光电器件特性测量研究与应用

天津理工大学2015届本科毕业说明书 天津天津理工大学理学院 毕业论文 光电器件特性测量研究与应用 姓 名 房达越 专业班级 应用物理 指导教师 吴峰 完成时间 光电器件特性测量研究与应用摘要 本文对光电器件的光谱灵敏度、光谱特性、温度特性、光照与伏安特性的测试原理进行了简要的阐述,同时也提到了它们的应用方面。重点讨论了测试原理、测试方法、测试装置。本文研究到的器件有光电倍增管、热释电器件、光敏电阻等。本文成功测量了其光谱灵敏度，同时标定了光电倍增管响应的峰值波长，研究缝宽、温度、磁场等对光电倍增管光谱特性的影响，最后测试了光敏电阻的温度特性、光照特性与伏安特性。 本文是一篇综合性的论文，我们通过设计实验，验证实验，数据的处理绘图，图像处理后，让我们进一步的了解了光电器件的发展与应用。关键词：光电器件的应用 伏安特性 光敏电阻 光谱特性 光谱灵敏度 温度特性 ABSTRACT In this paper, the spectral sensitivity of photoelectric device spectral characteristics, temperature characteristics, light test principle and volt ampere characteristics are discussed, and their applications are also mentioned. It also focuses on the test of principle、method and device. This paper studies the device to the photomultiplier tube, heat release device, photosensitive resistance etc. In this paper, we successfully measured the spectrum sensitivity, at the same time calibration of photomultiplier tube response peak wavelength of seam width, temperature and magnetic field on photomultiplier tubes spectral characteristics. Finally, test the temperature characteristics of the photosensitive resistance characteristics of light and I-V characteristics.This article is a comprehensive thesis, we through the design of experiment, experimental verification, data processing drawing, image processing, let us further understanding of the development and application of optoelectronic devices.Key Words：The use of photoelectric device Volt ampere characteristicPhotosensitive resistance Spectral characteristics Spectral sensitivity Temperature characteristics目 录第一章 绪论11.1光电器件的种类11.2光电器件的应用与发展11.2.1光有源器件11.2.2光交换器件11.2.3光无源器件11.2.4波长变换器件21.2.5光纤光栅型器件21.2.6光子集成器件2第二章 光电器件的特性32.1光谱灵敏度的测试32.1.1测试原理32.1.2测试方法42.1.3测试装置72.1.4结论92.2光谱特性的测试92.2.1工作原理102.2.2测量原理102.2.3测量方法112.2.4结论142.3温度特性测试142.3.1光敏电阻的工作原理142.3.2实验装置152.3.3实验结果162.3.4结论222.4光照特性与伏安特性222.4.2实验结果与讨论23第三章 总结与展望253.1本文工作的总结253.2实验展望25参考文献26致谢28天津理工大学2015届本科毕业设计说明书第一章 绪论 光电测量、通信和医疗等领域都弥漫着它的身影，它使得我们的生活更加方便。为了了解它的一些特性也就是在生活中的应用，我们要测量一些光电器件，帮助我们进一步认识它。光电器件的特性有很多，这里我们就不一一列举了，我通过对光敏电阻、热释电探测器与光电倍增管来研究他们的一部分特性。首先我们需要了解其原理、测量方法、装置等，通过实验现象来了解其特性。首先我们要设计出光电器件特性的实验方案，然后研究常见的光电器件特性和拓展开发应用。1.1光电器件的种类以其特性来分类，我们把它看做光电导和半导体发光等类型。光电效应有三种，在我们实验中研究的光电倍增管是外光电效应的典型器件，它灵敏度高、输出线性度好，频率特性好，但是它的使用麻烦，所以我们一般用它测量微光与一些反应速度快的实验。1.2光电器件的应用与发展它的用处很多，很多地方都需要使用。换一种说法就是我们在一个光的世界中。现在的研究方向是有机光电器件，主要以有机放光二级管和有机光伏等器件为主，这些是研究开发和应用的主要动力。 我们来分类讨论一下，可以分为六种。下面我们就了解一下这六种器件。1.2.1光有源器件它有3种类型，在单频激光器的制作上，我们大多都需要用到MQW结构、DFB式或DBR式结构。我们使用的大多都是光纤类型的。它分为两类：一种是掺铒，另外一种是掺氟,它又分为单泵浦与双泵浦，在远距离的信号传输上我们常用到光纤喇曼放大器。光纤激光器适用于标刻、材料的处理、材料弯曲、激光切割等用途。1.2.2光交换器件随着科学的不段进步，网络是否具有可靠和灵活的特点让人很担心。光电交换器可以提高网速。现在我们使用的网络大多数都是光纤网络，大多数都是以两条以上的光纤路由连到关键的节点。它可以测试光纤器件。随着不段的进步，光交换机将应用到很多方面。1.2.3光无源器件对于光线领域来说，它具有举足轻重的作用。因为它自身的性质与特点我们可以通过它将网络信号输送到较远的地方。从用途上我们可分为光连接器、光耦合器、波分复用/解复用器。1.2.4波长变换器件主要利用光电光、光栅、波混合三种原理来设计制作的。波长变换器件主要应用于改变网络的速度问题。1.2.5光纤光栅型器件主要应用于传感、滤波、色散弥补等器件。它能应用于全光通信，但有很多困难要克服，它的发展能够帮助我们突破一些问题。它将是以后重要的研究对象，也是最实用的器件之一。1.2.6光子集成器件很多应用于WDM系统的光学器件都是通过光子集成技术完成的。它可以使两处的温度相同,还可以在一个芯片上同时完成复用/解复用的操作。对于它的研究也可以帮助我们早日完成全光网络。第二章 光电器件的特性2.1光谱灵敏度的测试2.1.1测试原理 单位辐射通量和光电流之比,就是经光照射后实验器件的光谱灵敏度。它的表达式为： 式中: F () 是单色辐射通量; ()表示饱和工作电压时的光电流（采用单色光照射）。若单位入射光子的能量为hv ;它的外量子效率为();探测器表面的反射比为()。所以在单位时间里由其表面接收到的光子数是： 器件在有光的条件下，单位时间溢出电子数为：假设一个电子的带电量是q，那么：因为v=C/，所以：其中： 我们来绘制一个S()曲线来描述S（）与波长的关系，那么这个曲线就是光电探测器件的光谱响应曲线，如图2.1所示。从下图我们能发现光电器件的光谱响应两端的截止波长分别是，又发现其峰值是。 Fig 2.1 The spectral response curve of optoelectronic devices 图2.1 光电器件的光谱响应曲线0S（）2.1.2测试方法一般情况下，我们会用绝对与相对光谱灵敏度这两种方法来测量器件。经过对比，前者要比后者测试起来要麻烦很多，条件不容易达到。如果我们要测量S()的话,第一我们要标定出一些需要的数据来帮助我们测量,我们可以根据这些数据来计算出S。平时我们想确定器件具有什么特性的时候，只要测得相对光谱灵敏度就可以了,换而言之，相对灵敏度的测量比绝对灵敏度的测量简单的多,它的实验条件我们很容易就可以达到。如果我们真的需要知道绝对光谱灵敏度，我们标定出某些元件就可计通过计算得出绝对光谱灵敏度的数值。对于测试相对光谱灵敏度，我们可以回国头来看下图2.1的光谱响应曲线，从中我们就可以看出，光电器件的工作波长是有限制的。我们在选择测量工具时，标准元件必须使用无选择性的探测器（如：真空热电偶或热释电器件)且是一个可以不间断提供单色光的光源才能真实测量光谱曲线，得到实测值。对于线性的光电器件在受到单色光照射后产生的光电流有： 它们曲线理论值如下图。 S() S0 0 图2.2 无选择性器件光谱响应的理论值 Fig 2.2 Non selective spectral response theory 如图，我们可以看出热释电探测器被波长为的光照射时，它所产生的光电流为： 对于试验中的光电器件,用一束光照射被测器件，该光波长为，那么他产生的光电流为:式中: 是被测器件的光谱灵敏度。我们用上述两个式子来做比值,由此可以得到： 即 式中k为比例系数。 同理可得到：我们可以通过一个线性电路提取信号，由电压与电流成正比的依据来得出上式的测量值，由可以得到：式中:为电流电压转换系数。对于无选择性器件,通过经电流与电压转换,可以得出:式中:F1() 为单色光辐射通量；为电压与电流的转换系数；Vi0()为光电；I0()转换的电压。我们假设,所以S0()被看做常数,则有:式中：S0()=K0 设转换系数是A,所以上式变为：式中=A K。我们再把被测器件经过一个阻值是R的转换电阻，通过可知:设转换系数是A,所以上式变为：式中=A R。将与相比：计算被照射物体照度E，即：光源和位置都不改变时，则I、接触光的面积元法线和照射进来的光线所形成的角和L不会发生改变,所以可得:将上式代入,得:由于, =常数，于是。取=1时,则:我们一般用100%作为灵敏度分布曲线的最大值,在求出其它灵敏度对这一最大值的相对值,这样即方便我们绘图而且绘出的曲线是相对的 ( 或归一化的 ) 光谱灵敏度曲线。归一化后可得到:式中： 。我们现在已经测得和,通过这两个值我们可以得出相对光谱灵敏度。2.1.3测试装置通过以上我们的研究，我们了解了测试原理和方法，现在让我们来设计一种能够帮助我们测试的光电检测系统用来帮助我们测量光谱灵敏度。现在我们来准备一套方案，这个方案我主要考虑了以下几个问题： 根据现在我们掌握的理论知识，来设计合理的检测系统和装置结构,如光路系统、信号的提取和光电转换等都应该精准。 以实验室仪器为准，优先考虑测量方便的途径。1.测试装置的原理下图为它的测试系统图，在实验前通过调制我标准光源变成了交流信号，这样更方便我在实验中信号的采集和处理。图2.3 光谱灵敏度测试原理的示意图Fig 2.3 Schematic diagram of the spectral sensitivity test principle2光源与分光系统我在选择光源的时候着重考虑了实验光源是否具有一定的光谱能量，并且选择的光束的光强可以达到实验波段的要求。我把白炽灯作为我们的实验光源，它可以适用于波长在40到800纳米之间，在该波长范围内均有较大的能量。如果想很好的利用光源，在实验中我们需要把一个聚光金插在光源与分光系统中间,同时在光源的后面加一个球面反射镜，这样能使光能分布的更均匀。现在该系统就能够由光源为实验提供一个连续谱区的光照，并且光强可以满足我们的实验需求,在实验中我们可以得到需要的但色弱光，该光由分光系统输出,如图4所示。 图2.4光源光路系统的示意图Fig 2.4 Schematic diagram of light path system3.标准接受器件 在一个光电测试实验装置中，标准器件很主要。从多个方面考虑,最后决定使用热释电探测器实验装置。热释电探测器是一种无选择性半导体探测器件，它的缘性范围宽、光谱响应平坦、响应时间短、灵敏度高等优点，可以达到实验的目的，价格也可以接受。采集和输出选择交流量为1Hz光信号,它输出方法是两个: 得到测试器件数据是程数字形式; 得到测试器件数据是经自动描图的光谱响应曲线。鉴为了满足上面的要求,为了实现该实验我们需要通过下列检测系统：为了使该装置系统连续且自动工作，我以步进电机来带动控制部分,这样我们可以持续的改变波长,并且可以自动测量所有工作波段。我们所有的中心频率都以为标准，这样我们可以消除电源对系统的干扰且可以满足热释电器件的需求。 选频网络在电路的选择上，必须选择有源且Q值高的电路。该电路可以提高系统的测量精度，它的稳定性好、带宽窄,电路级数少。2.1.4结论经过实验我们可以得出，实验环境与是否有光照不影响本实验的测试效果。在最小光照下最小值与最大值的输出信号分别是0伏与5伏，结果表明我们的假设成立。经过实验我们发现选择热释电为标准器件合理。我们可以从打印数据和曲线图形直观的看出结果，各种用途都能满足。在生产、科研和教学等检测中心和实验室都可以应用，可以使我们测试出满意的结果。2.2光谱特性的测试光电倍增管光电探测器件具有光电效应、 二次电子发射和电子光学理论这三个基本的特点， 通过它可以把微弱入射光转换成光电子并倍增，它对微弱光信号探测是极其重要的，很多精密测量都要靠其来完成，所以很多都是以其作为仪器核心，在多种领域都会应用它。光电倍增管的光谱特性是是我们实验中的一个难点，有很多实验都涉及到了它的使用，尤其是在我们大学的物理实验中涉及更广，但它的工作原理和用法却很少有学生了解。为了让学生可以了解它的工作原理和和光谱特性，我们来设计一个光谱特性的实验来帮助大家更直接的了解它。选择最适用于实验的单色仪和热探测器，在实验中我们还可以研究一些对光电倍增管光谱特性有影响的条件。光电器件的研究大多都可以通过这个平台来完成。这个实验在大学实验中最具代表性。2.2.1工作原理由图我们可以看出其运行原理，为了使K逸出电子，我们就要使K的逸出功小于光子能量，电子经过K与D1的加速电场加速（真空条件下），这时电子发射到第一个“ 初级发射极”D1上， D1在电子快速的撞击下发射出电子，这时射出的是射入的M倍，当经过实验装置后成倍数增长，电子经过n个二次发射极后发射出的电子数量是初始电子数的Mn倍（ 为倍增极个数） 。 阳极A接受这些电子使之变为阳极电流，这样RL就可以得到一个信号电压。 图2.5光电倍增管结构图 Fig 2.5Photomultiplier tube structure在特定条件下，光电流强度和辐射功率呈现出正比值关系。若想使波长来改变光电流强度，那么我们需要选择单色光为入射光且他们的辐射功率不变。2.2.2测量原理阳极上的电流由给定波长位辐射功率照射下产生的，大小反映出了光电倍增管的绝对光谱响应率的大小， 即 因为在波长不同的情况下，我们得到的辐射功率是不同的，所以绝对光谱响应曲线取决与实际的实验光源，光电流会发生改变，因为它不仅只受一方面的影响。求出不同波长的辐射功率和相应的阳极电流，然后通过上面的公式计算出光电倍增管的绝对光谱响应率（）。我们把最大响应率设为1，我们在依次算出其他数值，将两者进行比较，即 是相对光谱响应率。与形成了一个曲线图形，直观的反映出了他们的关系。2.2.3测量方法1.实验仪器在光源的选择上我们选择了白炽灯，为了电流不发生变化，我们选择电压稳定的电源。为了得到更适合我们实验的光束，我把自然光通过单色仪分解成我们需要的单色光，单色仪的光学系统如图2.6、 图2.7所示。图2.6反射式棱镜单色仪的光学模型图Fig 2.6 The optical model of reflective prism monochromator 图2.7平面光栅单色仪的光学模型图Fig 2.7 The optical model of a plane grating monochromator2.单色光辐射功率测量因为波张改变时，辐射功率发生变化，所以我们针对这一特性来进行测试，这样我们就需要一台可以满足我们的实验的仪器，也就是对波长不进行选择的仪器。在这个实验中我们选择了型钽酸锂热释电探测器，他是一台基于热电效应的探测器，每隔5ns我们就测量一次热电压讯号V（）。因为光源辐射功率随着增大而增大 ，故热电压讯号和光源辐射功率和波长的变化趋势是相同的。下图为实验装置线路图。 图2.8热释电探测器线路图 Fig 2.8 The pyroelectric detector circuit diagram3.光电流相对大小测量 为了知道光电流的相对大小，我们选择了型、型两种光电倍增管。单色仪出射缝由需要测定的光电倍增管的窗口对准，我们将和出射狭缝宽度调整好。测量暗电流时我们要把入射狭缝档上。每隔5nm测量一次电流（）。按照要求记录数据并减去暗电流。 作出（）曲线。 最后利用式上述两个公式得出。4.实验结果与讨论 图2.9型光电倍增管相对光谱响应曲线Fig 2.9 BH1224G type photomultiplier tube relative spectral response curve图2.9是型光电倍增管，它测得相对光谱响应曲线的方式是使用不同的单色仪。从图中我们可以直观的看出：可见光和红外区域的两个光谱响应曲线差别不是很大，紫外区与其他两个由明显的不同， 玻璃棱镜单色仪测量值明显小于平面光栅单色仪的测量值。两者的差别主要是因为（） 减小，因为前者对紫外线辐射具有不同的吸收程度。在本实验中，我们需要选择平面光栅单色仪作为本实验的分光器件，因为棱镜单色仪不能满足我们的实验需求。 图2.10型光电倍增管相对光谱响应曲线Fig 2.10 BH1224G type photomultiplier tube relative spectral response curve图2.10是在狭缝变化的情况下使用平面光栅单色仪测量所绘出的相对光谱响应曲线， 由图可知：在一定的范围内狭缝的大小变化对实验的影响很小因为途中曲线基本重合。图2.11不同型号光电倍增管相对光谱响应曲线Fig 2.11 Different types of photomultiplier tube relative spectral response curve下面，我们验证一下型号不一样的光电倍增管是否能够通过本实验解决，了解实验是否具有普适性和标定不同型号光电倍增管响应的峰值波长。下面我们随机测量其相对光谱响应曲线。从曲线如图2.11我们可以看出不同元件之间的差别。由图可知，他们的峰值波长不同，通过实验我们可以把它区别开并可以并获得相对完整的光谱响应曲线。2.2.4结论在实验中我们可以完成光电倍增管相对光谱响应曲线测量同时也能研究对光电倍增管光谱特性可能产生影响的条件，该系统同样适用于其他光谱特性的验证。这个方法在工业使用很多。2.3温度特性测试2.3.1光敏电阻的工作原理内光电效应是指当有光照射光敏电阻时电阻的电导率会改变。当光敏电阻被光照射时，它的电阻变小。撤去光源，以上现象会消失。无光照时样品的(暗)电导率为： 式中:q表示电子的带电量;、表示平衡载流子的浓度;p和n是空穴和电子的迁移率的表示方式。假使n及p是光注入的非平衡载流子浓度， 在光照条件下其电导率发生变化，即：式中:。 用下式表示：所以它的相对值是：对本征光电导， n = p。引入 得观察公式发现，选择数值小的 和时电光导高。 2.3.2实验装置实验的装置图如图1所示。我们需要自己制作一个透明玻璃管式炉来控制光敏电阻样品的温场。在它的内管外壁涂上一层透明材料，做成双层真空结构，电压夹在两端，它的升温速率随着电压的增大而升高。给它施加指定的电压使得阻性材料发热，这些都要在特定温度下进行，这时电功率转换成热功率。里面管中的温度是恒定的，因为中间是真空的，内管的温度不受外界的影响。是通过改变电压来改变温度，使温度保持不变。整个炉管中间三分之二的部分温度场分布基本均匀且炉管越长分布越均匀。 图 2.12 实验装置示意图Fig 2.12 Schematic diagram of experimental apparatus该装置是由测温仪和光源组成的。由图可知装置所使用的仪器。光敏电阻表面受到的光强约为600 lx。我们分别测量GL12549、GL5528、GL5539和GL4537这四种光敏电阻。2.3.3实验结果1.测量结果 在温度为20145与600 lx 的光照强度照射的条件下来测量，每次测量的温度间隔为5。我们将实验数据用Origin6.0加工，这样我们就可以绘出一个如图2.13所示的图。图 2.13 光敏电阻亮电阻特性测量曲线Fig 2.13 Light resistance characteristic curve of photosensitive resistance 通过观察曲线走向可知两者之间的关系。符合温度对截流子的影响关系;光敏电阻的性质与半导体材料一样，它与金属导电材料相比，即使温度升高到一定的程度也可以使处于禁带中的电子得到足够能量而激发跃迁。电阻值不断变小，经过观察图2.13能发现，在短时间内阻值将下降很小。2.测量结果在600lx光照条件下，测量中为了使管式炉最后可以提供不相同的稳定温度，我们需要通过稳压电源向管式炉提供不同的电压。所提供的电压分别为10V、15V、20V、25V、28 V，各个电压对应的稳定温度为36.1、54.0、81.0、112.6、130.1。在测量时会产生3的误差，因为温度并不是那么的稳定，这种情况下我们需要选择中间温度作为稳定温度，因为在测量的时候电流表的读数不改变。我们对比图2.13中的图能得出下列特点： 在上述温度中，光敏电阻呈现出是具有线性特征的伏安特性曲线。由图2.14中的(a)、(b)我们可以证明，在误差允许的范围内我们可以使用线性拟合来证明，通过线性拟合我们看出每条曲线都通过原点。事实上，电导率的改变量是光敏电阻伏安特性的重要部分，可以表示成：式中:电荷的电量用e表示;空气浓度的改变量用p表示; 电子浓度的改变量用n表示;空穴的迁移率用表示; 电子的迁移率用表示。正常工作后，表达式是：在公式中:A为与电流垂直的截面积;d电极间的距离。所以该曲线是一条经过零点的直线，阻值由斜率来决定。 通过比较2.14中5幅图能了解，当温度高于81.0之后，型号GL4537与GL5539的伏安特性慢慢变得不在具有线性特征，但特殊情况下还具有线性特征;但GL5528和GL12549和前者不同，当温度130 左右时，它不会发生变化。当线性性质消失时，它与金属导电材料的IU曲线大致相同。这可能是因为载流子的热运动越来越剧烈，这时与原子核的碰撞可能性变大，截流子的平均自由程变短而导致了阻值的变化，持续升高直到接近固定值。 (4) 通过拟合，可以得到下表：元件温度斜率阻值GL453736.1 0.46mA/V2.17 k54.0 0.44 mA/V2.27 kGL553936.1 1.04mA/V0.96 k54.0 0.99 mA/V1.01 kGL5528 36.1 0.69mA/V1.45 k54.0 0.22 mA/V4.55 k81.0 0.62 mA/V1.61 k112.6 0.19 mA/V5.26 k130.1 0.45 mA/V2.22 kGL1254936.1 0.63mA/V1.59 k54.0 0.61 mA/V1.64 k81.0 0.59 mA/V1.69 k112.6 0.51 mA/V1.96 k130.1 0.48 mA/V2.08 k GL4537， GL5539， GL5528， GL12549 图 2.14 光敏电阻的伏安特性曲线Fig 2.14 I-V curve of photosensitive resistance3. 测量结果从开始关闭光照起计时，第二秒开始测量，相对来说要晚于2s。通过观察图2.14，我们可以得到下图:图 2.15 光敏电阻的暗电阻特性曲线 由图2.15可知两者的比值成正比。因为仪器的选择，故读数有偏差。这并不影响我们观察，从实验数据中可知它的性质每由发生改变，问度与之没有关系。图2.14(a)中 GL5539 的测量时间要晚于2 s，但是它的变化却很迅速，这就说明其内部自由电子和自由空穴的复合速度是很迅速的。 所以数字表跳动很大。2.3.4结论CdS 光敏电阻在一定的温度范围内时对温度的敏感度不是很高，所以即使温度发生细小的改变也对实验影响不大。当温度到达100以上后，变化很明显。但是GL5528 和GL12549的不发生变化时。所以，实验中如果温度对实验由影响，就应该先考虑。我们经过对两阻值特性的研究，得出有光还是无光环境对它阻值的影响最大。2.4光照特性与伏安特性我们现在来设计一个实验，测试光敏电阻是否具有这两种特性。上面我们研究了温度的影响，现在我们来详细研究一下光照与伏安特性。2.4.1实验原理与设计 在实验中不考虑电流走向问题，接通电源就可使用。是否接触光决定了它是什么性质的电阻，什么性质的电流。两者之间由一个增大另外一个也增大。实验装置如图1所示 。 图 2.16光敏电阻特性测试图Fig 2.16 Photosensitive resistance test chart 我们先在轨道上插上照度计模块,使其与光源在一条直线上，不能由偏差。这时我们开始测量，首先测量暗电流，应为在无光照的时候生成的是暗电流，所以照度为零。通过调试,我们从令开始增加。这时我们把光敏电阻模块放到指定位置,测出两者之间的关系。通过改变电压,得出光电流与电压的关系 。2.4.2实验结果与讨论1.光敏电阻的光照特性随着照度的变化光电流也发生变化，这种现象叫做光照特性。通过验证，我们可以肯定两者之间的关系是一个增大另外一个也跟着增大。非线性关系是受光强影响的，极大或极小时具有非线性特性，中间区域稍微由偏差但不明显。它的光照特性是不同的。(表1,图2.17)。表 1实验数据照度/lx100200300400500600700800光电流/mA0.0040.0100.0150.0240.0370.0420.0520.063 照度/lx900100011001200130014001500光电流/mA0.0720.0820.0970.1050.1150.1250.139图 2.17光敏电阻的光照特性曲线Fig 2.17 The light curve of photosensitive resistance2.光敏电阻的伏安特性当光照不发生变化时,三者成正比关系，没有饱和现象。由于功率问题，电压不能无休止增高。因为当电压或者电流超过额定值时就会导致元件损坏( 表 2, 图3) 。表 2 实验数据电压12345678910光电流1.12.23.14.15.16.17.08.18.99.9 图 2.18光敏电阻的伏安特性曲线Fig 2.18 I-V curve of photosensitive resistance2.4.3结论通过该实验，可以知道它的两种特性。在实验中我们即学习到了新的知识也更加了解它的一些特性。在不段的探索中发现问题并改正问题，同时提高了我们的动手能力。第三章 总结与展望3.1本文工作的总结本文主要通过光敏电阻、光电倍增管与热释电探测器来研究光电器件的一些特性，通过教学实验详细的分析了实验中的现象、数据和实验结果，更直观的认识到了实验对器件研究的重要性。在实验过程中，通过不断的改变实验条件和实验步骤希望达到完美的实验效果。在实验中我完成了以下3点：1.通过查阅文献，了解了光电器件的一些基础知识，熟悉了一些光电器件的工作原理。2.借助CSYGLGD01光电特性试验仪进行实验，完成了光敏电阻、光电倍增管与热释电探测器的光电器件特性的实验。3.对数据进行系统的分析和研究，分析实验有无缺点，通过观察数据找出发生错误的地方并研究减小误差的方法，为下面的实验做好铺垫。此次实验完成了光电器件光谱灵敏度特性、光谱特性、温度特性、光照特性和伏安特性测量与研究。3.2实验展望通过本次实验，我们了解了光电器件的5种特性，在我们的生活中有很多地方应用到了光电器件。通过实验我们可以了解到在网络上光电器件的发展与作用是很大的，所以我们需要通过不断的研究与发展光电器件，来使我们的生活更加完美。有目的的去发展和研究部分光电器件的特性，在光电领域上作出进一步的突破。参考文献1高鲁山、刘榴娣,真空成象器件(下) 北京工业学院 出版 (1981)2赵文锦 光电倍增管的技术发展状态 光电子技术，2011，31（3）：1451483江华， 周媛媛 光电倍增管的结构与性能研究舰船电子工程，2009，29（1）：1931964周书铨， 李铿， 黄庚辰， 等 光电倍增管光谱特性新测试 方 法 研 究 光 学 学 报，1994，14（10）：109210955王海科，吕云鹏光电倍增管特性及应用仪器仪表与分析监测，2005，（1）：146武兴建， 吴金宏 光电倍增管原理、 特性与应用国外电子元器件，2001，（8）：13167张焕雄 光电倍增管在放射性物探中的应用概述 资源环境与工程，2007，21（5）：5976008吴平 理科物理实验教程北京：冶金工业出版社，2010：1651709江月松 光电技术与实验北京：北京理工大学出版社，2000：708810杜玉杰，纪延