清华大学微电子半导体物理期末考题 邓宁解读.docx

发信人:blackeye(黑眼),信区:Pretest标题:半导体期末题发信站:FreeE&E(FriJul210:05:201999),转信1.名词解释平带电压；光生伏特效应；电子阻挡层。2.C-V曲线1）解释理想情况的；2）算有功函数差和SI02电荷的平带电压；3）解释有界面态的C-V曲线。3.画异质结能带图，求出Vd和势垒的高度。4.解释本征吸收限；解释直接跃迁吸收，间接跃迁吸收；解释本征吸收限和温度的关系；解释为什么在一定的能量吸收系数陡峭上升。发信人:thirteen(饿红坦克),信区:Pretest标题:田奶奶2005年1月12日考题半导体发信站:自由空间(WedJan1217:32:532005),站内A卷一。选择题1。掺有磷的硅晶体中再掺入硼，电导率的变化如何（变大，变小，不变）2。温度升高，pn结反向电流的变化（大，小，不变）3。光照n型肖特基结，半导体一侧势垒高度变化（大，小，不变），金属一侧的势垒高度的变化（大，小，不变）4。两种半导体除掺杂浓度不同Nd1Nd2，其他都相同，求时间常数的关系（.Ws，将形成（电子阻挡层，电子反阻挡层，空穴阻挡层，空穴反阻挡层）8。空穴与价带顶空态电子的速度（不同，相同），波失（不同，相同）二。简答题1。温度不同，吸收限不同的原因。300k时Ge在0.8eV处吸收系数陡峭上升，原因是什么（见书中P280的图10.7）2。Ge和Si的散射机构是什么？温度升高，分别怎样变化3。准热平衡以及准费米能的含义三。Ge,Si的异质pn结，Ge为p型，Si为n型已知两者的功函数，禁带宽度，X，以及Ef-Ev,Ed-Ef请画出能带图。四。单一受主的p型半导体，试推导：在低温弱电离情况下，dEf/dT的表达式五。n型半导体，失主浓度满足以下关系Nd=No*exp(-x/L)求：1.内建电场表达式2.求电位以及能带图3.证明爱因斯坦关系六。杂质补偿型半导体Si,Na=1015/cm3,Ef与Ed重合，平衡载流子n0=5*1015/cm-3，gd=2,ni=1.5*1010/cm-3，求：1.平衡时少子的浓度2.Si中的施主杂质浓度Nd3.电离杂质和中性杂质的浓度七。-/光照/-x0p型半导体，光照在体内均匀吸收，产生率为G,求n(x)发信人:smallsheep(小羊),信区:Pretest标题:田立林半导体物理2004.1.12发信站:自由空间(WedJan1217:24:452005),站内奶奶这次还算厚道呵呵。简答题：1.解释那个“肩形”图，为什么300K比77K本征吸收限低，为什么会有陡峭上升的那段。2.GeSi中的主要散射结构，他们的散射几率随温度怎么变3.什么是准热平衡，什么是准费米能级。计算：1.推导出底低温弱电离时。只含一种受主的P型Si中EF随温度的变化率。2.ND=N0exp(-x/a),求出电场强度，电势分部，并做图，最后证明爱因斯坦关系。3.4.跟作业类似。不说啦。天空题其它人补充吧。呜.发信人:gshh(我不是牛人),信区:Pretest标题:1字班半导体（微）期末试题（部分）发信站:自由空间(2004年01月03日10:31:17星期六),站内信件一。简要说明pn结势垒电容和扩散电容；简并半导体和非简并半导体光生伏特效应二。填空（不全）1。Si中两种主要散射机构_和_，前者迁移率随温度升高而_，后者迁移率随温度升高而_。2。补偿p型Si，电中性条件。低温弱电离_，强电离_，本征区_3。两个n型半导体形成同型异质结，Egab,WaWb,平衡时，Ec=_,Ev=_,Vd=_，画出能带图。4。半导体中的光吸收类型有_,_,_,_,_三。书上5。7题四。画n型MOSC-V特性曲线1。理想情况，标出平带电容2。考虑功函数，WmWs3。考虑二氧化硅层中的正电荷4。考虑界面态5。已知Wm=4.6eV,Ws=4.3ev,Qi=1012/cm2，Ci=10-7F/cm2,q=1.6*10-19C,求平带电压发信人:gshh(我不是牛人),信区:Pretest标题:Re:1字班半导体（微）期末试题（部分）发信站:自由空间(2004年01月03日12:40:40星期六),站内信件五。MIS能带图(画的不好，见笑了)，给出Ea,Eb,Ec-Ef,Ec-Ei的能量值，其中半导体为GaAs，给了KB*T,ni_|_Ea|_Eb|-EcEfm-|-Ef|-Ei|-Ev-|-|-0dscx1。定性画出半导体部分的电势，以体内为电势零点2。定性画出半导体部分的电场下面为选择题3。半导体是否处于热平衡状态4。GaAs掺杂浓度5。半导体所处状态：积累，平带，耗尽，反型6。外加栅压Vg7。功函数差Vms8。平带电压发信人:Ifisham(阿福),信区:Pretest标题:半导体物理微简答题（2003-1）发信站:自由空间(2003年01月12日10:43:50星期天),站内信件1.什么是施主杂质？2.什么是受主杂质？3.什么是电中性杂志，它的作用？4.缺陷对半导体导电性的影响。单极性半导体CdS中有S2-空位。问他是什么导电类型？如何解释?5.深能级杂质的作用？发信人:Pretest(我是匿名天使),信区:Pretest标题:Re:半导体物理-IM发信站:自由空间(2002年01月10日14:15:50星期四),站内信件2002年1月10日半导体物理考题（A卷）(微)*一、选择（15分）1、下列那种情况下有载流子的净产生？A）在平衡PN结的势垒区中B）在正向PN结的势垒区中C）在反向PN结的势垒区中D）在正向PN结的扩散区中E）在反向PN结的扩散区中2、温度升高，电离杂质散射决定的迁移率将_。A）增大B）减小C）不变D）不确定3、反向偏压增大时，PN结势电容将_。A）增大B）减小C）不变D）不确定4、耗尽层近似是指_。A）n0p0B）n=0p0C）n0p=0D）n=0p=0二、任选3题作简要回答（15分）1、什么是非简并半导体？什么是简并半导体？2、过剩载流子寿命的含义。3、通过霍尔系数的测量能够测定哪些半导体材料系数？4、扩散长度的物理意义。三、证明热平衡PN结费米能级处处相等。（15分）提示：流过热平衡PN结x处的电子电流密度和空穴电流密度均为零。四、图是室温下半导体硅样品的能带图。（20分）1）定性画出半导体中电势随x的变化。2）定性画出半导体中电场随x的变化。3）定性画出半导体中载流子浓度随x的变化。_/_/,-,_Ec_l_l_Ef-_i/-Ei_/_Ec-xABCD五、（20分）光照一n型Si样品，在体内均匀产生过剩载流子。电子-空穴对的产生率为1018/cm3s,设样品的寿命为1s，表面（光照面）的复合速度为200cm/s。1）求过剩少子的分布p(x)；2）单位时间单位面积在表面复合的空穴数。（设样品的厚度载流子扩散长度，kT=0.026ev，空穴迁移率p=500cm2/Vs）六、(15分)Au在Si中存在一个施主能级ED和一个受主能级EA，ED位于禁带下半部，ED-EA=0.35ev，EA位于禁带上半部，EC-EA=0.54ev，现有一掺Au的强n型Si，施主浓度ND=1017/cm3，Au的浓度NAu=1014/cm3。1）求室温费米能级位置；2）光照射该样品并被体内均匀吸收。电子-空穴对产生率G=1022/cm3，计算准费米能级位置。已知：室温：kT=0.026ev,Nc=2.9*1019/cm3,Nv=1.06*1019/cm3；载流子热运动速度Vn=Vp=107cm/s；Si中Au的俘获截面n0=5*10(-16)cm2,p-=10*10(-16)cm2,n+=35*10(-16)cm2,p0=1*10(-16)cm2；本征载流子浓度ni=1.5*1010/cm3；=r/v,n0=1/(rnNr),p0=1/(rpNr)。发信人:mrdragon(小龙|我心中的eileen),信区:Pretest标题:半导体物理（微）发信站:自由空间(2002年06月03日12:52:40星期一),站内信件概念非常的多，需要对物理过程理解的比较好但是基本都是书本上的给几个例子：解释光生伏特效应肖特级结两种理论(电子发射，扩散)C-V曲线(比较不同情况，比如氧化层厚度不同，掺杂不同)解释吸收光谱计算体一般是一道作业师弟师妹们一定要好好做作业亚微所，田立林老师。注重基础概念，精华区里面还有一些题。除此之外，请v7的ggjj们补充。发信人:cyberboy(开水超人),信区:Pretest标题:半导体物理猜题(个人意见,仅供参考,概不负责)发信站:自由空间(2001年06月18日18:11:01星期一),站内信件没有去答疑，自己乱猜的。1.由E-k关系求电子速度，有效质量等东西；2.霍尔效应的计算题；3.画MOS能带图（其它地方不太可能出能带图了），求平带电压、域值电压等，包括解释概念；4.CV特性，温偏法（BT法）；5.光电导的题目，第十章和第五章的结合；6.解释光吸收谱图，比如那个“肩形”。发信人:yeshao(叶少凡事不放弃),信区:Pretest标题:半导体考题发信站:自由空间(2001年06月19日17:59:14星期二),站内信件大题：BT法；然后是一道作业题，10.5吧。名词解释：Si的本征吸收谱；界面态电容；简并半导体；复合吸收截面。然后是n型SiMOS的强反型能带图。题空很多是第二章的东西，有Si,Ge的能带。 读书的好处1、行万里路，读万卷书。2、书山有路勤为径，学海无涯苦作舟。3、读书破万卷，下笔如有神。4、我所学到的任何有价值的知识都是由自学中得来的。达尔文5、少壮不努力，老大徒悲伤。6、黑发不知勤学早，白首方悔读书迟。颜真卿7、宝剑锋从磨砺出，梅花香自苦寒来。8、读书要三到：心到、眼到、口到9、玉不琢、不成器，人不学、不知义。10、一日无书，百事荒废。陈寿11、书