武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书.doc

武汉新芯集成电路制造有限公司武汉新芯集成电路制造有限公司 12 英寸集成电路生产线扩产调整项目英寸集成电路生产线扩产调整项目 环境影响报告书简本环境影响报告书简本 编编制制日日期期：二二 一一三三年年一一月月 武汉新芯集成电路制造有限公司武汉新芯集成电路制造有限公司 12 英寸集成电路生产线扩产调整项目英寸集成电路生产线扩产调整项目 环境影响报告书简本环境影响报告书简本 建建设设单单位位： 武武汉汉新新芯芯集集成成电电路路制制造造有有限限公公司司 评评价价单单位位： 信信息息产产业业电电子子第第十十一一设设计计研研究究院院 科科技技工工程程股股份份有有限限公公司司 编编制制日日期期：二二 一一三三年年一一月月 i 目目 录录 1.建设项目概况建设项目概况.1 1.1建设项目的地点及相关背景1 1.2建设项目主要建设内容1 1.3生产工艺4 1.4生产规模6 1.5建设进度和投资6 1.6建设项目选址合理性分析6 1.7产业政策的符合性分析7 1.8规划的符合性分析7 2.建设项目周围环境状况建设项目周围环境状况.9 2.1建设项目所在地的环境现状9 2.2建设项目环境影响评价范围9 3.建设项目环境影响预测及拟采取的主要措施与效果建设项目环境影响预测及拟采取的主要措施与效果.12 3.1污染物排放及治理措施12 3.1.1废水污染源排放及治理措施12 3.1.2地下水污染防治措施15 3.1.3废气排放及治理措施16 3.1.4噪声产生及防治措施19 3.1.5固体废弃物产生及处置情况20 3.1.6项目调整前后污染物排放情况对比20 3.2环境保护目标21 3.3项目主要环境影响及其预测评价结果24 3.4污染物达标排放分析26 3.5环境风险分析28 3.5.1风险预测结果28 3.5.2风险防范措施29 3.5.3风险应急预案29 3.5.4与武汉东湖新技术开发区应急预案相结合29 3.6建设项目环境保护措施的技术、经济论证结果30 3.7建设项目对环境影响的经济损益分析结果30 3.8建设单位拟采取的环境监测计划及环境管理制度30 3.8.1环境监测计划30 3.8.2环境管理规章制度31 4.公众参与公众参与.32 4.1公众参与调查32 4.1.1调查目的32 4.1.2调查方法32 4.1.3调查对象36 4.2调查结果统计39 4.2.1参与调查人员的基本情况39 4.2.2对本项目建设的意见统计40 4.2.3结论42 5.环境影响评价结论环境影响评价结论.44 6.联系方式联系方式.44 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 1 1. 建建设设项项目目概概况况 1.1 建设项目的地点及相关背景建设项目的地点及相关背景 武汉新芯集成电路制造有限公司 12 英寸集成电路生产线扩产调整项目拟建于 武汉东湖新技术开发区流芳产业园高新四路 18 号，武汉新芯集成电路制造有限公 司内。 2006 年，武汉新芯集成电路制造有限公司在武汉东湖新技术开发区投资建设了 集成电路芯片代工工厂（12 英寸集成电路生产线项目），生产能力为 12 英寸 90nm 芯片，月投片量 1.5 万片（18 万片/年）。2006 年 9 月，环保部（原国家环保总局） 以环审2006478 号文关于武汉新芯集成电路制造有限公司 12 英寸集成电路生产 线项目环境影响报告书的批复对该项目进行了批复。2010 年 2 月 26 日，环保部 以环验201055 号文关于武汉新芯集成电路制造有限公司 12 英寸集成电路生产 线项目竣工环境保护验收意见的函，确认该项目环境保护手续齐全，落实了环评 及其批复提出的各项环保措施和要求，主要污染物达标排放，工程竣工环境保护验 收合格。 2011 年，武汉新芯集成电路制造有限公司拟新增投资约 35 亿美元建设 12 英寸 集成电路芯片扩产项目，利用公司预留用地新增生产线，完善动力设施及相关辅助 设施，新增 12 英寸、45nm 为主的集成电路芯片 3 万片/月的生产能力。2011 年 4 月，湖北省环境保护厅以“鄂环函2011 286 号”下达了关于武汉新芯集成电路制 造有限公司 12 英寸集成电路生产线扩产项目环境影响报告书的批复。 武汉新芯集成电路制造有限公司对发展规划进行了一定调整，决定调整原“12 英寸集成电路芯片扩产项目”，将原计划投资 35 亿美元，生产 3 万片/月的 12 英寸、 45nm 为主的 cmos 芯片调整变更为投资 6.35 亿美元，生产 6 万片/月的 12 英寸、 65nm 的 bsi 芯片（背照式影像传感芯片）。调整项目在公司现有征地范围内进行， 依托现有生产厂房及部分设备，同时新增部分生产及动力辅助设备。 由于项目建设发生了调整，该调整势必给项目所在区域带来较原环评而言不同 的环境影响，为了了解项目调整后的环境影响情况，武汉新芯集成电路制造有限公 司特委托信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司为其 12 英寸集成 电路生产线扩产调整项目编制环境影响报告书。我公司接受委托后立即组织现场踏 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 2 勘，在充分研读项目有关文件和现有工程相关资料的基础上，编制出环境影响报告 书呈环境保护主管部门审查。2012 年 12 月 29 日，湖北省环境保护厅在武汉市召开 本项目环境影响报告书技术审查会，评价单位根据会上形成的专家评审意见，对报 告书进行了修改和补充，形成了武汉新芯集成电路制造有限公司 12 英寸集成电 路生产线扩产调整项目环境影响报告书（报批本），提交建设单位上报环保主管 部门审批。 1.2 建设项目建设项目主要建设内容主要建设内容 武汉新芯集成电路制造有限公司总征地面积 310573.34 m2，位于高新四路以北、 长通南路以东。本次调整项目，在公司已征地范围内进行建设，不新征土地。本次 调整项目将利用现有工程已有构筑物及设施，仅新建化学品库二。其情况见表 1- 1。 表表 1-1 本调整项目新建构筑物数据表本调整项目新建构筑物数据表 序号建筑代号层数 占地面积 (m2) 建筑面积 (m2) 备注 1化学品库二1846846构筑物新建 现有工程在芯片生产厂房 fab12a 中已设置投片量 1.5 万片/月的生产线；本次调 整项目拟利用在芯片生产厂房 fab12a 内 6500m2的预留空间安装投片量 6.0 万片/月 的生产线。 项目组成及主要建设内容见表 1-2。 表表 1-2 工程项目组成表工程项目组成表 主要环境问题序 号 工程项目建设内容 施工期营运期 备注 一、主体工程主体工程 1.1 芯片生产厂房 （fab12a） 3f, 14423.11m 2，目前已有投片量1.5万片/ 月生产线；本次利用其预留6500m2空间， 新增生产设备，安装投片量6.0万片/月的 生产线，位于fab12a第一层及第二层。 施工噪声 建筑垃圾 废水 废气 噪声 固体废物 厂房外 壳利旧 二、辅助、公用工程二、辅助、公用工程 2.1 动力厂房 (cub6) 24798.13 m2，利用动力厂房土建外壳，新 增部分设备。 地下一层：水池、水泵房、药剂间；一层： 库房及废水处理系统； 二层：纯水系统（本次扩能 153m3/h） ，项 目建成后总制备能力为 303 m3/h） ； 三层：变电站、冷水机组、工艺冷却水系 统；屋面：冷却塔。 施工噪声 建筑垃圾 噪声、废 水 构筑物 利旧 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 3 2.2化学品库二 新建，面积为846m2。用于存放磷酸、氢 氟酸、硫酸、硝酸、砷化氢、磷化氢、 spin etch d、hna等化学品。 施工扬尘、 施工废气、 施工噪声、 施工废水、 建筑垃 圾 废容器、 环境风险 新建 2.3 变电站 （ps6） 新增50mva主变压器1台。噪声 2.4 柴油发电机房 （dg6） 新增3台1600kw柴油发电机。噪声 2.5 锅炉房 （bh6） 新增设1台4200kw锅炉；扩产冷冻水系统。 施工噪声 建筑垃圾 噪声、烟 气 构筑物 利旧 2.6 硅烷站 （sih4） 现有最大储存量170m3，完全利旧。/风险 2.7 油泵房 （oph） 现有最大储存量200m3，完全利旧。/ 废油、含 油废水 2.8 危险废物暂存 库 存放面积273m2；存放废光刻胶、混合有 机溶剂、化学品空桶等，完全利旧。 / 危废、风 险 2.9 一般废弃物暂 存库 存放面积102m2；完全利旧。/固废 2.1 0 废液暂存间 fab 12a：位于生产厂房1f，存放面积619 m2；完全利旧。 废液收集罐储存能力相同，均为浓含氟废 水20m3、硫酸15m3、磷酸15m3、含铜废 水10m3、废有机溶剂50m3 / 危废、风 险 完全利 旧 2.1 1 特殊气体供应 系统 fab12a：已建成36种气体（惰性气体、腐 蚀性气体、烷类气体等)；完全利旧。 /风险 2.1 2 工艺排风系统 在fab12a内设有机废气排风、酸性废气排 风、碱性废气排风、有毒气体排风和一般 排风系统；完全利旧。 /设备噪声 2.1 3 废气处理系统 fab 12a：设有有机废气处理系统3套、酸 性废气处理系统8套、碱性废气处理系统3 套、有毒气体处理系统1套；完全利旧 / 酸碱废水 含氟废水 噪声 2.1 4 工艺废水处理 系统 酸碱废水、含氟废水、cmp废水、含铜废 水处理系统；完全利旧。 / 噪声、废 水处理污 泥、硫酸 铵溶液 2.1 5 生活污水处理 系统 盥洗间粪便污水经化粪池处理，食堂含油 废水经隔油池处理后，排入厂区污水管网； 完全利旧。 / 废水处理 污泥、废 油 完全利 旧 三、办公、生活设施三、办公、生活设施 3.1办公大楼完全利旧/生活垃圾、 完全利 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 4 （os6） 3.2门卫完全利旧 生活污水、 食堂油烟 旧 1.3 生产工艺生产工艺 项目调整前生产 12 英寸 cmos 芯片（complementary metal oxide semiconductor），采用 65/45nm 制程，以 45nm 为主。cmos 芯片制作原理是通过 外购空白硅片（晶圆），经清洗、氧化、扩散、光刻、去胶、离子注入、刻蚀、化 学气 cvd、金属化、cmp 等工序在硅片上形成电路图形，上述工序反复交叉，多 次循环。 本次调整项目引进豪威科技有限公司 bsi 制造技术，生产 12 英寸 bsi 芯片 （backside illumination cmos image sensors），即背照式影像传感芯片（以下简称 “bsi 芯片”），采用 65nm 制程。bsi 芯片可分为前段工序（cmos 芯片制作） 和后段工序（cmos 芯片贴合后制作），前段工序的制程数量远大于后段工序。本 调整项目在厂区内仅进行 bsi 芯片的后段工序，制作原理是外购 cmos 芯片，将 cmos 芯片与一片空白硅片（外购）进行贴合，贴合后对 cmos 芯片的背面进行 打磨减薄处理，接着在 cmos 芯片背面进行氧化、扩散、光刻、去胶、离子注入、 刻蚀、cvd、金属化、cmp 等多道工序，上述工序反复交叉，多次循环。 本调整项目仅进行 bsi 芯片后段工序，生产所需的 cmos 芯片均为外购（由濠 威科技有限公司提供）。项目调整前后所涉及生产工艺大致相同，本次调整仅新增 “硅片结合”、“化学机械打磨”工序。由于 cmos 芯片制作涉及的制程数量较多， 而本调整项目无需在厂内进行 cmos 芯片制作，因此项目调整后较调整前，在原辅 材料用量及制程数量上均有大大减少。项目调整前后涉及的生产工艺大致相同，本 次调整仅新增“硅片结合”、“化学机械打磨”工序；同时，由于产品性质的不同，bsi 芯片较调整前的 cmos 芯片制程数量大大减少。本调整项目生产工艺流程图见图 1-1。 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 5 注：（1）芯片制造顺序并非完全按照此流程 图顺序，根据工艺制程需要，上述工序将反 复交叉，实际工艺步数将达到数百步之多。 （2）硅片结合、化学机械打磨工序为本次 调整项目新增工序。 硅片清洗硅片清洗 氧氧 化化 硅片硅片 涂胶、曝光、显影涂胶、曝光、显影 刻刻 蚀蚀（干法、湿法）（干法、湿法） 扩扩 散散 离子注入离子注入 cvdcvd 沉积沉积 去去 胶胶 溅溅 射射 铜制程铜制程 硅片结合硅片结合 电学测试电学测试 清理焊缝清理焊缝 化学机械打磨化学机械打磨 包装入库包装入库 铜制程铜制程 化学机械抛光化学机械抛光 （c cm mp p） 图图 1-11-1 芯片生产工艺流程图芯片生产工艺流程图 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 6 1.4 生产规模生产规模 2012 年，根据武汉新芯发展规划以及客户对产品的要求，公司决定调整原 “12 英寸集成电路芯片扩产项目”，将原计划生产 3 万片/月的 12 英寸、45nm 为 主的 cmos 芯片调整为生产 6 万片/月的 12 英寸 bsi 芯片（背照式影像传感芯 片）。 项目调整后武汉新芯公司产品方案调整情况见下表： 表表 1-3 项目产品方案调整情况项目产品方案调整情况 月产量（万片/月） 调整前后产品方案 原环评实际建设 备注 调整前12 英寸 cmos 芯片3.00 采用 65/45nm 的生产工艺技术， 以 45nm 为主 调整后12 英寸 bsi 芯片/6.0 采用以 65nm 为主的生产工艺 技术 1.5 建设建设进度和投资进度和投资 建设进度：建设进度：本调整项目计划于 2013 年上半年开工建设， 2014 年第 1 季度 投入试运行，2016 年整体工程（6 万片）产能全部完成。 投资：投资：本项目总投资为 6.35 亿美元，其中环保投资为 422 万元人民币，占 总投资的 1.1。 1.6 建设项目选址合理性分析建设项目选址合理性分析 1、武汉东湖高新技术开发区能为本调整项目提供完善的配套设施，从项目 所处区域的建厂条件出发，项目选址是合理的。 2、本调整项目无组织排放源化学品库二划定的卫生防护距离为 100 m。经 过现场踏勘，卫生防护距离仅北边界超出公司厂界，超出部分为流芳园西路， 小部分涉及迪源光电以及待建的工业用地，未涉及环境敏感保护目标，因此可 以满足卫生防护距离要求，不涉及环保搬迁。 3、公司现有工程运行至今，工况稳定，未发生环境污染事故，火灾、爆炸、 有毒有害物质泄露等安全事故。根据环保部以环验201055 号文关于武汉新 芯集成电路制造有限公司 12 英寸集成电路生产线项目竣工环境保护验收意见的 函（见附件），“97%的被调查公众对该工程的环境保护工作表示满意或基本 满意”。表明公司现有项目未对周边环境造成明显影响。 4、本次调整项目废水、固废去向明确，噪声影响很小，主要污染物废气经 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 7 过严格措施治理达标后排放，并且项目周边地形平坦，有利于大气污染物的稀 释扩散。 5、根据本环评大气预测结果可知，本调整项目污染源排放的大气污染物最 大地面浓度远远小于评价标准，贡献值很小。故项目所在区域大气污染物浓度 主要由本底值决定，根据大气现状监测数据可知，项目区域大气环境质量良好。 因此，本调整项目大气污染物经处理后排放，对评价范围内的大气环境影响较 小，不会改变评价范围内的大气环境功能，不会对评价范围内的环境保护目标 造成明显不利影响。 综上所述，项目建设与周边环境基本相容，武汉新芯集成电路制造有限公 司此次调整项目对周边环境不会造成明显影响。因此，从项目周边环境制约因 素角度出发，项目在此建设是合理的。 1.7 产业政策的符合性分析产业政策的符合性分析 本调整项目为 12 英寸、65nm 芯片制造，属于产业结构调整指导目录 （2011 年本）第一类“鼓励类”中“第二十八类 信息产业 第十九条 集成电路设 计，线宽 0.8 微米以下集成电路制造。” 根据外商投资产业指导目录（2011 年修订），本调整项目属于其“鼓 励外商投资产业指导目录”中“第（二十一）通信设备、计算机及其他电子设备 制造业”中的“集成电路设计，线宽 0.18 微米及以下大规模数字集成电路制造， 0.8 微米及以下模拟、数模集成电路制造，mems 和化合物半导体集成电路制 造及 bga、pga、csp、mcm 等先进封装与测试。” 综上所述，调整项目符合目前国家相关产业政策。 1.8 规划的符合性分析规划的符合性分析 1、与国家产业规划的符合性、与国家产业规划的符合性 本调整项目为 12 英寸集成电路，属于集成电路产业“十二五”发展规划 中的产业发展重点。 2、与湖北省规划的符合性、与湖北省规划的符合性 湖北省“十二五”工业发展规划中中提出 “重点建设武汉新芯国际 12 英 寸 65 纳米芯片项目正源电子等一批光电子器件项目”。本调整项目为武汉 新芯国际 12 英寸 65 纳米芯片项目，项目与湖北省“十二五”工业发展规划 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 8 相符。 3、与武汉市规划的符合性、与武汉市规划的符合性 武汉市城市总体规划（2010-2020 年） 中提出， “武汉的工业发展目标及 布局为：集中发展钢铁制造电子信息电子信息石油化工等四大支柱产业”。 武 汉市国民经济和社会发展第十二个五年规划纲要中提出“电子信息产业。重点 发展光通信集成电路集成电路等领域，加快富士康武汉科技园、中芯国际武汉芯片中芯国际武汉芯片 等一批重大项目建设”。本调整项目属于电子信息中的集成电路制造，与武汉 市城市总体规划（2010-2020 年） 及武汉市国民经济和社会发展第十二个五 年规划纲要相符。 4、与武汉科技新城总体规划的符合性、与武汉科技新城总体规划的符合性 本调整项目位于武汉科技新城重点发展区域-流芳产业园内，属于电子信息 产业，故本调整项目完全符合武汉科技新城总体规划（2005-2020）。 武汉东湖新技术开发区流芳产业园高新四路 18 号，项目已经取得了武汉市 城市规划管理局东湖新技术开发区分局颁发的建设项目选址意见书及建 设用地规划许可证 （编号 0607409） ，项目的建设符合用地规划要求。 5、与武汉科技新城总体规划环境影响评价的符合性、与武汉科技新城总体规划环境影响评价的符合性 根据武汉科技新城总体规划环境影响报告书对入城企业主要项目做出 的具体要求，本调整项目属于其鼓励发展项目中 “电子及电子配件组装”项目， 故本调整项目符合国家的产业政策，符合科技新城入城条件。因此，本调整项 目的建设符合武汉科技新城总体规划环评的要求。 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 9 2. 建建设设项项目目周周围围环环境境状状况况 2.1 建设项目所在地的环境现状建设项目所在地的环境现状 （1）地表水环境现状评价结果表明：监测期间，2011 年长江武汉市境内段丰 水期、平水期及枯水期的各监测断面各项监测指标，均能够达到地表水环境质量 标准（gb3838-2002 ）类水域标准要求。 （2）地下水环境质量现状评价结果表明：项目场地内各项指标均符合地下 水质量标准 （gb/t4848-1993）中类标准限值；场地地下水上游监测点位氨氮出 现超标；项目场地地下水下游监测点位高锰酸盐指数、氨氮和汞出现超标。场地地 下水上游、下游出现超标，分析其原因可能是受监测点位附近企业、学校或居民污 水下渗所致。本调整项目采用了严格的废水治理措施，并对厂区进行分区防渗，在 落实报告中提出的各项措施的情况下，项目产生的废水不会对地下水水质造成影响。 （3）大气环境现状评价结果表明：监测期间，评价区域 3 个监测点大气污染 物 no2、so2和氟化物的小时平均浓度，no2、so2、pm10、tsp 以及氟化物的日平 均浓度均能满足环境空气质量标准 （gb 3095-1996）二级标准。hcl、氨、氯气 的小时平均浓度及日平均浓度均能满足工业企业设计卫生标准 （tj 36-79）居住 区大气中有害物质的最高容许浓度限值。表明项目所在区域大气环境质量良好。 （4）声环境现状评价结果表明：监测期间，1#、2#、4#、7#、8#、9#监测点 昼间、夜间噪声均能达到声环境质量标准（gb 3096-2008）中 3 类标准要求； 3#、5#、6#号点的夜间出现不同程度的超标，分析原因主要为上述三个监测点位靠 近城市道路，监测期间受交通噪声影响较大。 （5）土壤环境现状评价结果表明，监测期间，被测土壤中铜、铬、铅、锌、 镉、砷均满足土壤环境质量标准（gb 15618-1995）二级标准要求；项目所在 地土壤环境质量良好。 2.2 建设项目环境影响评价范围建设项目环境影响评价范围 （1）大气：以本调整项目所在地为中心，东-西方向边长 5km、南北方向边长 5km 的地区，评价面积 25km2。 （2）地表水：汤逊湖污水处理厂排江管道排放口上游 500m 到污水排放口下 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 10 游 5000m 的范围。 （3）地下水环境：以拟建厂区为中心，20 km2内的范围。 （4）噪声：厂界外 200 m 范围。 （5）环境风险：以化学品仓库为中心，半径为 5km 的范围。 项目评价范围图见图 2-1。 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 11 图图 2-1 项目评价范围图项目评价范围图 大气环境保护对象名称概况(人)方位距离（m） 思远信息技术学院4200东北784 武汉天马微电子配套生活区2000东北580 光谷七小1500东南1173 光谷二高3000东南1525 中芯国际配套宿舍（中芯花园）2000东南562 中芯学校1000东南1073 港边田安置点1080东南641 安置点2000南面455 万科魅力之城3200西南120 谷尚居2200西南486 武汉软件工程职业学院/武汉公交职业技术学院6000西南1826 佛奥俊贤雅居3600西面500 泰塑学生公寓1600西面665 武汉工程大学(流芳校区)1600西北1068 武汉工程大学继教院住宿区1700北面480 武汉工程大学银河学院1300西北1462 凤凰花园2000西南2060 长咀社区3000西南1960 光谷三小1000东南2160 武汉商贸职业学校2000东南2380 当代国际花园2500西北2260 富士康生活配套区5000东南2010 流芳新镇5000东南1540 藏龙新城4000南面1970 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 12 3. 建建设设项项目目环环境境影影响响预预测测及及拟拟采采取取的的主主要要措措施施与与效效果果 3.1 污染物排放及治理措施污染物排放及治理措施 3.1.1废水污染源排放及治理措施废水污染源排放及治理措施 本调整项目（6 万片/月）建成投产后，产生的废水主要分为生产废水和生活污 水两大类，排放量为 3049m3/d，其中生产废水 2949 m3/d，生活污水 100 m3/d。 3.1.1.1 生产废水产生及治理措施生产废水产生及治理措施 由于项目调整前后所涉及生产工艺大致项目，因此调整前后产生的废水种类大 致相同，本调整项目仅新增悬浮物废水，其余废水种类与调整前一致。 本调整项目产生的生产废水主要包括工艺酸碱废水、含氨废水、含氟废水、 cmp 研磨废水、悬浮物废水、含铜废水、废气洗涤塔及机台工艺尾气处理塔排水、 纯水制备废水和冷却塔循环水排水等。 1、工艺酸碱废水、工艺酸碱废水 本调整项目将采用硫酸、盐酸等物质进行清洗。此清洗废水主要污染物为酸、 碱等，废水的 ph 值较低，一般 ph4。 本调整项目产生的酸碱废水量仍在现有工程已建的中和处理系统处理能力范围 内，故本调整项目酸碱废水排入现有中和处理系统进行酸碱中和处理。 2、含氟废水、含氟废水 本调整项目含氟废水主要来源为工艺中采用氢氟酸进行刻蚀、清洗过程及酸性 废气洗涤塔排水（排水中包括极少量的砷化物）。 含氟废水处理采用“清污分流”的原则，分别收集高浓度含氟废液和低浓度的含 氟废水。高浓度含氟废液收集后储存于废液暂存间内的储罐内，定期送有资质单位 处置。低浓度的含氟废水排入含氟废水处理系统进行处理。 本调整项目产生的含氟废水量在现有工程含氟废水处理系统能力范围内，故纳 入现有工程含氟废水处理系统进行处理。含氟废水采用絮凝沉淀法进行处理，处理 后最终进入中和处理系统。 3、含氨废水、含氨废水 含氨废水主要来源于工艺中硅片的清洗和湿法刻蚀过程，所产生的含氨废水属 高、中浓度的含氨废水(主要污染物为氨、氟化物和ph)。本调整项目产生的含氨废 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 13 水量在现有工程含氨废水处理系统处理能力范围内，故本次调整项目依托现有工程 建设的含氨废水处理系统，采用“吹脱+吸收法”进行处理，处理出水为进一步去除 氟化物，再纳入含氟废水处理系统进行处理。 4、研磨废水、研磨废水 研磨废水主要污染物为悬浮物。本调整项目产生的研磨废水水量在现有工程 cmp 研磨废水处理系统处理能力范围内，故本调整项目产生的 cmp 研磨废水排入 现有的研磨废水处理系统进行处理。cmp 研磨废水采用絮凝沉淀法进行处理后，再 进入最终中和处理系统进一步处理后外排。 5、含铜废水、含铜废水 本调整项目在铜制程工序会产生一定浓度的含铜废水，废水中主要污染物为 cu2+。本调整项目产生的含铜废水量在现有工程含铜废水处理系统处理能力范围内， 故调整项目产生的含铜废水排入现有的含铜废水处理系统进行处理。含铜废水采用 絮凝沉淀处理后，再进入最终中和处理系统进一步处理后外排。 6、悬浮物废水、悬浮物废水 硅片结合工序中产生的清洗工序将产生废水，主要污染物为悬浮物废水，由于 此工序中不存在打磨，废水中的悬浮物源于晶圆表面的硅颗粒及其他杂质，悬浮物 浓度很低，直接进入中和处理系统处理。排放的悬浮物废水量在现在工程中和处理 系统处理能力范围内。 7、废气洗涤塔及机台工艺尾气处理塔排水、废气洗涤塔及机台工艺尾气处理塔排水 芯片加工过程中排放的 hf、hcl、硫酸雾、nh3等酸碱废气，现有工程设置有 碱（酸）液喷淋吸收塔吸收处理，排放的废水分别汇入含氨废水处理系统和含氟废 水处理系统进行处理。 根据砷物料平衡可知，砷化物绝大多数进入产品，极少量的砷进入废气后，通 过区域性废气处理系统（local scrubber）吸附处理后排入酸性废气洗涤塔，故最终 进入废水的部分微乎其微。经过计算，酸性废气洗涤塔处排水中的砷化物排放浓度 在 0.0055mg/l 左右，完全能够达到污水综合排放标准（gb8978-1996）表 1 的 要求，故酸性废气洗涤塔排水主要处理其所包含的氟化物。 现有工程设置的碱（酸）液喷淋吸收塔仍有足够余量，本次调整项目产生的废 气洗涤塔及机台工艺尾气处理塔排水依托现有工程设置碱（酸）液喷淋吸收塔吸收 处理。 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 14 8、纯水制备废水、纯水制备废水 主要为纯水站离子交换再生酸碱废水和反冲洗水排水，废水中主要污染物为 ph 及 ss 等，此类废水汇入中和处理系统处理后由公司生产废水总排口排放。 9、冷却塔循环冷却水排水、工艺设备冷却水排水、冷却塔循环冷却水排水、工艺设备冷却水排水 冷却塔中循环水经反复多次使用后，盐分增高，需要定期外排。排水中主要成 份为原自来水中浓缩的盐类、ss、ph，排入中和废水处理系统处理后经厂区生产废 水排放口排放。 工艺设备冷却水排水纳入中和处理系统进行处理。 3.1.1.2 生活污水生活污水 生活污水来源于厂区职工生活，主要有生活洗涤水、卫生间污水、餐厅废水等， 排放量 100m3/d。卫生间粪便污水采用化粪池处理后与餐厅污水隔油池撇油处理后， 由公司废水总排口排放。 3.1.1.3 生产废水、生活污水处理和排放情况生产废水、生活污水处理和排放情况 本调整项目主要废水排放及处理情况及全厂废水总排放口废水排放情况分别见 表 3-1 及表 3-2。 表表 3-1 主要废水排放及处理情况表主要废水排放及处理情况表 序号废水类别主要污染物 废水排放量 （t/d） 处理措施及排放去向 一一生产废水生产废水 1工艺酸碱废水ph694 中和处理系统废水排放口汤 逊湖污水处理厂长江 2 纯水站再生酸碱废 水和反冲水排水 ph、ss604 中和处理系统废水排放口汤 逊湖污水处理厂长江 酸性废气洗涤塔排 水 氟化物、 ph、总砷 77 含氟废水系统处理中和处理系 统废水排放口汤逊湖污水处 理厂长江 3 碱性废气洗涤塔排 水 氨氮、ph38 含氨废水系统处理含氟废水系 统处理中和处理系统废水排 放口汤逊湖污水处理厂长江 4 机台工艺废气处理 塔排水 氟化物、 ph 300 含氟废水处理系统中和处理系 统废水排放口汤逊湖污水处 理厂长江 5含氟废水 氟化物、磷 酸盐、ph 148 含氟废水处理系统中和处理系 统废水排放口汤逊湖污水处 理厂长江 6含氨废水 氨氮、氟化 物、ph 112 含氨废水处理系统含氟废水处 理系统中和处理系统废水排 放口汤逊湖污水处理厂长江 7cmp研磨废水、研ss120研磨废水处理系统中和处理系 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 15 磨废水、悬浮物废 水 统废水排放口汤逊湖污水处 理厂长江 8含铜废水铜、ph20 含铜废水处理系统中和处理系 统废水排放口汤逊湖污水处 理厂长江 9悬浮物废水ss10 中和处理系统废水排放口汤 逊湖污水处理厂长江 10 冷却塔循环冷却水 排水 ph、浓缩 盐、ss 800 11 工艺设备冷却水排 水 ss26 中和处理系统废水排放口汤 逊湖污水处理厂长江 外排生产废水合计2949 二二生活污水生活污水100 化粪池、隔油池 废水排放口 汤逊湖污水处理厂处理长江 外 排 废 水 合计 （一 项二项） 3049 表表 3-2 全厂废水总排放口废水排放情况一览表全厂废水总排放口废水排放情况一览表 污染物名称 废水 排放量 (t/a) 名 称氟化物 (以 f 计) codbod5ssnh3-n 磷酸盐 (以 p 计)铜总砷* 排放浓度 (mg/l) 4.81 78.83 18.09 48.62 8.0 3.6 0.01 0.00331 排放标准 (mg/l) 2050030040045*8*200.5 2018880 达标情况达标达标达标达标达标达标达标达标 3.1.2地下水污染防治措施地下水污染防治措施 3.1.2.1 防治措施防治措施 将全厂按物料或者污染物泄漏的途径和生产功能单元所处的位置划分为重点防 渗区、一般防渗区以及非防渗区三类地下水污染防治区域： 重点防渗区主要为：芯片生产厂房、动力厂房、化学品库、油泵房、柴油发电 机房、危险废物暂存库、废液暂存间、硅烷站、废水处理设施（生产废水处理系统、 隔油池、化粪池）及其输送管道以及事故应急池。 一般防渗区主要为：锅炉房、变电站、生产区路面等地。 非防渗区主要为：办公大楼、员工停车场和自行车停车棚。 根据现场勘查，项目业主已针对重点防渗区和一般防渗区采用了相应的防渗措 施，具体如下： （一）对重点污染区防渗措施：（一）对重点污染区防渗措施： 1、芯片生产厂房作业场所、动力厂房、芯片生产厂房作业场所、动力厂房：地面全部采用环氧树脂进行防渗、防 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 16 腐处理；在涉及使用或暂存液态化学品的区域均设置承漏沟，并对承漏沟进行防渗 处理。 2、化学品库（包括化学品库一和化学品库二）、化学品库（包括化学品库一和化学品库二）：地面全部采用环氧树脂进行 防腐、防渗处理；并在库内设置承漏沟及自动抽水泵，当化学品发生泄漏时，可进 入承漏沟中，此时抽水泵会自动启动，将废水抽入到废水处理系统进行处理。承漏 沟中均有环氧地面涂层，防止液体的渗漏。 3、硅烷站、油泵房、硅烷站、油泵房(oph)、柴油发电机房、柴油发电机房(dg6)：硅烷站地面全部采用环氧树 脂进行防渗处理；油泵房和柴油发电机房储罐周围地面全部采用环氧树脂进行防渗 处理，同时设置承漏沟，并对承漏沟进行防渗处理； 4、废水处理设施、废水输送管道及事故应急池、废水处理设施、废水输送管道及事故应急池：所有废水处理构筑物底、侧 面均采用环氧树脂进行防渗、防腐处理；设置的事故应急池均做防渗、防腐处理。 定期对废水处理设施、废水输送管道及事故应急池进行检查，确保消除跑、冒、滴、 漏现象发生。 5、废液暂存间、危险废物暂存库、废液暂存间、危险废物暂存库：废液暂存间地面进行防渗、防腐处理，同 时设置承漏沟，并对承漏沟进行防渗处理；对危废暂存库进行防雨、防渗、防腐 “三防”处理，在建设过程中已做到以下相关要求：已参照危险废物贮存污染控制 标准（gb 18597-2001）要求进行，地面采用坚固、防渗、耐腐蚀的环氧树脂材 料建造，设置承漏沟，并设有自动泵，可将承漏沟内的溶液抽至废水处理系统；废 液槽周边设漏液侦测器并连接到监控系统；所有地面及承漏沟内进行了防渗处理。 通过上述措施可使重点污染防治区各单元防渗层渗透系数10-10cm/s。 （二）对一般污染区防渗措施：（二）对一般污染区防渗措施： 一般防渗区地面采取了粘土铺底，再在上层铺 1015cm 的水泥进行硬化。通过 上述措施使一般污染区各单元防渗层渗透系数10-7cm/s。 综上所述，在采取上述防渗、防腐处理措施后，项目对地下水基本不会造成明 显影响。 3.1.3废气排放及治理废气排放及治理措施措施 3.1.3.1 废气污染源分析废气污染源分析 由于项目调整前后所涉及生产工艺大致项目，调整前后产生的废气种类一致。 本调整项目建成投产后，产生的废气主要包括酸性废气、碱性废气、工艺尾气、 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 17 有机废气和锅炉烟气。现有工程的 fab12a 厂房在设计废气处理能力时已预留足够 能力，本次调整项目在 fab12a 厂房内建设，调整项目产生的废气全部依托 fab12a 厂房现有废气处理系统，不需新增废气处理设备。 3.1.3.2 废气处理系统废气处理系统 根据废气性质，将废气处理系统分为一般性废气（废热）排风系统、酸性废气 处理系统、碱性废气处理系统和有机废气处理系统。 3.1.3.3 废气污染物排放及治理情况废气污染物排放及治理情况 一、一般废气（废热）排风系统一、一般废气（废热）排风系统 该系统排放一般的废气和高温排风，不需经处理而直接排放。 二、酸性废气二、酸性废气 酸性废气拟设置碱液喷淋塔进行处理，处理后由 32m 排气筒排放，酸性废气 经洗涤塔处理达到大气污染物综合排放标准（gb16297-1996）二级标准后排入 大气。 三、碱性废气三、碱性废气 碱性废气拟设置酸液喷淋塔进行处理，处理后由 32m 排气筒排放，碱性废气 经洗涤塔处理达到恶臭污染物排放标准（gb14554-93）相应标准后。 四、有机废气四、有机废气 有机废气拟设置沸石浓缩转轮+焚化炉处理系统进行处理，处理后由 32m 高排 气筒排放。 根据本调整项目建设方案，参照现有工程竣工验收监测结果，类比调研国内同 类企业废气污染物排放情况，同时结合物料衡算的方法，统计出本调整项目的酸性 废气、碱性废气、有机废气中主要污染物处理及排放情况见下表： 表表 3-3 本次调整项目（本次调整项目（6 万片万片/月）新增废气主要污染物处理及排放情况表月）新增废气主要污染物处理及排放情况表 处理后 排放标准 废气 种类 排风量 m3/h 污染物 浓度(mg/m3) 速率 (kg/h) 浓度 mg/m3 速率 kg/h 硫酸雾3.04 0.67 4510.0 氟化物1.85 0.41 9.00.67 氯化氢2.01 0.44 1001.64 氯气0.24 0.05 651.28 酸性废气220,000 nox8.95 1.97 2405.02 碱性废气36,000nh32.46 0.09 /22.8* 有机废气60000非甲烷7.50 0.42 12062.4 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 18 总烃 注：*排放标准执行恶臭污染物排放标准（gb14554-93）；其它排放执行大气污染物综 合排放标准（gb 16297-1996）表2的二级标准。 从表中可见，本调整项目外排废气均得到有效处理，做到达标排放。 表表 3-4 调整项目建成后全厂废气污染物排放情况调整项目建成后全厂废气污染物排放情况(7.5 万片万片/月月) 污染物排放量 (t/a) 项目 硫酸雾氟化物氯化氢氯气noxnh3 非甲烷总 烃 现有工程(1.5 万片/月) 4.132 2.194 2.869 0.336 9.198 0.573 3.795 本调整项目 (6 万片/月) 5.780 3.525 3.826 0.448 15.307 0.764 3.629 调整后全厂 (7.5 万片/月) 9.912 5.718 6.695 0.784 24.505 1.336 7.423 五、工艺尾气排放及处置措施五、工艺尾气排放及处置措施 对于在芯片生产过程中产生的工艺尾气，本调整项目的工艺尾气拟采取两级处 理措施，在机台尾部采用区域性废气处理系统（local scrubber）处理后再纳入酸性 废气处理系统，通过中央湿式洗涤处理设备作进一步处理，最终由 32 米排气筒排 放。 根据本调整项目特殊气体的工艺反应和尾气的排放特点，采用物料衡算的方法， 计算出本调整项目外排的工艺尾气中特殊污染物的排放浓度，参照荷兰排放导则 （ner）的排放控制要求比较见表 3-5。由表中可见，经处理后特殊污染物能达到 荷兰排放导则（ner）中相应排放控制要求。 表表 3-5 工艺尾气中特殊污染物排放浓度工艺尾气中特殊污染物排放浓度 本 项 目 排 放 情 况 荷兰排放导则 （ner） 序号名称 排放量 （kg/h） 设备净化装置 尾气出口浓度 （mg/m3） 酸碱废气处 理系统排放 浓度 （mg/m3） 排放浓度 （mg/m3 ） 排放速率 （kg/h） 1硅烷0.00694 1.286 0.00047 50.05 2磷烷0.00028 0.156 0.00006 10.01 3砷烷0.00018 0.097 0.00004 10.01 3.1.3.4 锅炉烟气锅炉烟气 本次调整项目锅炉房拟新增 1 台 4200 kw 燃气（油）热水锅炉，主要污染物 为氮氧化物、二氧化硫和烟尘，经锅炉房 23m 高的烟囱排放。 燃气锅炉烟气排放情况见表 3-6。 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 19 表表 3-6 锅炉烟气排放情况统计（燃天然气时）锅炉烟气排放情况统计（燃天然气时） 排 放 参 数 排气筒 数 量 高度(m) 污染物 名 称 排放 浓度(mg/m3) 评价 标准 (mg/m3) 达标 情况 烟 尘12.1950达标 二氧化硫1.52100达标123 氮氧化物186.9400达标 表表 3-7 锅炉烟气排放情况统计（燃用备用燃料：轻质柴油时）锅炉烟气排放情况统计（燃用备用燃料：轻质柴油时） 排 放 参 数 排气筒 数 量 高度(m) 污染物 名 称 排 放 浓 度 (mg/m3) 排 放 标 准 (mg/m3) 达 标 情 况 烟 尘12.41100达标 二氧化硫295.29500达标123 氮氧化物138.96400达标 从表中可见，锅炉烟气排放能达到锅炉大气污染物排放标准gb 13271- 2001）二类区域标准（第时段）。 3.1.4噪声产生及防治措施噪声产生及防治措施 本调整项目新增部分生产设备，动力辅助设备大部分依托现有工程，调整项目 主要噪声源为新增的动力设备。废气处理系统和废水处理系统等均依托现有工程， 动力辅助设备仅扩能锅炉系统、冷冻水系统、常温冷却水系统、纯水系统、真空系 统、备用电源系统、变压系统等。 公司通过采用以下减噪措施可大大降低本调整项目噪声的影响： 1、优化设备选型，合理布置总平； 2、所有风机、柴油发电机等产噪设备基础设橡胶隔振垫，以减振降噪； 3、新增大部分动力设备安装在密闭的动力厂房内，厂房墙体起到了明显的隔 声降噪作用； 4、空调设备所有空调器的风机带减振底座； 5、空压机四周加隔声板；设备基础设计减振台，管道进出口加柔性软接。 6、选用振动、噪声符合国家标准的水泵设备与冷却塔。合理布置总平，尽量 使用远离厂界。 武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本 20 通过上述隔声、减振等降噪措施后，本调整项目厂界处噪声排放可达到工业 企业厂界环境噪声排放标准（gb12348-2008）3 类标准要求。 3.1.5固体废弃物产生及处置情况固体废弃物产生及处置情况 本调整项目(6 万片/月)建成投产后，固体废物的产生及处置情况列表 3-8： 表表 3-8 调整项目废弃物排放统计表调整项目废弃物排放统计表 废物 类别 废弃物名称废物鉴别 调整项目产生量 （t/a，6.0 万片/月) 处置去向 硫酸废液hw34493 磷酸废液hw34171 黄石凯程环保开发 有限公司 spin etch d废液 （h3po4、hno3、h2so4 、hf） hw34121 hna废液（hf、hno3 ch3cooh） hw34201 氢氟酸废液hw34649 湖北永绍科技有限 公司 硫酸铜废液hw2264.8 武汉汉氏资源循环 利用有限公司 废光刻胶hw4221 废光阻稀释液hw4282 混合有机溶剂（丙酮，异 丙醇等） hw4279 蚀刻后残留物去除液hw4282 武汉汉氏环保工程 开发有限公司 化学品空瓶残液及含有害 物质，如抹布等 hw0611 华新环境工程（武 穴）有限公司 化学品空桶(有机类)hw0693 武汉鑫朗环保有限 责任公司 化学品空桶(硫酸、硝酸、 盐酸、氨水、双氧水类) hw34/hw3594原厂回收 化学品空桶（氢氟酸）hw3475 黄石凯程环保开发 有限公司 含砷废物（含砷过滤芯）hw242.1原厂回收 危险 废弃 物 硫酸铵废液hw34897 黄石凯程环保开发 有