腐蚀工种资质培训教材课件

1,硅料表面处理培训,2010年1月,报告人：史海辉,2,第一部分、基本介绍 1.表面处理车间在公司生产中的作用 2.硅料简介 3.相关化学品安全知识 第二部分、各段工艺简介 1.硅料部酸洗操作规范 2.硅料部硅料浸泡操作规范 3.硅料部碱洗操作规范 4.硅料部超声清洗操作规范 5.硅料部硅料脱水操作规范 6.方棒化学抛光操作规范,主要内容,3,1.表面处理车间在公司生产中的作用?,答：硅料经过腐蚀后，可以把硅料上的金属离子、氧化物及其他无机物质和有机物质清洗干净，保证硅料在下一到工序中不受到其自身杂质的污染，从而提高硅料回收利用率。,第一部分、基本介绍,4,硅：是一种化学元素，它的化学符号是Si，旧称矽（xi）。 原子序数14，相对原子质量28.09，同素异型体有无定形硅和结晶硅。 属于元素周期表上A族的类金属元素。硅在自然界分布极广，地壳 中约含27.6%。 晶体硅为钢灰色，无定形硅为黑色，密度2.4g/cm3，熔点1420，沸 点2355 ，晶体硅属于原子晶体，硬而有光泽，有半导体性质。在 高温下能与氧气等多种元素化合，不溶于水，硝酸和盐酸，溶于氢氟 酸和碱液。在常温下，化学性质非常稳定，除氟化氢以外，很难与其 他物质发生反应。,2.硅料简介,多晶硅：多晶硅为灰色有金属光泽。密度2.322.34。熔点1410 。沸点 2355 。溶于氢氟酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和 石英之间，室温下质脆，切割是易碎裂。加热至800 以上既有延性， 1300 时显出明显变形。高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下， 具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为 重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。,2.1硅基本特性,5,单晶硅：是硅的单晶体。是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。单晶硅可用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电体。在超纯单晶硅中掺入微量的IIIA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成P型硅半导体；如掺入微量的VA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成N型硅半导体。,2.2半导体基本概念及性质,半导体阻态：半导体分为高阻态、低阻态。在电阻非常高的状态通常看作电阻无限大，这种状态称为高阻态；相反我们称之为低阻态，它的电阻接近零。通过检测，呈现高阻态的半导体材料，我们称为高阻材料，简称高阻，同一半导体材料，部分呈现高阻态，部分呈现低阻态（重掺），我们称之为局部重掺。,重掺：在半导体中，加入导电元素后的材料，以加入的比例不同分为轻掺杂、 中掺杂和重掺杂。,6,空穴：是自由电子跑掉后留在原地的正电荷，空穴的移动其本质是自由电子的 移动，只是一种等效的概念，实际是不存在的。,半导体的极性（导电类型）：在半导体硅晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N型半导体。两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，这种半导体我们成为P/N混合型半导体材料。半导体极性分为：P型、N型、P/N混合型。 P型半导体中空穴导电，空穴带正（Positive）电荷； N型半导体中电子导电，电子带负（Negative）电荷。,7,头尾料分类 头尾料原料中，通常含有杂质，如：小料、脏料、碎粉、垃圾等，除去上述硅料我们对头尾料进行如下分类： 来源自产料、外买料 阻态高阻、重掺、局部重掺 生产来料边皮料、头尾料、头尾片、碎晶棒、 吊肩料等 极性P型、N型、P/N混合型 头尾料分类介绍 边皮料：切方过程中产生的废硅料。 头尾料：切断过程中产生的废硅料。 头尾片：切片过程中产生的废硅料。 头尾料：切断过程中产生的废硅料。 碎晶棒：报废的单晶硅棒敲碎的硅料。 吊肩料：拉晶过程中，未充分融化而报废的硅料 脏料：含有石英，石墨等杂物的硅料 小料：直径小于10mm的碎硅片 碎粉：直径小于3mm的硅料,2.3回收硅料介绍,头尾料：在拉晶、切断及切方过程中，产生的不合格硅料。,定义,8,可循环使用作为单晶生产原料。这种硅料多含有石英、石墨、石墨杂质，直径小于10mm的埚底料称为埚底小料或埚底料颗粒。 按硅料来源、阻态、极性对埚底料进行如下分类： 阻态：高阻、重掺、局部重掺 极性：P型、N型、P/N混合型,埚底料：在单晶硅棒（拉晶）生产过程中，在拉晶的内壁表面、单晶炉石英坩埚表面附着、残留的硅料，称为埚底料，,定义,多晶硅料介绍,1.多晶硅分类 生产工艺来料：多晶边体料、多晶底料、多晶顶料、多晶硅块等。 半导体阻态：高阻、重掺、局部重掺。 极性：P型 N型 2.多晶硅料分类介绍 多晶边体料：硅锭周围切下的硅料 多晶顶料：硅块顶部自上往下被切5mm的硅料 块状多晶硅：直径大余10mm的多晶硅料 多晶硅颗粒：直径小于10mm，大于3mm的多晶硅料 多晶硅碎粉：直径小于3mm的多晶硅料,9,3.相关化学品安全知识,氢氟酸：对皮肤有强烈的腐蚀作用。灼伤初期皮肤潮红、干燥。创面苍白，坏死，继而呈紫黑色或灰黑色。深部灼伤或处理不当时，可形成难以愈合的深溃疡，损及骨膜和骨质。本品灼伤疼痛剧烈。眼接触高浓度本品可引起角膜穿孔。接触其蒸气，可发生支气管炎、肺炎等。慢性影响：眼和上呼吸道刺激症状，或有鼻衄，嗅觉减退。可有牙齿酸蚀症。骨骼线异常与工业性氟病少见。,硝酸：其蒸气有刺激作用，引起眼和上呼吸道刺激症状，如流泪、咽喉刺激感、呛咳，并伴有头痛、头晕、胸闷等。口服引起腹部剧痛，严重者可有胃穿孔、腹膜炎、喉痉挛、肾损害、休克以及窒息。皮肤接触引起灼伤。慢性影响：长期接触可引起牙齿酸蚀症。,丙酮：急性中毒主要表现为对中枢神经系统的麻醉作用，出现乏力、恶心、头痛、头晕、易激动。重者发生呕吐、气急、痉挛，甚至昏迷。对眼、鼻、喉有刺激性。口服后，先有口唇、咽喉有烧灼感，后出现口干、呕吐、昏迷、酸中毒和酮症。慢性影响：长期接触该品出现眩晕、灼烧感、咽炎、支气管炎、乏力、易激动等。皮肤长期反复接触可致皮炎。,10,乙醇：为中枢神经系统抑制剂。首先引起兴奋，随后抑制。急性中毒： 急性中毒多发生于口服。一般可分为兴奋、催眠、麻醉、窒息四阶段。 患者进入第三或第四阶段，出现意识丧失、瞳孔扩大、呼吸不规律、 休克、心力循环衰竭及呼吸停止。慢性影响：在生产中长期接触高浓 度本品可引起鼻、眼、粘膜刺激症状，以及头痛、头晕、疲乏、易激 动、震颤、恶心等。长期酗洒可引起多发性神经病、慢性胃炎、脂肪 肝、肝硬化、心肌损害及器质性精神病等。皮肤长期接触可引起干燥、 脱屑、皲裂和皮炎。,冰醋酸：对眼睛健康的影响有强烈的刺激作用。液体或气体会使视力 严重损伤或导致视力丧失。含量在10%以上的水溶液会引起严重的结膜 刺激和角膜损伤,对皮肤健康的影响会对皮肤造成严重的化学烧伤。 误吞后对健康的影响吞咽后可能会有如下后果:腐蚀口腔,喉咙和 消化 道。吸入后对健康的影响当口腔中含量达到15ppm时可能有下面一些 危害:鼻子,喉咙和呼吸道受到刺激.含量升高会有如下危害:严重刺激鼻子, 喉咙和呼吸道。,氢氧化钠：有强烈刺激和腐蚀性。粉尘刺激眼和呼吸道，腐蚀鼻中隔；直接接触皮肤和眼睛可引起灼伤；误服可造成消化道灼伤，粘膜糜烂、出血和休克。,11,第二部分、各段工艺简介,表面处理车间工艺流程图,12,1.硅料部酸洗操作规范,工艺流程,作业前准备：,1.按照表面处理车间的规定穿防酸服、戴防酸手套和防酸面罩、口罩等必要劳保用品； 2.工具：量杯、棒、酸洗槽、酸洗花篮、百洁布、锤子、 制程标识卡； 3.化学品：电子级氢氟酸、电子级硝酸、洗衣粉、丙酮、酒精； 4.按要求检查是否有安全隐患存在（手套是否完好，通风设备处于开启的状态，酸洗槽、量杯无泄漏，风机吸风量是否正常），确认无误后方能开始操作；,13,、将片状硅料碎料，碎硅片不能有超过整片1/4（防止 叠片，影响酸洗效果）； 、用刀片划开块状原生硅包装袋，观察是否存在体积过 大不便酸洗的原生硅，使用榔头将其砸碎； 、将同一批次的大料与小料分开装入3016.5H(mm) 聚丙烯花篮； 、装料时，大料不能超过花篮体积的2/3、片料、小料 不能超过花篮体积的1/3； 、大料的碎粉和颗粒硅料必须用细眼花篮装料，避免硅 料的流失； 、边皮料使用500L360W270H（mm）的专用花篮 装料，装料量不得 超过花篮体积的1/3； 、将有裂纹的块状料挑出，戴上护具（面罩、双层劳保 手套）从裂纹处敲碎，以防酸渍残留裂缝；,装料：,14,根据不同硅料、季节、温度的变化调节腐蚀液的配比（具体如下），用5000毫升的塑料量杯量取酸液，倒入580L390W230H（mm）的酸洗槽，混酸倒入不宜过多（不超过45升，边皮料不超过40升），以防酸液洗硅料时溢出。并将混酸搅拌均匀，准备酸洗硅料。 A、块状料：HF（电子级氢氟酸）:HNO3（电子级硝酸） =1:31:10（体积比） 推荐比例（夏天1：8 春秋天1：6 冬天1：4） 边皮料推荐比例：（夏天1：10 春秋天1：8 冬天1：6） B、片状料（IC级碎硅片，循环利用单晶、多晶氧碳含量测试片）、小料（粒径5mm至10mm）：HF（电子级氢氟酸）:HNO3（电子级硝酸）=1:101:20（体积比） 推荐比例（夏天1：18 春秋天1：15 冬天1：10） C、碎粉（粒径小于5mm）：采用浸泡工艺 HF（电子级氢氟酸） 浸泡12-24小时 D、籽晶（抛光过）：HF（电子级氢氟酸）:HNO3（电子级硝酸）=1:41:10（体积比） E、外观无杂质干净自产单、多晶碎硅片： HF（电子级氢氟酸）：H2O（电子级高纯水）=1：21：4（体积比）,配制溶液：,15,将装有硅料的花篮迅速放入酸洗槽中，动作不宜过大以防酸液溅出； 在酸洗硅料过程中，操作人员使用22（mm）聚四氟乙烯棒（PTFE）或PP棒，搅动硅料，块状料以翻动为宜，片料则须均匀搅动，增加表面腐蚀的均匀性，防止粘连，达不到腐蚀效果； 根据硅料的大小、环境温度控制酸洗时间在2090秒钟，（随酸液温度降低和升高适当作增加和减少调整，酸洗操作人员必须学会观察以便掌控合适酸洗时间，外表面含有较多杂质的特采硅料可适当延长酸洗时间）； 根据不同的硅料，操作人员必须学会观察以便掌控硅料合适的腐蚀程度，以硅料表面光亮为准，避免造成过度腐蚀，增加硅料损耗 随着酸洗硅料数量的增加，酸液的腐蚀硅料性能逐渐下降，操作者应根据硅料与酸的实际情况（硅料酸洗60秒钟以上，表面仍不光亮），决定是否添加HF(电子级氢氟酸)，或将酸液报废回收，更换新酸（添加三次新氢氟酸之后）； 保持酸液洁净不允许有杂物，一批硅料酸洗完成后，及时清理酸液中的碎粉；,酸洗：,16,冲洗槽准备好干净而且流动的高纯水，水流量保持适中；酸洗完成后，迅速将花篮从酸液中提出，并立刻浸入冲洗槽内，（花篮从腐蚀槽移至清洗槽的时间越短越好，一般应控制在2秒以内）不停转动和晃动花篮，不断冲洗，清除残留酸液；同时观察硅料表面是否光亮，有无水迹斑痕等，一旦发现个别硅料有上述现象则须挑出重新酸洗；,冲洗：,通常直接酸洗的物料：,A、原生多晶硅（碳头料除外）； B、单晶循环料：单晶头尾料（不包括头尾片）、单晶硅棒、单晶样片、边皮料、单晶吊肩料、外观无杂质干净自产单晶碎硅片（硅片分选工艺产生废料）； C、多晶循环料：多晶顶料、多晶中料（不包括头尾片）、多晶边体料、多晶样片、多晶顶皮料、外观无杂质干净自产多晶碎硅片（硅片分选工艺产生废料）； D、混合料：观察混合各个组分是否满足直接酸洗的条件；,17,将过完水的硅料装入纱网，称重，再超声清洗；,装料、称重 ：,过水：,、打开排水阀、进水阀，准备好流动的高纯水； 、将花篮过两道三级溢流水槽，六个水槽依次过水，确保高纯水浸没硅料处于； 、过水过程中，操作人员需要仔细检查硅料表面是否有污渍，表面有蓝雾、白雾，或有酸氧化，出现上述情况，须将硅料挑出重新酸洗； 、将硅料过传递窗水槽； 、硅料不宜停留在水中过长时间；,18,2.硅料部硅料浸泡操作规范,工艺流程,准备工作：,按规定穿好防酸服、耐酸碱胶靴（必要时鞋内再穿一双一次性鞋套以防胶鞋漏水）、系好防酸围裙、戴好防护面罩和防毒面罩；并戴四双手套：从里到外分别为一次性手套、妙洁手套、防酸手套和塑料手套； 检查浸泡池是否完好，有无漏酸、漏水现象，并对浸泡池进行清洗以确保浸泡池的洁净，确保浸泡作业前浸泡池一定要清洁，无杂质、垃圾； 将浸泡柜通风阀门打开，开启室外浸泡间风机，调解变频器，将吸风量调大，确保室内透风量充足（浸泡车间内氟化氢气体浓度低于环保限值），防止由于通风不畅而从浸泡池内溢出的酸雾在空气中无法散出导致作业员中毒；,19,对领来的硅料确认品名、批号、重量等是否与物料卡相符；将待浸泡的硅料装入浸泡花篮，放入浸泡花篮的硅片不得有超过1/4的整片大小，防止硅片叠合而影响浸泡效果；,装料：,打开浸泡柜移门、浸泡槽盖板，将载有硅料的花篮放入浸泡槽；拧开酸桶盖，将酸液桶倾斜，酸液均匀流出，流入浸泡槽中，倒入的酸液需盖过浸泡花篮中的硅料，酸液盖过硅料高度3-4厘米为佳，用盖板将浸泡槽盖严实、防止泄漏关闭，浸泡槽移门，调解变频器，减少风机吸风量，防止酸液挥发过快；作好相应浸泡记录：要求品名、物料批号、重量、浸泡时间、浸泡池编号、所用酸（酸名和次数）等准确无误；,浸泡：,20,按照各种硅料的自身特点或操作工艺要求进行浸泡作业。各种硅料的浸泡工艺要求具体参见下表,注：对于外观无杂质的干净自产多晶碎硅片、自产单晶碎硅片、抛光片、样片、头尾片无须浸泡可直接碱洗。 浸泡过程动作不宜过大，以防酸液溅出灼伤； 泡埚底料酸液使用四次后必须报废，泡碎硅片、碎料的酸液可以使用4-6次；,21,打开浸泡槽盖板，捞出少许硅料使用自来水冲洗、仔细检查检查硅料表面石英、表面沾污是否已被去除干净。若达不到要求，则延长浸泡时间，并根据实际情况决定是否添加新酸；,出料：,过水冲洗：,拧开冲洗槽自来水阀门（开启角度小于60），将完成浸泡的硅料放入冲洗槽，自来水不断冲洗硅料，不时搅动、翻动硅料。并观察硅料是否浸泡到位（表面光亮、无石英）。冲洗时间1-4分钟，使用试纸测试水质pH=7；,22,3.硅料部碱洗操作规范,工艺流程,按照表面处理车间的规定穿防酸碱服、戴防酸 碱手套和防酸面罩等必要劳保用品； 化学品：工业用氢氧化钠； 工具：长柄漏勺、短柄漏勺、泡酸槽、pH试纸、电子秤、周转箱、标识卡； 仔细检查碱埚、漏勺、纱网等辅料是否有生锈、损坏； 将未使用碱洗工位的通风阀关闭，以增加通风量（建议碱洗时只用一个工位）； 按要求检查是否有安全隐患存在（水、通风设备），确认无误后方能开始；,作业准备 ：,23,称取12-15公斤硅料投入碱埚内，并使用长柄漏勺将硅料摊平； 使用电子秤称取片碱用量，投入碱锅中，拧开阀门加入自来水，根据硅片脏污程度，确定腐蚀液的配比浓度（重量）（所配制碱液的容量不得超过碱埚容积的70%）； 通常碱腐蚀液的配比度为： 自产碎硅片碱的浓度为20%30%； （1公斤片碱碱洗硅料3-5公斤） IC级碎硅片（做母合金用）碱的浓度为60%80%； （1公斤片碱碱洗硅料3-5公斤）,配置溶液：,24,使用漏勺均匀搅拌硅料，碱洗过程中要使硅料均匀反应防止粘连； 根据不同的硅料的、碱液浓度控制碱洗时间，通常自产碎硅片碱洗时间在14分钟（以表面光亮无杂质为准）、IC级碎硅片碱洗时间，在沸腾的碱液中碱洗150-160秒（即碱液沸腾之后，再碱洗150-160秒；并不是仅仅只碱洗150-160秒）； 反应随碱液浓度降低和升高适当作增加和减少调整，碱洗操作人员必须学会观察以便掌控合适碱洗时间，以便掌控硅料合适的腐蚀程度，避免造成过度腐蚀，增加硅料损耗； 碱洗过程中适时加水，防止碱液暴沸、干锅现象发生； 用短柄漏勺捞起硅料、用水冲洗后看硅料表面是否光亮无杂质（如表面仍有沾污，则延长碱洗时间）； 使用漏勺将硅料捞出、装入纱网； 打开碱埚阀门、将碱液排放，并将碱埚底部的硅料捞出、装入纱网；,碱洗去层：,25,单槽冲洗槽准备好干净流动的自来水，水的流量适中（自来水阀开启角度小于60）； 将完成碱洗的硅料投入纱网，硅料在冲洗槽中，冲洗12分钟，并搅动、翻动硅料以达到除去残碱的目的； 将硅料依次过两个三槽溢流水，过水过程中上下抖动纱网，使硅料充分润湿，过最后一个溢流槽（超声前一个溢流槽）水质不能浑浊，用试纸测试pH值小于9；,过水、冲洗：,26,将过完水的硅料在清洗槽中清洗干净残碱后进行超声； 超声波机中硅料堆放厚度不超过8厘米，头尾片、样片重量不得超过30公斤，碎硅片重量不得超过20公斤；详细参见硅料部超声清洗点检规范、硅料部超声清洗操作规范；,超声去残碱：,注意：换水时间不计算在超声时间之内，经过碱洗的所有硅料都须超声； 完成碱洗作业后，用pH计测试超声波槽内水的pH值小于7.5；,超声时间表：,27,将超声波内脏水放尽，用高纯水漂洗硅片后过酸液； 厚度小于250m的碎硅片 使用氢氟酸浸泡：在稀酸浸泡槽中稀释2-3倍的的氢氟酸（电子级氢氟酸）溶液（使用高纯水稀释），将硅片放入浸泡槽内浸泡1-2分钟，并搅拌硅片避免叠片。 IC级单晶碎硅片、多晶样片、单晶样片、头尾片使用HF（电子级氢氟酸）：HNO3（电子级氢氟酸）=1：1520（体积比）的混酸进行酸泡30-40秒。 注意：氢氟酸中一旦漂浮白色硅胶生成物或氢氟酸pH值大于4（试纸测试），立即更换氢氟酸详细参见硅料部酸洗操作规范；,酸浸泡：,28,4.硅料部超声清洗操作规范,工艺流程,准备工作：,作业人员在作业前需按规定穿好洁净服、耐酸碱胶鞋、戴好防水围裙、PVC家用手套和口罩； 检查纯水总阀门（粗管）开启角度是否在5060；检查纯水回水阀门（细管）是否保持开启的状态（禁止关闭）；,29,参照硅料部超声设备点检规范，点检超声波清洗设备。一旦超声波清洗机出现故障、或超声功率衰减，应立即停止使用该机器并做设备已坏标识；,设备点检：,清洗槽清洁、加水：,将超声波清洗槽内清洗过后的水排尽、残留的碎硅料打扫干净后，方可进行加水超声作业。加入水的量至超声波溢流口，超声波清洗机所使用的水必须是电阻率在 15.3Mcm（电导率0.065 s/cm）以上的高纯水(级电子级水)，禁止用自来水或淡水替代超洗；,30,各种硅料超声时间表,31,将硅料投入清洗槽中，并把硅料摊平，确定高纯水完全覆盖硅料后，拧开“启动开关”开始超声清洗。每隔4分钟将硅料全部翻动或搅拌一次。超声清洗6-10分钟，待设定时间到后清洗机自动停机，拧开排水阀、溢流阀将槽内已用过的清洗水排放尽； 拧开进水阀门重新加入高纯水，至盖过硅料2-3厘米的位置。再次进行超声清洗。每隔3分钟翻动硅料一次。6-10分钟以后，待设定时间到后清洗机自动停机，拧开排水阀、溢流阀将槽内已用过的清洗水排放尽； 重复步骤2直至硅料超声清洗次数达到规定要求；（按照硅料超声时间表操作） 注：换水时间不计算在超声时间之内，每次换水作业前必须先停机，再放水。清洗槽数与换水次数之间关系：换水次数+1次=清洗槽数，（如换水次数2次，则清洗槽数3次即要清洗3槽水）；超声波槽内硅料（大料）的堆积厚度不得超过20厘米（重量不得超过45公斤），碎硅片堆积厚度不得超过8厘米（重量不得超过30公斤），加入高纯水的高度盖过清洗物2-3厘米，且清洗过程中不允许有硅料漂浮在水面；,超声清洗 ：,32,使用电导率分析仪检验清洗槽内水的电导率是否大于0.3 s/cm。如果电导率读数大于此数值则重新超声清洗，再次测试洗槽内水的电导率，直至电导率小于0.3s/cm；,水质检验 ：,取料、漂洗：,待水质检测合格后，放水、移走硅料。拧开单级溢流槽高纯水阀门（开启角度小于60），并保持溢流槽内高纯水处于流动状态。将完成超声工艺的硅料依次过两个单级溢流槽。过水过程中，要抖动纱网，使得硅料与水充分接触。清洗槽的高纯水水质不能出现浑浊；,33,5.硅料部硅料脱水操作规范,工艺流程,34,1、操作员按规定穿好洁净服和雨鞋，戴好口罩和帆布手套、袖套手套； 2、将烘箱的电源、鼓风、加热、定时、报警、备用开关全部打开，并将温度控制仪的和温度保护仪的温度设定为110 ( 已设定好，禁止随意修改)； 3、检查烘箱通风口是否通风正常（可使用风速计精确检测）； 4、检查盛放硅料的尼龙网是否有破损，如有破损则更换新的尼龙网； 5、检查花篮是否脱胶，如有脱胶更换新的花篮；花篮一旦出现掉粉现象，说明花篮已经老化，应停止使用，并更换花篮； 6、工具：AVM-01型 风速计、烘箱花篮、烘车、隔热手套、丝光毛巾、风枪、电子秤、尼龙网；,准备工作,35,两人合作，每人拿住尼龙网相邻的两个角，将已完成超声清洗的硅料（小料、碎硅片、碎粉）放入干燥机内胆，并摆布均匀；（硅料重量不得超过15千克） 摆弄好尼龙网，避免盖子压到尼龙网，盖上上热式干燥机盖子，将旋钮拧到“1”或“2”的位置，转筒转动开始工作，声音均匀，无噪音。时间60-120秒后，将旋钮拧到“0”的位置， 脚踏刹车，让转筒迅速停下；（在起动转筒时可先转动一下电动机，反复两次后再进入正常动转，以利转筒内硅料趋于均匀） 将盛有块状料的尼龙网放入烘箱花篮内。将硅料摊开、并使用风枪逐一吹扫硅料，以减少硅料所带水量。第一次吹扫完成后，将硅料摆布均匀（边皮料排插好），并控制硅料堆积高度（不超过15）再次使用风枪吹扫；,甩干/吹干：,36,同一批次硅料需邻近堆放，装载重量轻的花篮尽量放在上层，装载重量重的花篮放在下层，以便搬运，装料从下到上依次移走花篮；小批量硅料用细眼花篮装好，再放入花篮。细眼花篮不