《半导体光电子学课件》下集2.3异质结的晶格匹配.ppt_第1页
《半导体光电子学课件》下集2.3异质结的晶格匹配.ppt_第2页
《半导体光电子学课件》下集2.3异质结的晶格匹配.ppt_第3页
《半导体光电子学课件》下集2.3异质结的晶格匹配.ppt_第4页
《半导体光电子学课件》下集2.3异质结的晶格匹配.ppt_第5页
已阅读5页，还剩5页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

2.3 异质结的晶格匹配,理想异质结要求两种材料的晶格常数应尽量匹配 要尽量可能多的相同原子 Ga Al As / Ga As,一.半导体光电子器件常用元素及化合物,二元化合物： InP GaAs 衬底材料 三元化合物：InGaAs探测 GaAlAs 0.8m LD 四元化合物：InGaAsP 1.3、1.5m LD,二.晶格匹配,1.晶格不匹配形成悬挂键失配位错LD失效,2.悬挂键密度 Ns,界面态密度 悬挂键密度 （100） （110） 解理面 （111） 最小,3.界面态对量子效率影响,注入界面态有效复合寿命,内量子效率,电子俘获截面,电子热运动 v,界面态密度,晶格失配率,两个界面上界面态引起的非辐射复合速度,非辐射复合寿命,界面载流子复合速度,三.晶格常数的计算,1. GaAlAs / GaAs 是晶格匹配的 因为： GaAs: a=5.653 AlAs: a=5.611 2. InGaAsP / InP（长波长 1.3m） 晶格常数 Vagard（弗伽）定律 As(y)与Ga(x) y=2.16x时达到完全晶格匹配 临界厚度,四.温度对晶格常数的影响,a(T)=a(0)(1+T) a(0): 晶格常数 ：热膨胀系数 生长温度：500700 P0.1个大气压 使用温度：1560,当超过临界厚度hc:,T变化由于热膨胀系数 a(T) 失配位错,变化组分,一般的GaAs长4个异质结(78层)，不同材料不同，在一定温度下a: a；因而由晶格匹配(T1) 不匹配。 生长温度下必须保证晶格匹配的实现，同时用弹性应变的形式弥补由温度变化产生的失配位错。,五.晶格不匹配对器件性能的影响,界面上的悬挂键充当陷阱中心、复合中心吸收载流子，注入效率下降，量子效率下降。 界面态
人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论