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2015下半年顶级手机cpu对比骁龙810、三星Exynos 7420、联发科MT6795、麒麟935详细解读1、高通骁龙810：由于自主研发的Kryo架构延期，高通在骁龙810上直接采用了ARM的公版架构。具体来看，骁龙810搭载4个2.0GHz主频的Cortex-A57核心和4个1.5GHz主频的Cortex-A53核心；GPU则采用了高通自家的Adreno 430；集成双核SIP，最高可支持5500万像素的摄像头；基带芯片最高可提供LTE CAT6的4G全网通能力；内存控制器可支持双通道LPDDR4（1600MHz），有效带宽25.6GBps，基于20NM工艺制造。至于高通骁龙810发热的原因，现在看来应该是20nm无法控制A57的发热，但在高通骁龙810量产前也只有三星和intel拥有1xNM工艺。2、三星Exynos7420：跳过了20NM工艺，直接豪赌14NM FinFET工艺的三星终于得到了回报。搭载自家Exynos 7420的Galaxy S6、S6 Edge不仅成功避开了骁龙810延期的影响提前上市，而且对于改善三星创新乏力的形象作用显著，实际性能也让发烧的810甘拜下风。从具体架构上来说，Exynos 7420采用4个2.1GHz主频的Cortex-A57核心和4个1.5GHz主频的Cortex-A53核心组成异步大小核架构，GPU部分则采用了八核的Mali-T760 MP8，主频为772MHz，基于14NM FinFET工艺制造，基带芯片能达到LTE CAT6级别，内存控制器可支持双通道LPDDR4（1552MHz），有效内存带宽24.8GBps。3、联发科Helio X10（MT6795）:联发科MT6795依然基于28NM工艺打造，技术上无法搞定相比A53性能提升56%，但功耗同时高出256%的Cortex-A57架构。因此，联发科选择了同时搭载8个Cortex-A53核心，标准版MT6795主频为2.0GHz，高主频版本MT6795T主频则提升到2.2GHz，而且是8核全部可以超频到这一主频。Helio X10GPU依然沿用MT6595上的Power VR G6200，内存控制器支持双通道LPDDR3 933MHz内存，基带芯片速率为LTE CAT4级别，双2000万像素ISP，有效内存带宽为14.9GBps，参数相对上面两位略显平庸。4、海思麒麟930/935：和联发科一样，麒麟930、935也是基于28NM工艺打造，与MT6795不同的是，海思采用4个高主频的A53e核心（930为2.0GHz，935为2.2GHz）和4个1.5GHz低主频的A53核心组成异步八核架构，GPU部分为“祖传”Mali T628 MP4。LTE基带芯片速率达到LTE CAT 6级别，支持海思独家的TAS智能天线调节技术。联发科和海思都选择跳过目前的Cortex-A57，等待台积电的16NM工艺，基于A72架构的麒麟950已经在路上了。市售四款主流旗舰级SoC芯片性能实测看过上面的解析后，SoC芯片究竟如何还是要拉出来实测一把才能知晓。像目前顶级的骁龙810这种级别的旗舰处理器，即使不做优化，日常使用也绝对不会感到明显的卡顿现象。基准跑分测试，早已不再是衡量一款手机流畅与否的标尺，至少不能直接将跑分高与流畅好用划上等号。厂商针对性的优化以及跑分软件自身的因素，也使得跑分本身的说服力大不如前。但对于本次市售主流SoC芯片对比实测来说，相同的测试工具无疑为我们提供了一个统一的标准。测试方法1、CPU、GPU测试选用的软件分别为跨平台权威测试软件GeekBench 3.0以及GFXBench 3.0.32，对于国产手机厂商常用的安兔兔，我们也进行了相应测试。2、持续工作下的稳定性测试，我们使用了更接近日常使用环境测试的StabilityTest（测试项：CLASSIC STABILITY TEST）进行压力测试。3、另外，我们也安排了28分钟的GFXBench电池压力测试，通过连续运行30次高水平的霸王龙场景测试，查看其性能的变动情况，并记录这个过程中的最高温度。该测试更加接近大家日常玩大型3D游戏时的状态。CPU测试GeekBench 3.0 CPU测试分为蓝色的单线程测试以及绿色的多线程测试，单线程性能更能体现日常应用情况，而多线程则对于多任务以及大型3D游戏的运算更加重要。从单线程性能来看，使用了Cortex-A57高性能架构的骁龙810以及Exynos 7420明显超出对手，骁龙810过于严格的发热降频锁核机制限制了它的发挥，Exynos7420则是将A57的性能优势表现的淋漓尽致。也是参测四款SoC中，唯一一个单线程跑分破千的。联发科MT6795以及麒麟935均采用了高主频A53核心，单线程方面，麒麟935凭借高出的200MHz主频略微胜过MT6795，应该与MT6796T性能一致。多线程运算方面，联发科MT6795凭借八个A53核心全部超频的鸡血状态，甚至跑过了三星Exynos 7420，高主频优势明显。而骁龙810在这个过程中，四个A57核心仅仅坚持了几秒钟便相继退出，仅仅依靠四个A53外加偶尔觉醒下的A57勉强支撑，跑分与麒麟935比较趋近。GPU测试如果说CPU能一定程度上影响大型3D游戏等图形、图像多媒体应用的表现，那么GPU则是起着决定性的作用。我们首先抛开分辨率上的差别，让四款SoC都运行在1080P级别下，看一看他们的“离屏”性能。三星Exynos 7420的表现令人印象十分深刻，八核高主频Mali-T760的表现甚至超过了骁龙810引以为豪的Adreno 430。但是，三星S6以及S6 Edge今年都采用了2K分辨率屏幕，增加的像素需要额外耗费一定的资源进行渲染。在实际2K分辨率测试情况下，Exynos 7420 GPU性能下降大约在33左右。联发科和海思的GPU分别与前代魅族MX4上的MT6595以及Mate7上的麒麟925基本一致，联发科的PowerVR G6200实际性能稍好些，麒麟935的GPU由于是祖传，所以.安兔兔跑分在大多数情况下，厂商一般只会公布安兔兔总体跑分情况，在未经过特别优化的情况下，它更多的是反应一款手机的整体状况，其中还包括了存储性能、内存芯片性能等的测试，作为对单纯SoC的衡量，我们还是需要对比看下其中的具体分项测试数据。单纯用总分来描述SoC并不准确。30分钟高强度压力测试在长达30分钟的高强度霸王龙场景测试中，骁龙810的整体性能表现逐步下滑，过程比较平滑，骁龙810的GPU稳定性表现不错，在1080P分辨率状况下，整个过程中运行十分流畅，完全没有卡顿情况。整个过程中的实测最高温度为47.9摄氏度。Exynos 7420在初步的下滑后，在接近20分钟的时间里一直保持惊人的稳定性，再使用了高主频八核Mali-T760的情况下，还能做到这种水平，14NM FinFET的工艺作用的确显著。在实际测试过程中，2K分辨率下的游戏画面也非常流畅，性能绝对够用。整个过程中的实测最高温度为47.3摄氏度。海思935由于祖传GPU，在28分钟的测试过程中，整体表现出台阶式的性能滑坡。在实际测试过程中，海思935的测试画面也是四者中最卡的，整体画面较为拖沓，后期可见比较明显的卡顿，体验较差。整个过程中的实测最高温度为37.5摄氏度。和前面的日常压力下CPU测试一样，联发科MT6795整体波动较大，八核随着时间的延长依次关闭，对性能影响显著。在实际测试过程中，一开始的测试画面整体比较流畅，到测试末期则出现了比较明显的掉帧和拖沓现象。整个过程中的实测最高温度为43.1摄氏度。总结通过上面的全面解析以及多个场景下的测试，我们可以发现在如今的64位架构ARM Cortex-A5X时代，三星凭借着14NM FinFET工艺的巨大优势，充分的释放了A57的高性能优势，GPU部分也大幅补强，这对于今年三星S6、S6 Edge形象提升作用巨大，同时也能够吸引到苹果、高通等大客户的关注。而骁龙810经过厂商们的持续优化，A57带来的过热问题被抑制在合理的范围内，当然CPU性能上难免会有所打折。强大的GPU普遍与1080P屏幕搭配，则充分体现了它在GPU方面的巨大优势，可以说作为一名游戏以及大型应用爱好者，骁龙810仍然是你的不二选择。深受过热问题困扰的高通，已经将未来全部