r f o r m a n c e s a n dh i g h t e m p e r a t u r e s t a b i l i t y ，b a t i 0 3 一b a s e d m l c ch a v e b e e n e x t e n s i v e l yu s e di nt h ef i e l d so fm o b i l ec o m m u n i c a t i o na n de l e c t r o n i cs y s t e mo f a u t o m o b i l e t h i sp a p e rf o c u so nt h es t u d yo fe f f e c t so fa d d i t i v e so nt h ep r o c e s so fl o w t e m p e r a t u r es i n t e r i n g ，s i n t e r i n gc h a r a c t e r i s t i c s ，a n dd i e l e c t r i cp e r f o r m a n c e sb a s e do n b a t i 0 3c e r a m i c s ，a n dt h ee x p e r i m e n tw i l lg e tak i n do fl t c cm a t e r i a lb ya d j u s t i n g t h er a t eo fm a t e r i a l sa n dm o d u l a t i n gt h et e c h n i q u e g eg l a s si sd o p e di n t ob a t i 0 3s y s t e ma sa d d i t i v e s ，r e a c t i n gw i t hb a t i 0 3d u r i n g t h ep r o c e s so fs i n t e f i n g l o wt e m p e r a t u r er e a c t i v el i q u i d - p h a s ei sg e n e r a t e di n t h i s p r o c e s s ，a n dh a st h ea b i l i t i e st ol o w e rs i n t e r i n gt e m p e r a t u r ea n d r e d u c es i n t e r i n gt i m e e f f e c t i v e l y t h e nb a t i 0 3c e r a m i c s i sf a s t - s i n t e r e da tl o wt e m p e r a t u r e l a t t i c e v a c a n c i e sa f eg e n e r a t e dw h e nl is u b s t i t u t e st h et is i t eo fb a t i 0 3 b e c a u s eo fi t s e f f e c to na c c e l e r a t i n gt h em a s s - t r a n p o r tp r o c e s s ，t h ep r e s e n c eo fv a c a n c i e si nb a t i 0 3 l a t t i c ei sa b l et od e c r e a s e s i n t e r i n gt i m e t h es i n t e r i n gc h a r a c t e r i s t i c s a tl o w t e m p e r a t u r ei si m p r o v e ds i g n i f i c a n t l yb yt h ea d d i t i o no fb a + ，t h a tc h a n g e st h e s t o i c h i o m e t r yo fb a t i ，a n df o r m sab a - r i c h e dp h a s eb a 2 t i 0 4 b ya n a l y z i n gt h ee f f e c t so fc r a f t s ，s u c ha st h et i m eo fb a l lm i l l i n g ，s i n t e r i n g t e m p e r a t u r e ，a n ds o a k i n gt i m e ，o nt h ed i e l e c t r i cp e r f o r m a n c e s ，a n dc o n s i d e r i n g p e r f o r m a n c e sp a r a m e t e r so fc e r a m i c sc o m p r e h e n s i v e l y , w eh a v ef i n a l l yp r e p a r e d b a t i 0 3 - b a s e dl t c cc e r a m i c ss i n t e r e da tl o wt e m p e r a t u r e i t sm a i np a r a m e t e r sw e r e a sf o l l o w ： s i n t e r i n gt e m p e r a t u r e ：8 5 0 * ( 2 d i e l e c t r i cc o n s t a n t ：3 0 0 0 ( u n d e r1k h z ) d i s s i p a t i o nf a c t o r ：t 9 6 5 1 0 t cc h a r a c t e r i s t i c ：a e e _ 1 5 0 0 ) 而且只能与高熔点、高电阻的金属( m o 、w 等) 共烧，不利于降 低生产成本。为此人们开发出新型的低温共烧陶瓷( l t c c ) 技术。低烧结温度 可以使金属良导体( c u 、a g 等) 与陶瓷流延片共烧，提高厚膜电路的导电性能、 降低成本。 封装对基板材料有如下的要求【2 5 】： 高电阻率( 1 0 1 4 q c m ) ，保证信号线问的绝缘性； 低介电常数，提高信号的传输速率。低介电损耗降系数能减小交变电场中 的损耗； 低烧结温度( t c 时，= o ，具有顺电介质的介电系数值：t l 的情况 下，所形成的壳层结构更为复杂，最里面仍为b a t i 0 3 核，最外面包裹着一层沉 淀的富b a 相，在b a t i 0 3 核与富b a 相之间是t i 0 2 薄层。并指出在b a t i 比率从 小于l 到大于l 的变化中，会产生晶粒异常生长现象，同时伴随着介电常数降低。 d f k h e n n i n g s 等人的研究则表明1 5 1 | ，在b a t i 0 3 基陶瓷中，富含少量的t i 0 2 ( 即b a t i 1 时，介电常数的居里峰移动了1 6 1 9 “ ( 2 t 5 2 1 。 综述所述，b a t i 0 3 基陶瓷a 位与b 位的化学计量比改变时，将可能产生以 下结果： 1 富t i 或富b a 相作为烧结助剂，可以降低烧结温度。 2 晶粒异常长大，同时伴随着介电常数降低。 3 介电常数的居里峰发生移动。 2 9 第四章b a t i 0 3 陶瓷低温烧结系统研究 4 2g e 玻璃作为添加剂的初步研究 为了实现b a t i 0 3 基陶瓷的低温烧结，我们首先掺入了添加剂g e 玻璃( 主 要成分为l i f 和b a f 2 ) ，来具体分析该系统的低温烧结过程。 烧结过程中，掺杂剂将与主晶相发生反应，具体反应如下【3 8 舶1 ： 1 第一个反应发生在预反应阶段( 6 0 0 “ c 左右) ，在烧结过程中，反应生成 b a c 0 3 ，生成的b a c 0 3 在8 1 1 时会变成熔融状态。 2 b a f 2 的存在使得b a t i 化学计量比发生改变，呈现富b a 相，形成b a t i 0 3 壳芯结构。l i f 被b a t i 0 3 吸收，l i 取代晶格中t i 的位置。而l i f 和b a f 2 中的f 将取代晶格中o 的位置，从而生成固溶体b a t i l - x l i 。0 1 3 - 3 x f 3 x ，在氧气氛围中烧结， 有如下反应： b a t il - x l i x 0 3 3 x f 3 x + 0 2 川a t i 0 3 + b a 2 t i 0 4 + l i 2 0 + f 2 3 在上一反应阶段释放出的l i 2 0 ，被b a t i 0 3 晶格吸收，l i 将取代晶格中t i 的位置，发生如下置换反应： 2 t i t i 。+ 4 0 0 x + l i 2 0 _ 2 l i t i + 3 v o + o o + t i 0 2 4 生成的t i 0 2 遇到熔融状态的b a c 0 3 ，又可以发生如下反应： 2b a c 0 3 ( 液) + t i 0 2 - 斗b a 2 t i 0 4 + c 0 2 5 在烧结反应阶段，连续液相被反应消耗完，在烧结助动力作用下烧结过 程将很快完成。 实验分别选取未经处理的b a t i 0 3 粉料和经过1 1o o 以及1 15 0 预烧处理过 的b a t i 0 3 粉料，添加不同比例的g e 玻璃，经过8 h 球磨后，在8 5 0 下烧结成 片，保温时间为l h ，通过测试样片的介电常数、损耗值、介电常数变化率等参 数来研究系统的介电性能。 实验完成后，样片显示：由预烧处理过的b a t i 0 3 粉料制作的样片均未烧熟， 无法成瓷；而未经处理的b a t i 0 3 粉料制作的样片可以烧熟成瓷。 于是系统选取未经处理的b a t i 0 3 粉料为基，添加不同比例的g e 玻璃来烧 结制作样片，并进行介电性能的测试。 下表为g e 含量变化对b a t i 0 3 g e 系统介电性能的影响： 3 0 第四章b a t i 0 3 陶瓷低温烧结系统研究 表4 1g e 含量变化对系统介电性能的影响 ( 8 5 0 烧结，保温l h ，球磨8 h ) g e 介电常数损耗e 变化率a ( ) 含量 e t g6 5 5 1 5 5 负向最大正向最大 2 5 w t 1 3 8 4 4 1 53 5 5 3 2 5 82 2 7 3 w t 2 0 9 6 9 l1 9 4 2 6 7 81 1 1 5 4 w t 2 9 5 4 41 0 8 2 2 4 55 3 l 5 w t 3 3 1 3 2 3o 8 2 1 4 5 61 4 3 6 w t 3 6 2 6 8 30 5 6 1 8 6 48 3 从上表数据可以看出，随着系统中g e 含量的增多，其介电常数是随之提高 的，而损耗呈下降的趋势。因此，在8 5 0 低温烧结时，g e 含量的增加，有助 于改善陶瓷的烧结性能。 当系统中g e 含量为5 w t 时，介电常数随温度的变化最为平缓，在5 5 1 5 5 温区内，最大负向变化率为1 4 5 6 ，正向变化率最大值为1 4 3 ，满足 l t c c 应用指标要求。 究其原因，一方面，由于l i + 进行b 位取代，即取代固溶体中t i 4 + 格点位置， 由第二章讨论的展宽剂作用效能的微观机理可以知道，所有能起到加强展宽作用 的b 位离子取代，其半径都比t i 4 十的大，致使与它共角的八面体的间隙缩小。而 l i 十的离子半径为7 4 p m ，t i 4 + 的离子半径为6 1 p m ，l i 十取代t i 4 + 后，使得l i + 与八 面体之间的间隙变小，从而起到展宽作用。 另一方面，f 离子半径为1 3 3 p m ，o 二为1 3 2 p m ，在b a t i 0 3 陶瓷结构中f 将取代o 二。由于f 离子是一价的，故f 离子的引入，必将出现正缺位，在烧结 过程中，氧离子空位的出现会加速烧结过程，有利于实现陶瓷的低温烧结。 再者，b a 2 + 的引入，使得陶瓷晶相中出现富b a 相，形成b a t i 0 3 壳芯结构。 处于壳芯结构中心位置的b a t i 0 3 是铁电相，位于夹层的t i 0 2 薄层和外层的富 b a 相属于非铁电相。随着b a 2 + 含量的增加，使系统的总自发极化电矩减少，故 出现介电常数的居里峰下降。但由于存在一定量的非铁电相，使得在自发极化发 生时伴随的几何形变和机械应力，在一定程度上得到了缓解，使居里区之外原来 被束缚、被约制、难以为弱电场所定向的那部分“可极化性”得到了“解放”， 因而使整个铁电区的介电性能随着b a 2 + 含量的增加而提高了。当绝大部分“可极 化性”得到了解放之后，再增加b a 2 + 含量，介电性能将出现下降的趋势。 3 l 第四章b a t e ) t 陶瓷低温烧结系统研究 图4 1 为8 5 0 下添加不同含量g e 烧结的实验样片表面形貌s e m 照片。 ( d ) 圄4 - l8 5 0 下添加不同含量 g e 玻璃烧结的实验样片s e m 图 ( 8 5 0 烧结保温1 h ，球磨g h ) ( a ) 25 w w o g e ：( b ) 3 w t g e ： ( c ) 4 w t g e ：( d ) 5 v r f a g e ： ( e ) 6 w t g e ； 分析这些s e m 照片可以知道，在g e 含量较低的b a t i o 陶瓷样片中，表面 显微结构组织疏松，存在很明显的气孔，且晶粒生长不明显。样片中气孔率偏高， 主要是因为在烧结过程中产生了气体的缘故。增加系统中的g e 含量，可以看到 陶瓷表面的显微结构发生明显的变化，晶粒有较为明显的生长，且粒界清晰可见， 晶粒结合较为紧密，气孔明显减少，且晶粒大小也变得较为均匀了。但是随着 g e 含量的进一步增加，有的晶粒已经开始出现异常长大的现象。 第四章b a t i 0 3 陶瓷低温烧结系统研究 4 3l i f b a f 2 作为添加剂的初步研究 既然g e 玻璃的主要成分为l i f 和b a f 2 ，我们不妨直接用l i f 和b a f 2 来代 替g e 来作为添加剂来考察此种情况下的低温烧结情况。 在上述实验的基础上将g e 的添加量按照g e 中l i f 和b a f 2 的含量比例进行 代替配比，烧结条件不变，进行实验。配方如下： 表4 - 2l i f b a f 2 + b a t i 0 3 系统烧结配方表 配方b a t i 0 3添加剂总含量b a f 2 l i f 序号含量 ( b a f 2 + l i f ) 含量含量 l9 7 5w t 2 5w t 2 1 8 w t 0 3 2w t 29 7 w t 3w t 2 6 1w t o 3 9 w t 39 6w t 4w t 3 4 9 w t 0 5 1w t 49 5w t 5w t 4 3 5w t o 6 5w t 59 4 w t 6w t 5 2 2w t 0 7 8 w t 实验完成后，样片显示都有不同程度的未烧熟情况。 图4 2 和图4 - 3 为l i f 和b a f 2 的含量查化对系统介电性能的影响： 纂 粘 御 太 3 0 0 0 2 5 0 0 0 0 0 5 0 0 0 0 0 5 0 0 o 0234 5 6 配方序号 图4 - 2l i f 和b a f 2 的含量变化对介电常数的影响 ( 8 5 0 烧结，保温1 h ，球磨8 h ) 3 3 第四章b a t i 0 3 陶瓷低温烧结系统研究 0123456 配方序号 图4 3l i f 和b a f 2 的含量变化对损耗的影响 ( 8 5 0 烧结，保温l h ，球磨8 h ) 由上图可以看出，介电常数随着l i f 和b a f 2 的增加而增大；而损耗随着l i f 和b a f 2 的增加而减小，但都较大。可以看出，该系统并不符合应用要求。 通过与g e b a t i 0 3 系统比较，如图4 4 和4 5 ， 4 0 0 0 3 5 0 0 3 0 0 0 糕2 5 0 0 器2 0 0 0 彘1 5 0 0 1 0 0 0 5 0 0 o o1234 5 67 添加剂总含量( ) 图4 4 两系统介电常数随添加剂含量变化关系 ( 8 5 0 烧结，保温1 h ，球磨8 h ) 3 4 笏 加 坫 加 5 o 冰v 冀骚 第四章b a t i 0 3 陶瓷低温烧结系统研究 2 5 2 0 主1 5 耀 辎1 0 5 0 01234567 添加剂总含量( ) i + b e b a t i 0 3 系统j j + l i f - b a f 2 一b a t i 0 3 丕统 图4 5 两系统损耗随添加剂含量变化关系 ( 8 5 0 “ c 烧结，保温1 h ，球磨8 h ) 虽然两者介电常数以及损耗变化趋势大致相同，但是，显然g e b a t i 0 3 系统 的介电常数更高，而损耗却更小，介电性能更好，因此g e 比l i f - b a f 2 更适合作 为添加剂来改善b a t i 0 3 基陶瓷的介电性能。究其原因，主要是由于在反应过程 中，l i f b a f 2 b a t i 0 3 系统并没有在烧结过程中反应生成活性液相b a c 0 3 ，而活 性液相b a c 0 3 的存在可以降低系统烧结温度，极大地改善b a t i 0 3 基陶瓷的低温 烧结性能。因此在烧结过程中，能够反应生成活性液相是实现低温烧结、加速烧 结进程的关键所在。 3 5 第五章工艺条件对b a t i 0 3 系统介电性能的影响 第五章工艺条件对b a t i 0 3 系统介电性能的影响 对于低温烧结的b a t i 0 3 基陶瓷，制各工艺对其介电性能会产生很大的影响。 制备工艺上的差异，最终会体现在陶瓷烧结样片的性能上。本章将从球磨时间、 烧结温度以及保温时间等方面对b a t i 0 3 低温烧结系统的介电性能的影响做一个 综合的分析。 5 1 烧结温度对系统介电性能的影响 烧结是指陶瓷坯体减少气孔、增强颗粒之间结合、提高机械强度的工艺过程。 从理论上说，烧结温度是指陶瓷坯体烧结时获得最优性质时的相应温度，即烧结 的最佳温度。由于坯体性能随温度的变化是一个渐变过程，所以烧结温度实际上 是指一个允许的温度范围。坯体技术性能开始达到指标时的对应温度为下限温 度，坯体结构和性能指标开始变化时的温度为上限温度。 在陶瓷工艺中，烧结温度对系统的介电性能有着十分重要的影响。通过适当 的烧结，使得陶瓷获得晶粒结合紧密、气孔率低、粒径均匀分布的微观结构，并 在宏观上表现为介电和机械性能优异，满足应用的要求。 为了考查b a t i 0 3 陶瓷样片的介电常数与损耗随烧结温度的变化关系，实验 选取了掺5 w t g e 的b a t i 0 3 分别在8 0 0 、8 5 0 、9 0 0 、9 5 0 下烧结，保温 时间为l h ，样品粉料球磨时间为8 h 。 鼎 艴 脚 彘 8 0 0 8 5 0 9 0 09 5 0 烧结温度 图5 - 1 烧结温度对介电常数的影响 ( 5 w t g e ，保温1 h ，球磨8 h ) 3 6 o 媚幻筇筋坫5 第五章工艺条件对b a t i o ，系统介电性能的影响 可以看到，随着烧结温度的提高，介电常数逐渐增大。在9 0 0 + c 时，介电常 数达到最大值；温度再增加时，介电常数开始下降。介电常数随烧结温度的变化 趋势可以从陶瓷烧结的微观结构得到解释。图5 - 2 显示了烧结温度分别为8 5 0 “ c 和9 0 0 的陶瓷样片的微观表面形貌。8 5 0 “ c 下烧结的样片，其晶粒结合紧密、 气孔率低、粒径均匀。9 0 0 c 下烧结的样片，其晶粒明显长大，晶粒之间结合得 更紧密，气孔率更低，但有的晶粒已经开始出现异常长大的现象。 图5 - 2 不同烧结温度的陶瓷样片s e m 照片 ( a ) 8 5 0 ：( b ) 9 0 0 损耗随烧结温度的变化则是先大幅度增大，然后再逐渐减小。但总的来说 损耗随烧结温度的变化都不大，损耗值保持在10 之内。 烧结温匿 图5 - 3 烧结温度对损耗的影响 【5 w t g e ，保温l h ，球磨跏) 第五章工艺条件对b a t i 0 3 系统介电性能的影响 从上述的分析中，似乎可以得出在较高温度( 9 0 0 左右) 下烧结时陶瓷样 片的介电性能更加优异的结论。但是我们忽略了一个重要的衡量指标：介电常数 变化率。 从图5 - 4 可以看出，在较高温度下( 9 0 0 “ ( 2 左右) 烧结时，介电常数变化率 在5 5 一1 5 5 区间范围内不符合一1 5 3 0 0 0 ( 1k h z 下) 损耗因子：t g6s 1 o t c 特性：a es 1 5 ( - 5 5 “ c 1 5 5 ) 4 3 参考文献 1 2 3 4 5 6 7 8 9 l o 1 1 1 2 1 3 1 4 1 5 1 6 1 7 1 8 1 9 2 0 2 1 2 2 参考文献 a l e xb e i l e y , e ta 1 i e e em t t - sd i g e s tp a r t ，19 9 7 ，( 2 ) ：9 9 9 何中伟，低温共烧陶瓷( l t c c ) 型m c m 集成电路通讯，2 0 0 1 ，n o 3 ( 2 0 0 1 9 ) 王传声，叶天培，王正义，l t c c 技术在移动通信领域中的应用混合，微电 子技术，v 0 1 1 2 ，n o 2 - 3 ( 2 0 0 1 9 ) k u m a rah 。k n i c k e r b o c k e rs 。t u m m a l ar i e e et r a n sc o m p o n dh y b r i d s m a n u f t e c h n ，1 9 9 2 ，c h mt i s ：6 7 8 n i w ak ，i m a n a k ay ，e ta 1 a d vc e r a m ，19 8 6 ，( 2 6 ) ：3 2 3 董兆文电子元件与材料，1 9 9 8 ，( 5 ) ：2 4 h o n g w e il ，b a r n e shi ，l a s k a rj ，e ta 1 i e e et r a n sm i c r o w a v et h e o r yt e c h n ， 2 0 0 0 ，( 4 8 ) ：2 6 4 4 k o n d ok o k u y a m am ，e ta 1 电子陶瓷技术，19 8 8 ，2 4 g o n g o r a r u b i omr ，e s p i n o z avp s o i all s e n s o r sa c t u a t o r s ，2 0 01 ，a 8 9 ：2 2 2 b a r n w e l1p ，z h a n gw jl e b o w i t zj ，e ta 1 1m a p s ，b o s t o n ，u s a ，2 0 0 0 ，6 5 9 j a n t u n e nh ，k a n g a s v i e r it ，k a n g a sjv ，e ta 1 je u rc e r a ms o c ，2 0 0 3 ，( 2 3 ) ：2 5 4 1 赵明全，腾建辅等，河北工业大学学报，2 0 0 2 ( 5 ) ：8 m i n o r ut a k a y a s u r f a c em o u n t i n gt e c h n o l o g i e sf o rc h i pt r a n s f o r m e r sa n d i n d u c t o r 【j 】j e e ，19 9 3 ，3 0 ( 5 ) ：6 5 张擎雪，李文兰，庄汉锐，材料研究学报，2 0 0 3 ，1 7 ( 1 ) ：7 9 张擎雪，李文兰，徐素英，无机材料学报，2 0 0 3 ，18 ( 3 ) ：6 2 7 李勇，汪荣昌，戎瑞芬，功能材料，2 0 0 3 ，3 4 ( 3 ) ：3 3 8 胡安民，梁开明，彭飞等，形核条件l i 2 0 a 1 2 0 3 s i 0 2 玻璃晶化和性能的影 响，材料热处理学报，2 0 0 4 ，2 5 ( 4 ) ：1 9 b e a l lg h ，p i n c k n e ylr n a n o p h a s eg l a s sc e r a m i c s j ja ms o c ，19 9 9 ，8 2 ：5 s c h e i d l e rh ，r o d e ke l i 2 0 一a 1 2 0 3 - s i 0 2g l a s sc e r i m i c s 【j 】c e r a mb u l l ，l9 8 9 ， 6 8 ：1 9 2 6 l ir o u n a n ，z h u p e i n a n p h l o g o p i t e b a s e dg l a s sc e r a m i c s jn o n - c r ys o l i d s ， 19 8 6 ，8 0 ：6 0 0 r e i s f e l dr p o t e n t i a lu s e so fc h r o m i u m ( ) - d o p e dt r a n s p a r e n tg l a s sc e r a m i c si n t u n a b l el a s e r sa n dl u m i n e s c e n ts o l a rc o n c e n t r a t o r s m a t e rs c i & e n g ，19 8 5 ，71 ： 3 7 5 赵全明，滕建辅等，低温共烧陶瓷技术及发展，河北工业大学学报，2 0 0 2 ， 参考文献 1 0 ( 5 ) ：8 5 2 3 赵梅瑜，王依琳，低温烧结微波介质陶瓷，电子元件与材料，2 0 0 2 ，2 1 ( 2 ) ： 3 0 2 4 陈国华，刘心宇，堇青石基玻璃陶瓷的制备与展望，中国陶瓷工业，2 0 0 2 ， ( 9 ) ：4 4 2 5 w a n gsh ，z h o uhp ，d e n s i f i c a t i o na n dd i e l e c t r i cp r o p e r t i e so fc a o - b 2 0 3 一s i 0 2 s y s t e mg l a s sc e r a m i c s ，m a t e rs c i & e n g ，2 0 0 3 ( 1 3 9 9 ) ：5 9 7 2 6 王悦辉等，低温共烧陶瓷( l t c c ) 技术在材料学上的进展，无机材料学报， 2 0 0 6 年3 月第2 l 卷第2 期 2 7 崔学民等，低温共烧陶瓷( l t c c ) 材料的应用及研究现状，材料导报，2 0 0 5 i f - 4 月第1 9 卷第4 期 2 8 刘梅冬，许毓春，压电铁电材料与器件，武汉：华中理工大学出版社，1 9 9 0 2 9 李标荣等，无机电介质，武汉：华中理工大学出版社，1 9 9 5 3 0 y u n s u n gj u n g ，e u n - s a n gn a ，u n g y up a i k ，e ta 1 ，as t u d yo nt h ep h a s e t r a n s i t i o na n dc h a r a c t e r i s t i c so fr a r ee a r t he l e m e n t sd o p e db a t i 0 3 ，m a t e r i a l s r e s e a r c hb u l l e t i n ，2 0 0 2 ，3 7 ( 9 ) ：16 3 3 - 16 4 0 3 1 尧彬等，c b s 掺杂对钛酸钡陶瓷的介电性能的影响，电子元件与材料，2 0 0 6 ， 2 5 ( 4 ) ：2 0 2 3 3 2 刘康时等，陶瓷工艺原理，广州：华南理工大学出版社，1 9 8 4 3 3 w r b u s s e m ，l e 。c r o s s ，a k g o s w a m i ，p h e n o m e n o l o g i c a lt h e o r yo fh i g h p e r m i t i v i t yi nf i n e d g r a i nb a r i u mt i t a n a t e ，j a m c e r a m s o c ，19 6 6 ， 4 9 ( 1 ) ：3 3 - 3 6 3 4 h e n n i g sd ，r o s e n s t e i ng ，t e m p e r a t u r es t a b l ed i e l e c t r i cb a s e do nc h e m i c a l l y i n h o m o g e n e o u sb a t i 0 3 ，j a m c e r a m s o c ，19 8 4 ，6 7 ( 4 ) ：2 4 9 2 5 4 3 5 p a r ky ，k i my h ，k i mh g ，t h ee f f e c to fg r a i ns i z eo nd i e l e c t r i cb e h a v i o ro f b a t i 0 3b a s e dx 7 rm a t e r i a l s j 】m a t e rl e t t ，1 9 9 6 ，2 8 ：1 0 1 - 1 0 6 3 6 k a h nm a n f r e d ，i n f l u e n c eo fg r a i ng r o w t ho nd i e l e c t r i cp r o p e r t i e so f n b - d o p e d b a t i 0 3 ，j a m c e r a m s o c ，i9 71 ，5 4 ( 9 ) ：4 5 5 4 5 7 3 7 许煜寰，铁电与压电材料，北京：科学出版社，1 9 7 8 3 8 丑修建等，b 2 0 3 l i 2 0 掺杂低温烧结b a o 6 s r o 4 t 1 0 3 陶瓷的介电性能，硅酸盐 学报，2 0 0 7 ，3 5 ( 2 ) ：1 4 9 “ - - - 1 5 3 3 9 s h y o o n ，j h l e e ，d y k i m ，e ta 1 ，e f f e c to fl i q u i d p h a s ec h a r a c t e r i s t i c s o nt h em i c r o s t m c t u r e sa n dd i e l e c t r i cp r o p e r t i e so fd o n o ra n da c c e p t o rd o p e d b a r r i u mt i t a n a t e ，j a m c e r a m s o c ，2 0 0 3 ，8 6 ( 1 ) ：8 8 - 9 2 4 0 r o u l l a n df ，t e x a sr l ，e ta 1 ，l o w e r i n go f b a ( b 7 y 3 b ”2 3 ) 0 3c o m p l e x p e r o v s k i t es i n t e r i n gt e m p e r a t u r eb yl i t h i u ms a l ta d d i t i o n s ，j e u r o c e r a m s o c ， 2 0 0 4 2 4 ：1 0 1 9 - 1 0 2 3 4 5 参考文献 4 1 l b e n z i a d a ，j r a v e z ，f e r r o e l e c t r i cb a t i 0 3c e r a m i c ss i n t e r e da tl o w t e m p e r a t u r ew i t ht h ea i do f am i x t u r eo fc a f 2a n dl i f ，j f i u o r c h e m ，19 9 5 ， 7 3 ：6 9 7 7 4 2 3k u r o m i t s uy ，w a n gs f ，i n t e r a c t i o nb e t w e e nb a r i u mt i t a n a t ea n db i n a r y g l a s s e s ，j a m c e r a m s o c ，19 9 4 ，7 7 ( 2 ) ：4 9 3 - 4 9 8 4 3 c h o w d a r yk r ，s u b b a r a oe c ，l i q u i dp h a s es i n t e r e db a t i 0 3 ，f e r r o e l e c t r i c s ， 1 9 8 1 ，3 7 ：6 8 9 - 6 9 2 4 4 w a n gs f ，y a n gt c k ，e ta l ，l i q u i d - p h a s es i n t e r i n ga n dc h e m i c a l i n h o m o g e n e i t yi nt h eb a t i 0 3 - b a c o y - l i fs y s t e m ，m a t e r r e s ，2 0 0 0 ，15 ： 4 0 7 4 1 6 4 5 t o l i n od a ，b l u mj b ，e f f e c to fb a - t ir a t i oo nd e n s i f i c a t i o no fl i f f l u x e d b a t i 0 3 ，j a m c e r a m s o c ，19 8 5 ，6 8 ：2 9 2 - 2 9 4 4 6 l a l d j at - b ，h i k m a ts h i l a l ，l o wt e m p e r a t u r es i n t e r i n ga n dd i e l e c t r i c p r o p e r t i e so f ( b a ，c a ) ( t i ，l i ) ( o ，f ) 3c e r a m i c sw i t hh i g hp e r m i t t i v i t y ，s o l i ds t a t e s c i e n c e s ，2 0 0 6 ，8 ：9 2 2 - 9 2 6 4 7 b u d n i k o vp p ，g i n s t l i n ga m ，p r i n c i p l e so fs o l i ds t a t ec h e m i s t r y ：r e a c t i o n s i ns o l i d s ，e d k s h a w m a c l a r e na n ds o n sl t d ，l o n d o n ，1 9 6 8 ，p p 1 6 6 - 1 7 5 4 8 3u p a i k ，v a h a c k l e y ，i n f l u e n c eo fs o l i d sc o n c e n t r a t i o no nt h ei s o e l e c t r i cp o i n t o fa q u e o u sb a r i u mt i t a n a t e ，j a m c e r a m s o c ，2 0 0 0 ，8 3 ：2 3 8 1 - 2 3 8 4