集成电路测试员鉴定试题三级PartlyResult.pdfVIP

一、填空题。得分： 答题说明：请将正确答案的选项填写在相应括号中，每空 2 分，共 30 分，多选、错选均不得分。 1、集成电路即“IC” ，俗称“芯片” ，按功能不同可分为 数字 集成电路和 模拟 集成电路。按导 电类型可分为 双极 型集成电路和 单极 型集成电路，前者频率特性好，但功耗较大，而且制作 工艺复杂，不利于大规模集成；后者工作速度低，但输人阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于 大规模集成。 2、按照所要达到的目的，可以将集成电路测试分为 4 类： ， ， ，入场测试。 3、DFT 测试的方法包括内部扫描测试、边界扫描测试、内建自测试和静态电流测试。 4、FA 是 失效分析 的缩写。 5、直流参数测试包括 ， ， ，泄漏测试，输出驱动电流测试， 等。 二、不定项选择题。得分： 答题说明：请将正确答案的选项填写在相应括号中，每题 3 分，共 30 分。全正确得满分，多选、 错选均不得分，少选得 1 分。 6、无论是否登记或者投入商业利用，集成电路布图设计自创作完成之日起 年后，不再受集 成电路布图设计保护条例保护。 （ ） A、10 年 B、15 年 C、20 年 7、在 CMOS 集成电路中，以下属于常用电容类型的有（ A、B、C、D ） A、MOS 电容 B、双层多晶硅电容 C、金属多晶硅电容 D、金属金属电容 8、以下属于探针台辅件的是（ ABC ） A、探针卡 B、工具夹 C、防静电环 D、压缩气动源 9、二极管的功能通常不包括（ ） A、整流 B、开关 C、放大 D、限幅 10、下列设备，属于集成电路封装基本工艺设备的有（ ） 。 A、自动引线键合机 B、自动贴片装架机 C、自动划片机 D、递模注塑包封压机 E、切筋成型机 F、离子注入机 12、以下属于集成电路规范文件内容的（ abcdef ） 。 A、功能和参数 B、器件类型 C、制造工艺 D、物理特性 E、环境特性 F、可靠性指标 13、晶圆探针台按晶圆直径分（ ） A、4in 探针台 B、6in 探针台 C、8in 探针台 D、12in 探针台 E、16in 探针台 F、18in 探针台 14、下列封装形式中，属于表面贴装球栅阵列式封装形式是（ ABD ） A、PBGA B、CSP C、CCP D、CBGA 15、晶圆测试内容主要有（ abcdef ） A、芯片功能 B、DC C、极限参数 D、工艺监控参数 E、电路质控参数 F、设计模型参数 三、简答题。得分： 答题说明：请根据题目的要求进行作答，每题 10 分，共 40 分。 16、简述集成电路测试按生产过程先后分类的各种测试名称。 评分要点： 1） 、设计验证测试； 2） 、制造工艺监控测试； 3） 、圆片测试（中测） ； 4） 、成品测试； 5） 、可靠性测试； 6） 、用户测试。 以上每项漏答一个扣 2 分，扣完为止。 17、 简述 Bipolar、CMOS 和 BiCMOS 集成电路的特点。 18、简述 SOC 电子测试系统最基本的功能单元。 评分要点： 1） 、图形发生器（PG） ； 2） 、波形发生器（FP） ； 3） 、引脚电子模块（PE） ； 4） 、直流测试单元（DC） ； 5） 、电压源模块（DPS） ； 6） 、测试控制单元（TC） ； 7）测试周期发生器（TRG） 。 以上每项漏答一个扣 1.5 分，扣完为止。 19、触发器电路如下图所示，试根据 CP 及输入波形画出输出端 Q1 、Q2 的波形。设各触发器的 初始状态均为“0”。 CP A Q1 Q2 Q1 A CP Q2 A CP D Q Q 在 CP=1 的地方 Q1=A，Q2=- A，在 CP=0 的地方，Q1 和 Q2 保持前面的值不变。Q1，Q2 的初始 值分别为 一、填空题。得分： 答题说明：请将正确答案的选项填写在相应括号中，每空 2 分，共 30 分，多选、错选均不得分。 1、 电路时钟逻辑可分为 同步逻辑 和 异步逻辑 。 各时钟之间没有固定的因果关系的是 异步逻 辑 ，各时钟之间具有固定的因果关系的是 同步逻辑 。 2、硅材料分为单晶硅、 和 ，单晶硅又分为 单晶硅和区溶单晶硅。 3、硅单晶片的导电类型可以利用热电、 、 和 等物理效应进行检测。 4、CMOS 反相器的主要性能参数包括 、 、输出电平/电流、传输延迟时 间、 、 。 5、SEM 是 扫描电镜 的英文缩写。 二、不定项选择题。得分： 答题说明：请将正确答案的选项填写在相应括号中，每题 3 分，共 30 分。全正确得满分，多选、 错选均不得分，少选得 1 分。 6、布图设计权利人享有下列专有权（ ） A、对受保护的布图设计的全部或者其中任何具有独创性的部分进行复制 B、将受保护的布图设计、含有该布图设计的集成电路或者含有该集成电路的物品投入商业利用 7、双层多晶硅电容的特点有（ ） A、寄生电容小 B、精度高 C、稳定性好 8、测试硅单晶片电阻率的方法有（ ABCDE ） A、两探针法 B、四探针法 C、C- V 法 D、涡电流法 E、扩展电阻探针法 F、六探针法 9、二极管的性能参数有（ ） A、正向电压 Vf B、反向电流 Ir C、反向击穿电压 BV D、整流效率 Re E、电容量 Co F、反向恢复时间 10、集成电路中常用的二极管有（ ABCF ）二极管。 A、齐纳 B、肖特基 C、PN 结 D、光电 E、变容 F、由三极管接成的二极管 11、CMOS 器件的优点不包括（ CD ） A、功耗极低 B、集成度高 C、电流驱动能力强 D、适合射频 12、下列属于硅片加工工艺流程的是（ ） A、硅单晶棒 B、整形处理 C、定位与切片 D、倒角与磨片 E、腐蚀与抛光 F、清洗与质量检验 13、下列属于典型扁平条引线形外引脚的封装形式是（ ACD ） A、 SOP B、PGA C、QFP D、PLCC 14、运算放大器的重要性能参数大多由输入级决定，如（ ABCDE ）等。 A、输入失调电压 B、输入失调电流 C、共模抑制比 D、输入阻抗 E、输入电压范围 F、总电压增益 15、以下属于用探针阵列卡可以检测的晶圆测试项目的是（ ACD ） A、低速低频的交流参数测试 B、高速的交流测试 C、功能 D、某些极限参数 三、简答题。得分： 答题说明：请根据题目的要求进行作答，每题 10 分，共 40 分。 16、简述硅片制备的加工工艺流程。 17、简述成品芯片测试主要流程。 18、简述集成电路测试故障覆盖率和集成电路测试码的生成方法。 评分要点： 故障覆盖率 R 可反映测试集 T 检测到所有故障的概率，是评估测试集质量的重要指标之一。 故障覆盖率=利用测试集 T 可以检测到的故障数/集成电路中所有故障的集合。 集成电路测试码的生成发放归纳有以下 4 种有效方法： 1） 、穷举/伪穷举测试码；根据输入端的个数或者将电路划分为若干个子电路，将所有可能的输入 向量组合成测试集的方法。 2） 、伪随机测试码；常与故障仿真配合使用，以提高测试生成的效率。 3） 、测试生成算法；根据逻辑电路本身的结构用算法自动生成测试码。 4） 、故障仿真；集成电路进行仿真时，在仿真过程中插入故障，从而出现某一故障的逻辑行为， 称为故障仿真。 以上每答对 1 点得 2 分。 19、简述集成电路运放的 4 个主要组成部分，并画出组成框图和图形符号。 评分要点： 1） 、集成电路运放的 4 个主要组成部分为差动输入级（第一级放大） 、中间级放大（第二级放大） 、 推挽输出级和各级的偏置电路。 、 2） 、组成图： 3） 、运放的图形符号如图： 一、填空题。得分： 答题说明：请将正确答案的选项填写在相应括号中，每空 2 分，共 30 分，多选、错选均不得分。 1、 半导体材料导电性能介于 导体 和 绝缘体 之间，在电子器件中，常用的半导体材料有：元 素半导体，如硅（Si） 、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其 它化合物半导体材料，如硼（B） 、磷（P） 、锢（In）和锑（Sb）等。 2、 按照所要达到的目的，可以将集成电路测试分为：特性测试， ， ， 。 3、 门级电路的基本单元是与， 与门 ，或，或门 ， ，非门 。 4、 半导体载流子主要来源有 本征激发 和 杂质电离 。双极型器件有电子和 空穴 两种载流子 参与导电。 5、 晶圆测试的主要内容包括： 芯片功能测试、 、 、 工艺监控参数、 电路质控参数、 。 二、不定项选择题。得分： 答题说明：请将正确答案的选项填写在相应括号中，每题 3 分，共 30 分。全正确得满分，多选、 错选均不得分，少选得 1 分。 6、 集成电路布图设计自其在世界任何地方首次商业利用之日起 年内， 未向国务院知识产权行 政部门提出登记申请的，国务院知识产权行政部门不再予以登记。 （ ） A、1 年 B、1.5 年 C、2 年 D、5 年 7、芯片的外围四周许多焊盘是（ ACEF ） A、金属铝 B、金属钨 C、探针测试接触点 D、多晶硅 E、健合引线压焊点 F、各自独立的隔离区 8、CMOS 传输门的主要性能参数有（ ） A、静态电流 B、泄漏电流 C、平均传输延迟时间 D、输入电容 E、导通电阻 F、控制端输入电平/电流 9、CMOS 集成电路中，常用电阻类型有（ ） A、源漏扩散电阻 B、阱扩散电阻 C、沟道电阻 D、多晶硅电阻 10、半导体存储器，一般可分为挥发性存储器和非挥发性存储器两类。下列属于非挥发性存储器 的有（ A、C、D ） A、FeRAM B、DRAM C、EEPROM D、Flash Memory 11、集成电路中采用铝膜技术进行互连存在的缺点包括（ A、B ） A、大电流密度时容易发生电迁移 B、具有比较高的寄生电阻和寄生电容 C、制造过程中难以刻蚀成形 D、成本低，与硅和二氧化硅的粘附性好 12、圆硅片边缘有定位边，定位边可用于表述硅片的（ ） A、晶体结构 B、晶向类型 C、导电类型 13、下列属于典型扁平条引线形外引脚的封装形式是（ ACD ） A、 SOP B、PGA C、QFP D、PLCC 14、普通 3 线- 8 线译码器，输入 100，则输出为（ ） A、10000000 B、00010000 C、 00000001 D、00100000 15、放大电路必须具有的放大量是（ ） A、电流 B、电压 C、功率 三、简答题。得分： 答题说明：请根据题目的要求进行作答，每题 10 分，共 40 分。 16、简述测试规范文件的主要内容。 评分要点： 测试规范文件产生于集成电路设计开发阶段，通常包括： 1） 、功能和参数。包括功能特性、参数特性、测试条件、实现算法，I/O 信号的波形、幅度、电 平、时序，时钟频率，数据信号和控制信号等。 2） 、器件类型。 3） 、制造工艺。 4） 、物理特性。 5） 、环境特性。工作温度范围、电源电压、湿度、其他特殊环境要求等。 6） 、可靠性指标。可靠性质量等级、失效率和噪声特性等。 以上每点答对一条 1.5 分，全答对满分。 17、简述晶圆测试中性能参数测试项目的名称及其基本内容。 评分要点： 1） 、直流参数。大规模集成电路的直流参数体系包括所有表征集成电路的电流和电压参数。直流 参数测试包括开路测试、短路测试、输入电流测试、漏电流测试、电源电流测试、閾值电压测试 等。 2） 、功能测