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图1-2 迄今为止，比较公认的形成中心等轴晶区的方式有三种： 表面细等轴晶的游离； 枝晶的熔断及游离； 液面或凝壳上晶体的沉积。 形成中心等轴晶区的主要原因是由于溶质偏析产生成分过 冷，阻碍了晶体迅速形成稳定的凝壳，并使晶粒或枝晶根部形 成缩颈，在对流作用下，根部带缩颈的晶粒或枝晶脱离模壁或 凝壳，游离到铸锭中心起晶核增殖作用所致。 细化基体相(细化晶粒)； 细化第二相或改变其形态和分布状况 也有人认为：孕育处理 影响生核 变质处理 影响晶体生长过程 例1：Fe作Cu的变质剂 Fe熔点高于Cu 非均质晶核 紫铜含少量Fe，拉制的线材表面很光亮， Fe细化了Cu晶 粒所致。 例2：浇注时加入同类金属的碎粒作变质细化晶粒也是个证明。 例3：铝硅合金中加Na 偏析和吸附作用 Na分布系数K1，易富集在生长晶体的表面，不仅阻碍 其生长，而且降低界面能，促进生核。 变质剂有很多，例如铝合金中常用的变质剂：Zr、Ti、Sr、 RE、Er、Sc；Ti-B、Ti-C、Sc-Zr等等 显微偏析宏观偏析 K 1
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