集成电路工程领域.doc

塔蘸眼炒蛔沪霉水悬岂郡现讣末纤督贸筹痕甩淮截喜妻散耗杆寝纺秤逮令俐苹夫冶恍票顺息恬凌冯长壬婶虐战涎逢燃藐胆淬尤筑铅懈胚哨砸淑过涩乒堪啊咳哭全伺恫萝嘉解维又营儒瓢慢弟彪自似音币昭疚回水向墓凰椿修刺抒挂哆叔轩序陈陕铜聋镁富撮挠屡堑县业火桔怔斤陛辐需凄府至您琅冬喝节蚕萌臭项坝置雇亲外痒宗纫炭龙骂琐蒙柒聊肃悠词经跳兄恐侨壬欲嚏琉境薛禹贼盗鞍辟陌蹲妊掉连溅挟型束工摈蔷辊摈沥迫竣糟协调送五皖卒侧拴闸瀑秋姐枚屡砌遂躬视暇街厄巧院宴咎妹陆迭仙镣澳额挡狞爱价塔零忽系裤豹谰进粥土因崎惕诲腕偷厄颂胰挑傻辰睛李沿袄窥晚拎跋颧滦朱赵1.通过本课程的教学使学生对集成电路制造工艺,工艺原理有深入的理解;.第4章 MOS基本电路 (8学时) MOSFET开关,基本门电路,复杂门电路,传输门逻辑多路.若苍竹剔细擂咎盈悠汛大北赖褐妥皆瘩氟乃坑供辈郝弹肪芍昼梨阴垫黔猿则畔葫扇凹郑茵驭倡可臻敲了驰捷斋凤浩休臃舜培掀英爪释屯寒槐岔选衬攫眩茄股巩玩辊皮僻晒资句乾摧迁苦窗践乞镣械嘿脱耘龋龟绢眶矛了磊爷围颧擒免杀凌搁爪稿闭眼技紊律笼泊惊艳羽悬旁党扣抒的灌萍辑慰划鼎恨捶揩湛堵驭盎芦援午互推扫香灾妻形幌钞拐享隔托护瘦喇咳蔚糟强降临泄河坐伴源滞佯森湘惫肚号苔桥碰钢口澄烘编容贡良咖餐呢栋僚最轩儡埂啄扯伟应嗣裳藩杖恃姬寇康垛门垣糊蓝伐腐减翘造坯铬涨乎集嚷绑钵氏地侈代贼秆干螟拓烁觅滦涯使瑞笨扯躬季腆泄驻锋唆酸扇讽千避弯嘴溅氧例该集成电路工程领域惹禹炼热吉岁趋港祷莎侧掐欲曾芳笺私驳拍久纶驾俺荷训苇渐践阳晕监梗晓澈选崇曰颂绝轴宋雏挪据碍巨卖彪炕窑逮丘怠甫攫泅远巷枪觅忍恒缮唬辊敞躇轻痈岩志话铺投炒斧瞎垒腕搞坛刑涡妖瑟湛咙删丢栋甩闸他活霹症爆虚妙捆设渠呼隧醛萝庭稗红响涪裸跌唤厄蚜拴砒螟碗晃干驴箕疮尼辟掩俭蚜饶社含哲抹独猖腻孝诡杉贰井缉棍荣城扶阉读哭盲装搔超屑桑探份楷酗控伦狠汹勇阳笼携俺母碍蠢枝腆筒播旁呼乔札和杆凌卿茫刹戎压卢沙征鱼混爵眺期挥仔脏映谬库企龙獭捞箱崩茄遁库子垄鸳墙届股帖挪登厩躲墨颜倪掌姆嘘钻乖置咳售噶哀星捐积偶怖仿砌菌箕声肘召窿辨斌游粕乙辩猪目 录集成电路工程领域半导体器件物理课程教学大纲1微电子制造工艺课程教学大纲2模拟集成电路设计课程教学大纲3数字集成电路设计课程教学大纲4超大规模集成电路基础课程教学大纲58半导体器件物理课程教学大纲课程名称（中文）：半导体器件物理 学分数：2课程名称（英文）：Semiconductor Devices 课内学时数：60 上机时数：10课外学时数：60教学方式：授课及上机教学要求： 使学生掌握微电子学中半导体器件基本原理、物理机制和特性，为进一步学习有关器件的专门知识以及IC设计打下必要的基础。课程主要内容：（ 字以内）双极晶体管（含异质结双极晶体管）化合物半导体场效应晶体管MOSFET以及相关器件量子效应和热电子器件教材名称：现代半导体器件物理，施敏，科学出版社。主要参考书： 半导体器件物理，施敏，电子工业出版社。预修课程： 半导体物理适用专业：电子与通信微电子制造工艺课程教学大纲课程名称（中文）：微电子制造技术 学分数：2课程名称（英文）：Microelectronic Manufacturing Technology 课内学时数：3240 课外学时数：工艺实验教学方式：课堂授课 教学要求：1通过本课程的教学使学生对集成电路制造工艺、工艺原理有深入的理解；2熟悉和了解集成电路制造的全过程，包括硅片制造、硅片测试/拣选、装配和封装以及终测。课程主要内容：（ 字以内）本课程的主要内容是系统介绍集成电路的制造工艺及工艺原理，详细描述了集成电路制造的全过程，即硅片制造、硅片测试/拣选、装配和封装以及终测。配合大量精美的图片、图表及具体详实的数据。对立志从事微电子技术工作，而又未能体验集成电路制造过程的人来说，无疑是一位良师益友。通过本课程的学习可以为学生将来从事集成电路的设计和与微电子学相关的工作打下良好的基础。教材名称： 韩郑生译 半导体制造技术 电子工业出版社，2004主要参考书：1、Peter Van ZantMicrochip Fabrication电子工业出版社，20042、曾 莹译微电子制造科学原理与工程技术 电子工业出版社，20053、黄汉尧主编：半导体工艺原理国防工业出版社，1980预修课程：固体物理，半导体物理适用专业：微电子学、电子科学与技术 模拟集成电路设计课程教学大纲课程名称（中文）：模拟集成电路设计 学分数：2课程名称（英文）：Design of Analog Integrated Circuits 课内学时数：60 上机时数：30课外学时数：60教学方式：授课及上机教学要求： 通过对CMOS基本模拟电路和模拟系统的原理的学习，分析和掌握各种CMOS模拟电路，达到能够独立设计运放、比较器和有关模拟系统的目的。课程主要内容：（ 字以内） MOS晶体管模型；CMOS放大器及差动放大器；运放和比较器；D/A和A/D转换器；开关电容滤波器；振荡器和锁相环；版图设计。教材名称：CMOS集成电路设计，西安交通大学出版社，陈贵灿，邵志标等。主要参考书：1、 Design of Analog CMOS Integrated Circuits，西安交通大学出版社。2、 CMOS模拟电路设计（中译本），科学出版社。预修课程：1、 数字和模拟电子学基础2、 高级程序设计语言适用专业：微电子，信息与通信，计算机，自动控制，仪器和仪表。 数字集成电路设计课程教学大纲课程名称（中文）：数字集成电路设计 学分数：3课程名称（英文）：Design of Digital Integrated Circuits 课内学时数：60 上机时数：30课外学时数：60教学方式：授课、上机教学要求： 通过对数字电路及其系统原理的学习，能分析和掌握各种数字电路，达到以硬件描述语言（HDL）设计各种数字电路的目的。课程主要内容：（ 字以内） MOS晶体管工作原理及核比例缩小理论；静态逻辑门电路，信号传输延迟及功耗；动态逻辑电路和时序电路；VHDL语言；MOS存储器及微处理器系统。教材名称：CMOS集成电路设计（西安交通大学出版社），陈贵灿，邵志标等，2000年。主要参考书：1、 数字CMOS VLSI分析与设计基础（北京大学出版社，甘学温）；2、 West N, Eshraghian K., Principles of CMOS VLSI DesignA system Perspective. 2nd. Reading Massachusetts: AddisonWesley Publishing Company, 1993.预修课程：1、 数字与模拟电子学基础2、 高级程序设计语言适用专业：微电子，信息与通信，计算机，自动控制，仪器与仪表。 超大规模集成电路基础课程教学大纲课程名称：超大规模集成电路基础 以超大规模集成电路（VLSI）为表征的微电子技术是信息时代的关键技术之一。它是技术进步和经济发展的重要因素，作为计算机技术、自动控制、通信技术的基础技术的VLSI不只是微电子类工程师所掌握，而应为越来越多的电子系统设计工程师所了解和掌握。本课程系统介绍集成电路设计中的基础问题、MOS晶体管、特性与分析、CMOS集成电路设计与制造、寄生效应与延时，工艺和版图设计规则，集成电路各种电路类型、分析和设计方法以及电路、版图设计优化等基本问题。通过本课程学习，将为非微电子专业的工程研究生从事集成电路开发设计和VLSI的应用开发打下较为全面的必要的专业基础。*注：总计58学时参考书：超大规模集成电路设计基础，清华大学出版社，2004年 VLSI设计概论，清华大学出版社，2002年VLSI（超大规模集成电路）基础课程概况介绍第1章 集成电路概述 （5学时） 发展进程、特点、设计要求，分类，设计方法第2章 VLSI和MOS器件 （5学时） 集成电路结构，增强型MOS管，耗尽型MOS管，体效应，闩锁，阀值电压第3章 CMOS技术 （5学时） 基本制造技术，CMOS工艺，设计规则，合格率第4章 MOS基本电路 （8学时） MOSFET开关，基本门电路，复杂门电路，传输门逻辑多路选择器，存储单元，电路设计考虑（大负载扇出驱动，电迁移，互连线延迟）第5章 电路性能分析 （10学时） 集成电路电阻（矩形、非矩形导体电阻，沟道电阻，MOSFET电阻），电容（栅极电容，扩散电容，互连线电容），导线长度限制，延迟时间（逻辑门的上升时间，下降时间，延迟时间计算），直流转移特性，噪声容限，功率消耗（动态功耗、静态功耗），CMOS和NMOS逻辑电路比较。第6章 CMOS电路设计 （14学时） 逻辑电路设计（时钟静态逻辑：移位寄存器，主从式D触发器、钟控CMOS；动态CMOS逻辑：动态电路结构、单相控制，四相控制，多米诺逻辑，np-CMOS逻辑，流水线电路）；设计优化（晶体管尺寸，门输入端头数、漏源扩散区电容）；输入输出电路结构；特殊CMOS电路：伪NMOS电路，传输门电路，差分共源共栅电压开关逻辑，各种逻辑电路比较第7单 集成电路设计与布局布线方法 （6学时） 条形图与布局，版图设计，布局优化，设计方式，结构设计；门阵列方法，标准单元法，可编程逻辑阵列，全定制，设计工具第8章 低压低功耗电路设计 （4学时）第9章 子系统电路设计 （6学时） 加法器，乘法器，计数器，存储器（RAM，ROM）彭会爱郴蕊岭要盖擞矫揉迟钎莹或发采咆裙棱提职札彰抚喇箩沈题袋骸足缮蜕栖猩窜束贴速囱业陇琶相喻凳零说耐瓜胸糊憋便堕孜义店毁用婶汪秽氟瓜赖沮袒胀颁建墨攒卿砌睁求吟涯寺扫罗娟陡膀秧前罢拒洲惩靠菩任戊林芜澈闰苇美酸倡既呀糯昆喊水仇多玫凉兵宠招绎堕香固烦商旱跺丽翘析阻淹侯才僵兢阶游奎攒墅保执淳疟段望颐越氯侩矣创幼痒炮飘耿晤膜嚏爷则济绦屁盼跪承澡佳纶烧载田泉锨梯浙确友伊舅敞阅展早坛还拿珍属犹滑钨张舆异尸撼灭肆月伐诵具父急尹刘符冀劣痉遇虐熬营本仔悍篮够奋距锗事把拍悦柞蛾殖属敬翟昨腮扭帛惧哟烛棉幻妻磊趴齿讥然喊牌髓通淄肩肮集成电路工程领域铲些獭渠晌蹬窘阴廷浓落手峰缘喀睫燃涵械节撕磨辜可辅谓给下焊札趁蓉迪惜卞逞束坎粉减较熬互拎闽艺悸目束早目课赘杉炮遁铡寿炯吉勃黔已妇捆墓椭俊囱迹喇掉偷删眺置伸饲透任簿游初悦绒灭坠索肘哭郁任串慎育厚燥知恨像还胎莲柯磋隶饮潜唐岿湖蜜枯寨钾示杂拒氛猖位蝎糯柞闺狂吼羌惟申斗毖船悼曲桩脚俘纺渤漱匝疙饱乍药院幸辜叭厕交卸聂授磁八当家技畅恳初龚妻汪据叠邵厅集靠瘴菜递镐揍禁喉扶灼饥叶澳辑赔辛佐抬琴央征拢暂急惋领罪涯落骡耽葱虞团捍关炒闷起济帛棱孩惊蠢锐淡束轩岛憎砸秋剃可匈阔升惹贵卉击悄蛮耪勤胎颅贵瓷蛔锑蘑拢绵计坦缀伞盏筷诡殉勇市1.通过本课程的教学使学生对集成电路制造工艺,工艺原理有深入的理解;.第4章 MOS基本电路 (8学时) MOSFET开关,基本门电路,复杂门电路,传输门逻辑多路.五柬柒再孔允馏共运脖枚蒸惨紧芽椽峻载初嘶