V300R006GMK6DBRU单板硬件详细设计报告(中射频.docVIP

G3BTS3012V300R006 GMK6DBRU Single Board Low Level Design(IRF Part)G3BTS3012V300R006 GMK6DBRU 单板硬件详细设计报告（中射频）绝密Product name产品名称Confidentiality level密级BTS3012机密Product version产品版本Total 96 pages 共96页V300R006G3BTS3012V300R006 GMK6DBRU Single Board Low Level Design(IRF Part)G3BTS3012V300R006 GMK6DBRU 单板硬件详细设计报告（中射频）Prepared by拟制潘晓军、牟亚尼、邵珠法、卢峰、贺国秋Date日期2007-05-15Reviewed by审核人薛裕胜Date日期yyyy-mm-ddReviewed by审核人伍令Date日期yyyy-mm-ddAuthorized by批准许智宇Date日期yyyy-mm-ddHuawei Technologies Co., Ltd. 华为技术有限公司All rights reserved版权所有 侵权必究修订记录日期修订版本描述作者2007-05-151.0初稿完成（评审归档）潘晓军、牟亚尼、邵珠法、卢峰、贺国秋yyyy-mm-dd1.1修改XXX作者名yyyy-mm-dd1.2修改XXX作者名yyyy-mm-dd2.0修改XXX作者名目 录G3BTS3012V300R006 GMK6DBRU Single Board Low Level Design(IRF Part)1G3BTS3012V300R006 GMK6DBRU 单板硬件详细设计报告（中射频）1Huawei Technologies Co., Ltd.11概述101.1背景101.1.1该文档对应的单板硬件正式名称和版本号；101.1.2单板功能电路划分、作用、采用的标准。101.2单板功能描述141.2.1GMK6DBRU单板中频通道功能描述141.2.2GMK6DBRU单板射频发射通道功能描述141.2.3GMK6DBRU单板射频接收通道功能描述141.2.4GMK6DBRU单板频率源功能描述141.2.5GMK6DBRU单板环测功能描述141.2.6GMK6DBRU功率放大功能描述151.2.7GMK6DBRU单板电源151.3单板运行环境说明151.4重要性能指标151.5单板功耗191.6必要的预备知识(可选)202关键器件203单板各单元详细说明203.1GMK6DBRU 单板功能框图划分203.2单元详细描述213.2.1中频单元213.2.2发射单元303.2.3频率源单元363.2.4功率放大单元493.2.5接收单元623.3单元间配合描述723.3.1总线设计723.3.2单板上电、复位设计733.3.3各单元间的时序关系733.3.4单板整体可测试性设计743.3.5软件加载方式说明743.3.6基本逻辑和大规模逻辑加载方式说明743.4单板内部基带、中频、射频和功放之间的接口743.4.1软件接口813.4.2大规模逻辑接口823.4.3调测接口823.4.4用户接口824单板电源设计824.1电源供电结构图824.2实现方式834.2.1小信号部分电源设计834.2.2功放部分电源设计855单板可靠性和维护性综合设计说明865.1可靠性设计865.1.1产品规格书文件中对本板的可靠性指标要求：865.1.2单板失效率（FITs）估算表，1FIT110exp(-9) （1/h）865.2单板可维护性设计875.2.1故障定位率875.2.2单板故障管理设计875.2.3单板可维护性设计说明875.2.4MTTR（平均修复时间）估计值及依据875.2.5单板自检和上报功能方案875.2.6单板及部件更换/现场调试可达性实现方案885.2.7防差错设计和标识方法885.2.8维修操作中对设备本身及人身安全保障的设计885.2.9易损部件的通用性和互换性886单板信号完整性设计说明887器件应用可靠性设计说明887.1单板器件可靠应用分析887.2器件工程可靠性需求符合度分析897.2.1器件质量可靠性要求897.2.2机械应力907.2.3可加工性907.2.4电应力907.2.5环境应力907.2.6温度应力917.2.7寿命及可维护性917.3固有失效率较高器件改进对策917.4上、下电过程分析917.4.1上下电浪涌917.4.2器件的上下电要求917.5器件可靠应用薄弱点分析917.6器件离散及最坏情况分析918单板热设计说明919EMC、ESD、防护及安规设计说明929.1ESD设计929.2EMC设计929.2.1一般原则：929.2.2功放部分939.3安规设计939.3.1单板上的电路类型939.3.2安规器件939.3.3外部接口949.3.4设计原则和其它说明9410单板工艺设计说明9410.1PCB工艺设计9410.1.1功放部分说明9410.2工艺路线设计9510.3工艺互连可靠性分析9510.4元器件工艺解决方案9610.5单板工艺结构设计9610.6新工艺详细设计方案9611单板结构设计说明9612其他9613附件96表目录表1功放单元功能列表15表2发射小信号部分性能指标描述表（含环测功能）15表3接收部分性能指标描述表17表4单板下行输出口性能指标19表5中频上行模块接口信号列表21表6中频下行模块接口信号列表25表7功放功率检测和功放静态电流检测模块接口信号列表28表8功放栅压控制模块接口信号列表30表9GMK6DBRU 发射通道与接口信号定义32表10Max2059主要参数33表11ADL5372的主要参数33表12本振杂散电平要求36表13频率源单元与基带单元接口39表14发射频合指标设计规格表40表15接收频合指标设计规格表40表16发射本振通道电平分配41表17接收本振通道电平分配43表18功放单元与其它单元接口信号表50表19接收单元与其他单元的接口64表20射频接收通道器件典型指标67表21射频接收通道链路预算（典型值，输入信号电平-15dBm）67表22射频接收通道链路预算（典型值，输入信号电平-26dBm）68表23射频接收通道器件参数（增益最低，噪声系数最大，OP1dB最低）68表24射频接收通道链路预算（最大噪声系数，输入信号电平-15dBm）68表25射频接收通道链路预算（最大噪声系数，输入信号电平-26dBm）69表26射频接收通道器件参数（增益最高，OP1dB最低）69表27射频接收通道链路预算（最大增益、最低器件OP1dB，输入信号电平-15dBm）70表28射频接收通道链路预算（最大增益、最低器件OP1dB，输入信号电平-26dBm）70表29考虑倒易混频时的灵敏度指标71表30双混频器MAX9995的杂散抑制指标71表31单板内部所有接口列表74表32BL1117和LP2951的主要参数表:83表33器件可靠性应用隐患分析表88图目录图1GMK6DBRU 单板总体框图11图2GMK6DBRU RF单板总体实现框图20图3AD6650配置写时序23图4AD6650配置回读时序24图5AD6650串行输出时序24图6DAC2904输入时序27图7重建滤波电路28图8功放功率和功放静态电流检测电路29图9AD5325的电路实现30图10GMK6DBRU单板RF发射小信号部分框图(单载波)31图11max2059的内部结构示意图32图12发射通道结构图33图13发射通道原理图34图1452MHz时钟驱动、分配电路框图37图15收发本振电路38图16发射频综电路42图17发射频综的环路滤波电路仿真结果43图18接收频综电路44图19接收频综的环路滤波电路仿真结果45图20环测104MHz参考时钟电路46图21环测104MHz参考时钟的滤波电路46图22环测104MHz参考时钟的实际模型滤波电路仿真结果47图23时钟驱动、分配电路48图24时钟输入信号分配的波形图48图25功放功能框图49图26射频放大通道关键器件和指标分配52图27射频放大通道的链路预算52图28射频通道的链路预算示意图；53图29射频合路构成框图54图30开关连接器结构图55图313dB电桥指标55图323dB电桥PCB安装方式56图33功率放大器数字偏置57图34电流检测电路58图35耦合输出功率检波电路58图36温度补偿电路及其仿真结果59图37电缆开路告警电路60图38基站配置示意图61图39接收机总体模块框图63图40接收机模块框图63图41接收通道射频部分电路65图42接收通道中频电路图66图43射频接收通道链路预算模型67图44DBUS连接图73图45单板电源结构树83图46BL1117可调压版本功能框图84图47关键器件的5V实现电路84图48PLL的电源实现电路85G3BTS3012V300R006 GMK6DBRU Single Board Low Level Design(IRF Part)G3BTS3012V300R006 GMK6DBRU 单板硬件详细设计报告（中射频）关键词：GSM1800、BTS3012、DBRU、GMSK、8PSK、IQ调制、频率源、锁相环、跳频、功分、增益控制、灵敏度、噪声系数、功放、IP3、RF、LO、IF、SPDT、SCP、TRX、DSP、CUI、DVGA、PBT摘 要：GMK6DBRU是GSM1800 BTS3012 GSM/EDGE双载波系统，主要由电源单元、基带单元和中射频小信号单元和功放单元组成。射频小信号部分由相对独立的两个收发载波组成。发射单元首将基带单元送来的I&Q信号一次上变频到发射频点上，经DVGA放大，功率放大，直接送到天馈系统发射出去。或者两个载波功率采用PBT的方式合路，再送到天馈系统发射出去；同时具有22个功率等级控制功能。接收部分将天线接收下来的微弱信号，经滤波放大分路后，送入双混频器下变频至71MHz，滤波后，送入基带单元解调出I/Q信号进行数字信号处理。中射频小信号单元由中频单元、发射单元、接收单元和频率源单元四个部分组成。环测功能由DVGA自身集成的混频器与其它电路配合完成。缩略语清单：缩略语英文全名中文解释EDGEEnhanced Data Rates For GSM Evolution增强数据速率的GSM演进方案BTSBase Station Transceiver System基站收发信机系统DBRUDouble Baseband and RF Unit双基带射频单元LOLocal Oscillator本振LNALow Noise Amplifier低噪声放大器PLLPhase Lock Loop锁相环GPRSGeneral Packet Radio Services通用无线分组业务TRXTransceiver收发信机CDUCombining and Distribution Unit合分路单元EVMError Vector Magnitude矢量幅度误差OOSOrigin Offset Suppress原点偏移抑制PAPower Amplifier功放RXMMain Receiver主集接收RXDDiversity Receiver分集接收1 概述1.1 背景1.1.1 该文档对应的单板硬件正式名称和版本号；单板名称：GMK6DBRU VER.A，GSM1800M 双密度基带射频单元；版本号：V300R006。1.1.2 单板功能电路划分、作用、采用的标准。1. 位置、作用GMK6DBRU单板包括中射频小信号、功放、基带和电源四部分，单板把以前旧版本中分立模块实现的电源、小信号、功放等整合到一块单板上，集成度大大提高。各功能模块在单板上的相对位置和关系如下图1所示 电 源基带RXM1RXD1RXM2RXD2AD6650AD6650DA2904DA2904TX1TX2PA1PA1中频TXPLLRXPLL图1 GMK6DBRU 单板总体框图2. 采用的标准文件1） 遵循的主要GSM标准EDGE系统遵循的主要GSM/EDGE标准完整罗列如下：l 3GPP TS 03.64：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network General Packet Radio Service（GPRS）Overall description of the GPRS radio interfacel 3GPP TS 04.60：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network General Packet Radio Service（GPRS）；Mobile Station(MS)-Base Station System(BSS) interface ;Radio Link Control/Medium Access Control(RLC/MAC) protocoll 3GPP TS 05.01：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE ,Digital cellular telecommunications system(Phase 2+);Physical layer on the radio path ;General descriptionl 3GPP TS 05.02：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network ;Multiplexing and multiple access on the radio pathl 3GPP TS 05.03：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network; Channel codingl 3GPP TS 05.04：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network ,Digital cellular telecommunications system(Phase 2+) Modulationl 3GPP TS 05.05：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Radio transmission and receptionl 3GPP TS 05.08：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Radio subsystem link controll 3GPP TS 05.09：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Link Adaptationl 3GPP TS 05.10：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Digital cellular telecommunications system(Phase 2+) Radio subsystem synchronizationl 3GPP TS 05.14：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Release Independent Frequency Bands Implementation Guidelinesl GSM 05.22；Digital cellular telecommunications system (Phase 2+), Radio limk management in hierarchical networksl GSM 05.50；Digital cellular telecommunications system (Phase 2+); Background for Radio Frequency (RF) requirementsl 3GPP TS 08.51：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Base Station Controller-Base Transceiver Station (BSC-BTS) interface, General aspectsl 3GPP TS 08.52：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Base Station Controller-Base Transceiver Station (BSC-BTS) interface, interface principlesl 3GPP TS 08.54：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Base Station Controller-Base Transceiver Station (BSC-BTS) interface, Layer 1 structure of physical circuitsl 3GPP TS 08.56：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Base Station Controller-Base Transceiver Station (BSC-BTS) interface, Layer 2 specificationl 3GPP TS 08.52：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Base Station Controller-Base Transceiver Station (BSC-BTS) interface, Layer 3 specificationl 3GPP TS 08.52：3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Base Station Controller-Base Transceiver Station (BSC-BTS) interface, Layer 3 specification2） 其他行业标准a） 防护标准l IEC 61000-4-5 Eletromagnetic compatibility(EMC)-Part 4:Testing and measurement techniques-Section 5:Surge immunity testl ETS 300 386 Electromagnetic compatibility and Radio spectrum Matters(ERM); Telecommunication network equipment; ElectroMagnetic Compatibility(EMC)requirementsl ITU-T K.20 Resistibility of telecommunication equipment installed in a telecommunications centre to overvoltages and overcurrentsl ITU-T K.44 Resistibility tests for telecommunication equipment exposed to overvoltages and overcurrentsl IEC 61024-1(1993) Protection of structures against lightningl ITU-T K.41 Resistibility of internal interfaces of telecommunication centres surge overvoltagesb） 安全标准l 安全设计需满足UL60950、IEC60950、EN60950、AS/NZS60950等安全标准c） 环境需遵循的标准：3） 内部标准l 通信产品元器件可靠性降额准则DKBA1151-2002.094） 外部标准：l 工作气候适应性(温度）：IEC 68-2-1/IEC 68-2-2l 工作气候适应性（湿度）：IEC68-2-30；l 运输和存贮气候适应性（温度）：IEC 68-2-1/IEC 68-2-21.2 单板功能描述1.2.1 GMK6DBRU单板中频通道功能描述GMK6DBRU中频部分包括ADC上行模块（AD6650）、DAC下行模块（DAC2904）、功放功率检测和功放静态电流检测模块(AD7866)、功放栅压控制模块(AD5325)四个模块。DAC把基带送来的信号转换为模拟IQ输出至射频调制器；AD6650完成一个载频的接收主分集的中频信号处理，输出2倍符号速率的24bit基带IQ数据送到DSP进行均衡解调处理；功率检测电路把射频检波过来的电压信号经AD转换后送给基带处理；功放栅压控制电路检测功率放大器的静态工作电流，反馈给基带处理，基带对静态电流进行调整。1.2.2 GMK6DBRU单板射频发射通道功能描述GMK6DBRU单板发射通道采用直接变频方案。首先由FPGA产生GMSK/8PSK已调数字IQ信号，送给DAC产生模拟I/Q信号，通过调制器直接把I/Q信号调制到GSM发射频段，发射信号经滤波放大后推动功放产生60W/GMSK或40W/8PSK两路输出功率信号，或经合路电桥合并为一路，再经过射频前端单元的双工滤波器送往天线发射出去。载频外部合路单元DCOM，只在载频内部合路器已经使用，并且还需再次合路时使用。1.2.3 GMK6DBRU单板射频接收通道功能描述天线接收的信号，经射频前端的低噪声放大器放大后，经DDPU送到载频接收输入端。在载频内接收通道仅通过一次下变频到中频频段211MHz，再经中频声表滤波器滤波后送到基带接收中频处理单元进行AGC放大、IQ解调、基带IQ采样和数字处理。1.2.4 GMK6DBRU单板频率源功能描述GMK6DBRU单板由两载波组成，所以其频率源由三部分组成，分别为二个发射射频频率源、二个接收射频频率源、一个52MHz时钟频率源。其功能是完成协议规定的正常输出频点以及实现协议规定的时隙跳频。单板使用的频综是快锁型的，跳频的实现是由频综在保护时隙内完成，所以频综数量就减少了一半。1.2.5 GMK6DBRU单板环测功能描述GMK6DBRU单板发射通道环回测试功能的实现，环测信号取自IQ调制器的输出，采用DVGA芯片中集成的混频器，通过在环测时隙选通DVGA内部开关控制，省去了原电路中的两个射频开关和一级本振驱动放大器。同时采用参考时钟的二次谐波替代环测本振，发射频段RF信号衰减到一定的电平，再将此信号搬移104MHz到相应的接收频段，通过耦合器将环回的测试信号耦合到主分集接收通道进行接收处理。为了减少功耗以及环测频率源带来的干扰以及环测功能主要起维护作用，所以载波正常工作时，关断环测功能电路，防止带来单板干扰。1.2.6 GMK6DBRU功率放大功能描述功放主要实现以下功能：将DBRU发射单元输出的两路TXA、TXB信号分别放大到所需要的功率等级，输出给双工器，通过天馈口发射出去；或者将放大后的信号进行功率合成，将功率从合路口输出给双工器，再通过天馈口发射出去。主要功能如下所示：表1 功放单元功能列表序号描述1放大TRX输出的小信号到需要的功率电平2实现A，B通道的功率合成3实现A，B通道前向功率检测，A+B通道合路隔离端功率检测4实现A，B及A+B通道射频输出电缆连接状态的检测5实现单板温度检测，IIC接口6实现功放栅压的数字偏置1.2.7 GMK6DBRU单板电源GMK6DBRU单板采用-48V电源，采用电源砖转换为27V，其中一路提供给功放使用。另外支路使用开关电源转换到6.3V和3.3V。其中射频使用6.3V电源，6.3V由线性电压转换器转换为5V提供给max2058、max9985、SKY9985等关键器件。1.3 单板运行环境说明GMK6DBRU单板射频子系统使用的环境温度：-565；1.4 重要性能指标表2 发射小信号部分性能指标描述表（含环测功能）规格名称规格指标备注工作频率1805MHz1880MHz增益常温：1.50.5dB高低温：1.5+1/-2dB输出功率GMSK：常温（0等级）：14.52.5dBm常温（8分贝衰减，0等级）：6.52.5dBm高低温（0等级）：14.53.0dBm；8PSK：常温（0等级）：8.02.5dBm常温（8分贝衰减，0等级）：0.02.5dBm高低温（0等级）：8.03.0dBmAQM调制输出典型值GMSK：4.00.5dBm8PSK：-2.50.5 dBm输出底噪声-96dBm/100KHz（带内）AQM调制输出-106dBmP1dB 8PSK功率回退不小于5dB全温，任何功率等级下RMS EVM2%OOS40dB调制谱频点M900M1800GMSK8PSKGMSK8PSK100kHz 0.5dBc0.5dBc0.5dBc0.5dBc200kHz-36dBc-36dBc-36dBc-36dBc250kHz-41dBc-40dBc-41dBc-40dBc400KHz-70 dBc-66 dBc-70 dBc-66 dBc600kHz1200kHz-80 dBc-80 dBc-80 dBc-80 dBc1200kHz1800kHz-85dBc-85dBc-85dBc-85dBc切换谱400KHz-63dBc-60dBc-58dBc-60dBc600KHz-73dBc-70dBc-65dBc-70dBc1200KHz-80dBc-75dBc-80dBc-75dBc1800KHz-80dBc-75dBc-80dBc-75dBc发射频综积分相位噪声1(RMS)Integrated from 10Hz to 100kHz发射频综相位噪声-125dBc600kHz-125dBc1200kHz-130dBc1.8MHz-157dBc6MHz包络满足协议要求静态动态功率控制等级动态静态共22级，每级2dB两发射通道间隔离80dB环测电平-70dBm3dB（GMSK） -72dBm3dB（8PSK）在RXM1，RXD1，RXM2，RXD2测试端口环测误码率TCH/fs BER 0.0% （GMSK） PDCH DBLER 0.0% （8PSK）系统测试表3 接收部分性能指标描述表规格名称规格指标备注工作频率1710MHz1785MHz中频频率211MHz增 益33dB全温范围噪声系数12dB全温范围输出1dB压缩点4dBm10dBm输入1dB压缩点0dBm输入IP3（中频声表前）14dBm接收频综积分相位噪声1(RMS)Integrated from 10Hz to 100kHz接收频综相位噪声-139.5dBc600kHz-149.5dBc800kHz-149.5dBc1MHz-152.5dBc3MHz最小输入信号电平GMSK：-95dBm8PSK：-78.5dBm最大输入信号电平GMSK:5.5dBm8PSK:-5.5 dBmCW:7.5 dBm模拟中频抑制要求|f-fo|=+/-200kHz3dBf0=211MHz|f-fo|=+/-400kHz30dB|f-fo|=+/-600kHz35dB800kHz|f-fo|1.6MHz40dB1.6MHz|f-fo|3MHz40dB3.MHz|f-fo|45dB高阶抑制特性m(RF) n(LO)RF电平抑制度要求(-5)5-12dBm80dB(-4)4-12dBm80dB(-4)5-12dBm80dB(-3)3-12dBm78dB(-2)2-20dBm70dB2(-2)-23dBm60dB3(-3)-12dBm78dB4(-4)-12dBm80dB5(-5)-12dBm80dB(-2)3-30dBm70dB(-1)3-62dBm23dB1(-2)-62dBm19dB镜像抑制要求20dB载频间中频通道隔离度55dB（混频器前35dB）表4 单板下行输出口性能指标规格名称指标要求频率1805-1880MHz输出功率常温单载频：GMSK 480.4dBm，8PSK 46.20.4dBmPBT合路：GMSK 490.4dBm，8PSK 480.4dBm全温功率误差1dB增益常温：43.5+/-2.5dB，全温：43.5+4/-5dB底噪34%（常温典型值）40W EDGE：28%（常温典型值）EVM功放恶化3%（RMS，EDGE/40W）OOS-45dBc调制谱Edge/40W：400KHz/-59 dBc；600kHz/-73dBcGSM/60W：400KHz/-63dBc；600kHz/-73dBc切换谱Edge/40W：400KHz/-53 dBc；600kHz/-61dBcGSM/60W：400KHz/-53 dBc；600kHz/-61dBc（比协议好3dBc）杂散带内杂散：45dB异频合路互调-73dBc检波04.5V，线性检波40mv/dB，动态60dB端口驻波2000V1.5 单板功耗单板采用6.3V供电，射频小信号部分工作电流典型值4.2A，功耗26.46W；工作电流最大值4.5A，功耗28.35W；系统指标要求功放电源最大功耗300W，单路功放150W。1.6 必要的预备知识(可选)2 关键器件如果单板总体方案中说明已经充分，本节不再说明。3 单板各单元详细说明3.1 GMK6DBRU 单板功能框图划分DBRU基带和中频处理单元射频前端DAFUDTRU射频单元双工器DACAD6650APCPLL控 制发射跳频射频本振接收跳频射频本振频率源单元DACAD6650环测本振DBRU发射单元DBRU接收单元分路器分路器ANTAANTBDPAU功放单元合路检波DDPUDCOM低噪放TMATMA天馈DBRU射频和功放单元去DTMU双工器FPGA/DSP图2 GMK6DBRU RF单板总体实现框图GMK6DBRU IRF部分如图2所示包括中频单元、发射单元、接收单元、频率源单元、功放单元（包含检波），与旧版本单板不同，环测功能由集成器件完成。GMK6DBRU IRF部分的原理：中频单元中的DAC把基带送来的信号转换为模拟I&Q信号，送入发射单元的AQM调制器，直接变频至DCS1800发射频段，然后经过DVGA放大输出至功放。环测信号由原来的在功放输出端取信号改为在DVGA输入端口取信号，经过与DVGA自身集成的混频器下变频至接收频点输入到接收通道，由基带进行处理判断上下行通道环路是否正常。 功放单元完成下行信号的放大、合路以及检波等。功放将DVGA送来的小信号放大到60W/40W GMSK /EDGE经过CDU单元送往天线，同时取出功放输出的正向耦合信号进行检波，检波电压反馈回基带处理单元。功放可以两个载波单独输出，也可以合路输出，即PBT功能。功放输出端有功率检测电路，完成单载波或合路输出功率的控制功能。输出端还有通路通断检测功能。接收单元把DDPU送来的上行信号放大并一次下变频到中频211MHz，经过声表滤波器后送到中频单元的AD6650处理后，输入到基带处理。频率源单元有三部分组成，分别为2个发射频率源、2个接收频率源和52MHz时钟源。频综采用了具有快锁功能的ADF4193+VCO的结构，因此在跳频时发射不在需要开关，接收频综部分开关数量也减少了。3.2 单元详细描述3.2.1 中频单元1. 上行模块1） 功能描述上行模块包括2片AD6650和FPGA部分，完成上行2载波接收处理。AD6650接收射频部分送过来的主分集中频信号，输入的中频信号进入AD6650，AGC根据信号的大小调整增益后送到混频器进行下变频得到基带信号IQ信号。ADC对基带IQ信号采样后送到数字滤波器滤波，滤除噪声和干扰。每一片AD6650完成一个载波的主分集模拟IQ解调，模数转换，数据抽取和并串转换。在FPGA部分中将每2路AD6650输入的数据进行合路，经过时序调整之后送到DSP的McBSP0和McBSP1,其中主集数据接McBSP0，分集数据接McBSP1。FPGA采用异步接口，用26MHz时钟去采样该数据，可以满足接口时序要求。FPGA与DSP之间采用McBSP接口，需要将其中2个载波数据进行合路。每个AD6650 送出两路串行输出的速率为26MHz的数据，FPGA通过主分集合算法，扔掉一半数据，输出26MHz的主分集合并数据送到DSP。DSP接收到基带IQ解调信号后，进行信道估计处理，通过EMIF口传送给SD6151进行解调处理。2） 与其他单元的接口中频上行模块接口信号如下表所示。表5 中频上行模块接口信号列表信号名流向关系信号说明详细说明6650D0AD6650FPGAA/B通道AD6650数据总线LVCMOS6650D1AD6650FPGAA/B通道AD6650数据总线LVCMOS6650D2AD6650FPGAA/B通道AD6650数据总线LVCMOS6650D3AD6650FPGAA/B通道AD6650数据总线LVCMOS6650D4AD6650FPGAA/B通道AD6650数据总线LVCMOS6650D5AD6650FPGAA/B通道AD6650数据总线LVCMOS6650D6AD6650FPGAA/B通道AD6650数据总线LVCMOS6650D7AD6650FPGAA/B通道AD6650数据总线LVCMOS6650A0AD6650-FPGAA/B通道AD6650地址总线LVCMOS6650A1AD6650-FPGAA/B通道AD6650地址总线LVCMOS6650A2AD6650-FPGAA/B通道AD6650地址总线LVCMOSNA_6650CSAD6650-FPGAA通道AD6650片选信号LVCMOSNA_6650RDAD6650-FPGAA通道AD6650读写信号LVCMOSNA_6650WRAD6650-FPGAA通道AD6650写信号LVCMOSNA_6650ACKAD6650FPGAA通道AD6650应答信号LVCMOSNA_6650RSTAD6650-FPGAA通道AD6650复位信号LVCMOSA_6650SYNCAD6650FPGAA通道AD6650串行输出时钟LVCMOSA_6650SDFSAD6650-FPGAA通道AD6650帧同步信号LVCMOSA_6650SD0AD6650-FPGAA通道AD6650串行输出数据LVCMOSA_6650SD1AD6650-FPGAA通道AD6650串行输出数据LVCMOSA_6650DRAD6650-FPGAA通道AD6650数据准备标志LVCMOSNB_6650CSAD6650-FPGAB通道AD6650片选信号LVCMOSNB_6650RDAD6650-FPGAB通道AD6650读写