《半导体光电子学课件》下集4.1异质结半导体激光器概述.ppt_第1页
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第四章 异质结半导体激光器,4.1 概述,一.形成激光器的具备条件,有源介质有源层 谐振腔解理面 泵浦源 电流源,直流,交流 - 调制,4.1 概述,二.LD的分类,依据有源层的结构、材料,LD,同质结 LD,异质结 LD,单异 质结,双异 质结,块状材料（Bulk） （有源层由一种材料组成）,量子阱（QW） （有源层由多层异质结组成）,宽面LD,条形LD,SQW,MQW,条形 依电极或有源层的宽窄划分 宽面 应变LD 依据有源区是否存在应变 无应变LD,1967年用液相外延生长出 异质结（单异质结） 1970年双异质结LD 条形LD 70代中期，DBF（分布反馈）、DBR（分布布拉格反射）、QW LD,
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