(论文)微安培检测器(论文)(2013年优秀毕业设计论文)

长春工程学院毕业设计（论文） 1 1 引言 1.1 课题背景 分析化学是化学家最基础的训练课题之一，化学家在实验技术和基础知识上的训练，皆 得力于分析化学。分析化学所用的方法可分为化学分析法和仪器分析法，而当代分析化学则 著重于仪器分析。微型化和智能化是分析仪器发展的主要方向，这不仅因为它可以提高效率， 节省开支，实现自动化，而且排污少，是一种“绿色“技术。自从 1990 年由 Manz 提出“微 型全分析系统”(Micro Total Analysis System ,2TAS) 概念后,微型化、集成化与便携 化成为分析仪器设备的发展趋势。 1.1.1 微流控芯片概述 微流控芯片（microfluidic chip）是当前微全分析系统（Miniaturized Total Analysis Systems）发展的热点领域，是微流控技术实现的主要平台。其装置特征主要是其 容纳流体的有效结构（通道、反应室和其它某些功能部件）至少在一个纬度上为微米级尺度。 由于微米级的结构，流体在其中显示和产生了与宏观尺度不同的特殊性能，因此发展出独特 的分析产生的性能。其产生的应用目的是实现微全分析系统的终极目标芯片实验室，目前 工作发展的重点应用领域是生命科学领域。 1 在众多微型全分析系统器件中,毛细管电泳芯片具有分析速度快、样品消耗量少、便于集 成化、自动化和微型化等优点,有极高的学术和商业价值。上个世纪 90 年代, Manz、Harrison 、Ramsey、Mat hies 等人为毛细管电泳芯片领域的飞速发展打下了良好的 基础。 2 随着微电子微机械技术(micro electro-mechanical systems,MEMS)的发展,毛细管电泳 芯片取得了进一步长足的发展,对检测技术灵敏度的要求就被提到了一个更为重要的位置,人 们期望改进检测技术以促使毛细管电泳芯片检测系统向着微型化、集成化、自动化及智能化 的方向发展，最终实现建立微全分析系统（micro total analysis system, -TAS）或缩 微芯片实验室（Lab On a Chip,loc）的目标。 1.1.2 毛细管电泳(CE)原理应用与发展 毛细管电泳(capillary electrophoresis, CE)又叫高效毛细管电泳(HPCE), 是近年来发 展最快的分析方法之一。1981 年 Jorgenson 和 Lukacs 首先提出在 75m 内径毛细管柱内用 高电压进行分离, 创立了现代毛细管电泳。1984 年 Terabe 等建立了胶束毛细管电动力学色 谱。1987 年 Hjerten 建立了毛细管等电聚焦, Cohen 和 Karger 提出了毛细管凝胶电泳。 长春工程学院毕业设计（论文） 2 19881989 年出现了第一批毛细管电泳商品仪器。短短几年内, 由于 CE 符合了以生物工程 为代表的生命科学各领域中对多肽、蛋白质(包括酶，抗体)、核苷酸乃至脱氧核糖核酸(DNA)的 分离分析要求, 得到了迅速的发展。 3 毛细管电泳( CE)是指以高压电场为驱动力, 以毛细管为分离通道, 依据样品中各组分 之间淌度和分配行为上的差异而实现分离的一类液相分离技术。CE 最常见的仪器基本结构如 图 1-1 所示。 图 1-1 毛细管电泳芯片设计示意图 毛细管电泳 (CE) 除了比其它色谱分离分析方法具有效率更高、速度更快、样品和试剂 耗量更少、应用面同样广泛等优点外, 其仪器结构也比高效液相色谱 (HPLC) 简单。CE 只需 高压直流电源、进样装置、毛细管和检测器。前三个部件均易实现, 困难之处在于检测器。 特别是光学类检测器, 由于毛细管电泳溶质区带的超小体积的特性导致光程太短, 而且圆柱 形毛细管作为光学表面也不够理想, 因此对检测器灵敏度要求相当高。 1.2 毛细管电泳芯片（CE）检测器分类 检测是毛细管电泳发展的核心问题之一。如何体现毛细管电泳的优良性能与高灵敏检测 密切相关。毛细管电泳自身特点要求与其联用的检测器必须有较小的体积和较高的灵敏度。 1.2.1 检测器分类 目前，商品化仪器通用的检测方法仍是紫外可见检测器，但由于毛细管孔径小，进样量 极低(nL)，导致光度检测的灵敏度较低。荧光检测器虽然灵敏度高，选择性好，但仅适合于 具有荧光或易于进行荧光衍生的物质，使其通用性受限。毛细管电泳-质谱联用灵敏度高， 专属性强，能提供分子结构信息，是 CE 较为理想的一种监测器，但是价格昂贵。其它的检 长春工程学院毕业设计（论文） 3 测方法还有激光光热法、放射分析法、示差折光法等。与上述检测方法相比，电化学检测有 其独特的优点，其质量检测限低，线性范围宽，选择性好，与 CE 联用不仅可满足分析微量 样品时灵敏度的要求，而且设备简单、仪器造价低廉，便于推广使用。电化学检测对于大多 数易于氧化还原物质的浓度检测限可达mol/L(质量检测限可达 f/mol-a/mol )。 9 10 4 根据电化学检测原理的不同，目前在毛细管电泳芯片分析系统中所采用的电化学检测器 主要有安培检测器、电导检测器和电位检测器。其中安培检测具有灵敏度高、选择性好、线 性范围宽、设备简单、成本低等优点，但是它仅能检测电活性物质。本论文就是采用该检测 方法。 1.2.2 安培检测 本文设计的微型检测器采用的是安培检测方法所谓安培检测法就是指对流出毛细管的电 活性组分，根据其在微电极上的氧化还原反应所产生的电流来进行测定的方法。安培检测法 是微系统中应用最广泛的一种电化学检测技术，它检出限低、选择性高，适用于电活性物质 的痕量测定。安培检测作为毛细管电泳芯片检测的主要手段，因灵敏度高而得到了快速的发 展。 3 安培检测器具有很多优点: 它的检出限一般低于 10mol /L，且对各类电活性物质灵敏 7 度差别很小。但一般只对电活性物质有响应，适用于电活性物质的痕量测定，而不受非电活 性物质的干扰。由于每种物质的氧化还原反应电位不同，对于具有不同电极电位的物质，只 要在电解池的两极间施加不同的电压，就可控制电极反应，有较高的选择性。 安培检测器的测量原理本身也决定了它固有的局限性与不足:首先它不是通用的检测方 法，它要求测定对象在所选用的电极上具有电化学活性，其次它采用的流动相必须有常用浓 度范围内 0.01mol/L-0.1 mol/L 的电解质存在，且安培检测器对流动相的流速、温度、PH 值 等因素的变化比较敏感。 1. 3 论文的研究目的及主要研究内容 本论文的主要任务是为毛细管电泳芯片设计基于微处理器的安培检测器。检测器采用电 化学分析仪器中典型的基于恒电位仪的三电极传感器；由于安培检测的检测电流一般在 nA 级甚至更小，所以在采集微弱电流设计，需设计精确放大电路，并经滤波和 A/D 转换后送入 MCU 进行数据处理。 论文的第二章主要介绍微安培检测器的基本工作原理，提出微安培检测器设计的整体构 长春工程学院毕业设计（论文） 4 想，给出系统原理框图，并对其设计性能实现做简要的阐述。 论文的第三章则就微毛细管电泳芯片安培检测系统设计的核心问题-恒电位仪的设计做 了进一步详细研究，明确的提出了这些核心问题的解决方案。 论文第四章详细的介绍微控制器系统及其外围硬件的设计。依照总体方案，设计出以 ARM 微控制器为核心的系统主控制器，具体包括硬件平台的搭建、通用接口和人机交互接口 等模块的硬件设计-程控电压源、 A/D 转换电路、LCD 实时显示电路、串口电路、自动增益 控制电路、按键及报警电路等。 论文第五章为微安培检测系统软件设计。分析微毛细管电泳芯片安培检测器测控软件的 总体结构设计，在此基础上重点实现 ARM 控制器的主要软件功能设计。 长春工程学院毕业设计（论文） 5 2 微安培检测器总体设计方案的确定 2.1 安培检测器的基本工作原理 安培检测法是在外加电压的作用下，根据待测物在工作电极表层上发生氧化反应或还原 反应时所产生的氧化电流或还原电流对待测物进行定量的一种检测方法。它是微系统中应用 最广泛的一种电化学检测技术，它采用电极作为传感器，直接将溶液中待测组分的化学信号 转变为电信号。 假设由工作电极和参比电极组成的电解池中有被测组分 A，在工作电极和参比电极间逐 渐改变外加电压。组分 A 在阳极表面上可能发生下列反应: AB+ne （式 2.1） 电解反应可用 Nernst 方程表示: E=E +lg （式 2.2） app0 2 059 . 0 A B 式中，Eapp 为外加电压，A、B分别为反应物和生成物在电极表面上的浓度。对这个 电解反应有三种可能的情况: I)外加电压 Eapp E 时，电解反应还在进行，电极表面BA, A0。 0 在电化学检测池中所产生的电流是溶液中的分子在工作电极表面发生氧化或还原的电解 反应得到的。式 2.2 是一个氧化反应的模型，电子从待测活性物质分子转移到工作电极上， 产生正的阳极电流；同样，发生还原反应，电子从工作电极表面转移到电活性分子上，产生 负的阴极电流。在电极表面上电子转移所产生的电流符合法拉第定律: Q=nFN (式 2.3) 式中，n 为每摩尔电活性物质在电极反应中转移的电子数，F 为法拉第常数，N 为发生电 极反应时的电活性物质的量(mol )为电荷量。电极反应的电流为: i= (式 2.4) dt dN nF dt dQ 此式将一个可测量的电流 i 与电极表面产生的基本氧化一还原过程联系起来，可见测得 的 i 与每种电活性物质在电极上转移的电子数 n 成正比，也与通过电极表面与其反应的活性 长春工程学院毕业设计（论文） 6 物质浓度 dN/dt 成正比，这就是安培检测法的原理。 2.2 三电极传感器的设计 研究电极上电子的运动是电化学反应的基础，为了分别对电池或电解池的阴极、阳极发 生的反应进行观察需用到三电极体系，通常三电极体系包括：确定研究工作界面的工作电极， 保持恒定参考电位的参考电极以及提供电流的对电极。 2.2.1 检测方式的选择 安培检测器的微电极所能测到的法拉第电流一般在纳安级甚至更小。因此消除或减小分 离电压对安培检测的干扰是一个不容忽视的问题。根据隔离分离电压的方式，安培检测器分 为离柱式和柱端式两种，离柱安培检测器虽然一定程度地降低了检测噪音，但是接口制 65 ， 作繁琐、存在区带变宽现象、分离电压和电流难以达到完全接地的状态，因此多采用柱端型 安培检测器。 然而采用这种方式时，对终端安培检测器的工作电极与毛细管通道的对准的液流方向提 出了很高的要求。按流出通道后的液流方向与工作电极的相对位置，将芯片毛细管电泳-柱 端安培检测池分为流经式、流向式和流通式。如图 2-1 所示： 5 图 2-1 检测池结构示意图 2.2.2 电极材料的选择 安培检测器的性能很大程度上取决于所选择的工作电极的材料。目前在芯片毛细管电泳 安培检测器中使用较多的工作电极为碳电极、金属电极及化学修饰电极。 在金属电极上具有电活性的物质相对较少,大量的由 CE 分离出的组分,尤其是一些生物 分子在此类电极上或因超电势太高或缺乏电活性而无法检测。化学修饰电极和微电极的安置 技术在很大程度上可解决此类问题,进一步扩大了安培检测的范围和适用性。化学修饰电极 有:Hg 修饰微电极 ,化学修饰碳糊微电极,金属颗粒修饰微电极,表面分子膜修饰微电极。 2.2.3 电极安置的具体设计 长春工程学院毕业设计（论文） 7 大部分安培检测器的工作电极均直接制作在芯片上，形成集成化的分离检测系统，体积 小、集成度高、适合于批量生产。但这样的集成化电极一旦钝化后不易清洗或更换，仅适合 于一次性使用。 W ang 等研制了可更换的流向式工作电极。条状碳膜工作电极筛印在统一尺寸的氧化铝 陶瓷片上，将带有工作电极的陶瓷片在分离通道的垂直方向插入芯片尾端特制的有机玻璃电 极定位槽中，碳膜工作电极即可对准通道的出口。电极钝化后，更换一片新的带有筛印碳膜 电极的陶瓷片即可，这里采用方形和圆形两种工作电极，其特征尺寸为 100900 m、工 6 作电极与对电极间距为 50200m。如图 2-2 所示 图 2-2 垂直可更换式筛印厚膜碳电极和芯片毛细管电安培检测装置示意图 2.3 微安培检测器的总体设计方案 2.3.1 系统工作过程及系统原理框图 本系统主要工作过程是：待测物质经过样品制备和生化反应后注入毛细管电泳芯片，并 在芯片上进行组分分离与结果检测。 首先在缓冲液池内加入适当的缓冲液，并施加一定的压力，使其充满整个通道；在样品 池内加入适量的样品，并在余下的贮槽中加入缓冲液。然后将施加分离电压的电极放入四个 池里，通过调节电压的大小来实现样品的引入和分离。分离后的溶液进入毛细管电泳分离通 道的末端检测池，置入检测池中的三电极传感器可直接将溶液中待测组分的化学信号转变为 电信号。传感器电极所需的检测电位一般在5V 内，可以使用基于 D/A 转换器的程控电压源 来提供，并通过恒电位仪电路使这个电位保持恒定后施加在参比电极与工作电极之间。工作 电极上会产生氧化电流或还原电流，通常检测电流一般在 nA 级甚至更小(通常在几百 pA 到 几十 nA 之间)。将电流信号转化为电压信号，经过电压放大、滤波后获得 A/D 转换输入范围 内的电压） 。最后通过 A/D 转换采样检测数据，送入微控制器进行数据处理，进行 LCD 实时 显示并通过串口与上位机进行通信与数据处理。当检测结束或超出检测范围时，可以进行声 光报警。 长春工程学院毕业设计（论文） 8 根据以上工作过程确定了系统的总体构架，其系统的原理框图如图 2-3 所示 ARM7 微控制器 A/D转换滤波电路 三电极传感器 恒电位仪 键盘 LCD显示电 路 声光报警 串口电路 送至上位机 程控电源 自动增益 电路 图 2-3 检测装置的整体设计原理框图 2.3.2 系统微控制器的选择 系统的微控制器采用 ARM 微控制器 LPC2131， ARM 是 32 位处理器,与普通的 8 位 51 单 片机相比,其处理效率要高很多。硬件方面，LPC2131 的资源比 51 系列单片机丰富得多。在 8 位 51 单片机中，大多要进行外扩。LPC2131 带有丰富的外设接口,比如串口、USB、网口等， 可以方便的与上位机进行通信并实现嵌入式操作。在软件方面，引入了操作系统。在后期的 开发中，可以在操作系统上直接开发应用程序，并引入进程的管理调度系统，使系统运行更 加高效。 2.4 微安培检测器的主要性能指标 1）检测电位控制范围：5V； 2）检测电位控制精度：2.44mV； 3）电流测量范围：nA 级甚至更小（通常在几百 pA几十 nA 之间）； 4）输出电流：最大1A； 5）参比电极输入阻抗：1012； 6）信号发生、数据采集：12 位串行 D/A、A/D 转换器。 长春工程学院毕业设计（论文） 9 3 安培检测系统核心问题恒电位仪的设计 在所有研究电极反应的试验中，精确控制或测量电位、电量或电流是实验的基本要求， 恒电位仪是电化学测试中最重要的仪器。恒电位仪不但可用于各种电化学测试中，而且它也 是一种重要的金属制品(主要是铁)阴极防腐保护装置，通过控制使被保护的金属制品始终处 于某一电位，从而防止金属制品离子腐蚀。它还可用来控制恒电流或进行各种电流波形的极 化测量。电流-电位曲线，即极化曲线的测定，一般也是用恒电位仪法。 3.1 恒电位仪的工作原理 恒电位仪是指由它控制电极电位为指定值，以达到恒电位极化的目的。若给以指令信号， 则可使电极电位自动跟踪指令信号而变化。譬如，将恒电位仪配以方波、三角波或正弦波发 生器，就可使电极电位按照给定的波形发生变化，从而研究电化学体系的各种暂态行为。 恒电位仪电路必须满足两个条件:一是具有基准电位(也称给定电位)，使恒电位值可调。 二是满足恒电位仪的调节规律，也就是当电路的参数变化时，如电源电压变化或由于电化学 变化的延续引起的电极电位漂移，恒电位应具有自动调节能力。自动调节电位必须向电位偏 移的反方向进行，才能使电极电位保持恒定。 由于运算放大器的开环放大倍数很高(104)，故用它组成的恒电位仪可达到很高的精度。 另一方面运算放大器的响应时间很短，因而恒电位仪的调节过程很快。恒电位仪的调节靠深 度电压负反馈来实现,也就是将部分输出电压馈入放大器倒相输入端，放大器用来将输入端 之间的电位差保持在零。在这些输入端之间出现的任何误差（+）被放大而给出输出-AV ,它可使误差+减小而回到零。在实际装置灵敏度极限内，输出电压准确的跟踪着输入VV 电压。从而使参比电极与工作电极之间的电位差(R-w)严格等于输入的指令信号电压Ui . 用运算放大器构成的恒电位仪，在电解池电流取样电阻以及指令信号的连接方式上有较强的 灵活性。可以根据电化学测试的具体要求，选择设计不同类型的恒电位电路。 7 3.2 恒电位仪的基本结构 3.2.1 简单恒电位仪 图3-1给出了最简单的一种，虽然它很少有实用价值，确概述了有关原理。图中电化学 池被近似化为一种溶液电阻与双层电容串联的极为简单的等效电路。可以看到这一装置只是 一个简单的电压跟随器，它将RE和WE间的输出电压保持在程序设定的电位E。处于接地电位 的工作电极相对于参比电极有一个-E的电位。因此输入电压在电池中被倒了相。在这一回路 长春工程学院毕业设计（论文） 10 中也没有测量通过电池的电流的装置，且恒电位仪在任何时候都不能加上多于一个单位的信 息。 7 图3-1 简单恒电位仪 图3-2给出了一种更好的设计，暂时忽略放大器2和3，可以看到放大器1在倒相加法器结 构中是控制放大器。此电路用来保持累加点S处于虚地，这样可设定电位E 和E 在参比电极 12 和接地之间进行倒相、累加和控制 。工作电极的电位由放大器3保持虚地状态，这样工作电 极相对于参比电极的电位为+（E +E ），在这种恒电位仪中没有符号转化。在电化学系统中 12 反馈回路含有参比电路，和恒电位仪的输入电流不能大到足以极化这一电极。通过在反馈回 路中包括一个电压跟随器作为阻抗匹配单元就做到了这一点。这样参比电极上的电流可只归 之于运算放大器的输入阻抗和输入偏流。放大器3形成了电流跟随器电路的基础，用来测定 流过电池的电流 ，并使之以电压的形式显示出来，简单的表示为iR。 f 7 长春工程学院毕业设计（论文） 11 图3-2 加和结构工作的恒电位仪 3.2.2 本文采用的恒电位仪结构 图3-3为本文采用的恒电位仪结构，图中在控制放大器的反馈回路中放置一电阻器，并 用差分放大器测量它两端的电压，电压跟随器用作阻抗变换器，同时可防止电化学池电流对 地的分流。如果这些是FET运算放大器，R就可能大到1M，R两端产生的电位由差分放大 f f 器进行测量，当R = R =R =R 时，电流由Eout/R给出。但应注意选择的R不能超过恒电 1234ff 位仪的输出电压限。对理想的差分放大器，E只与（E -E ）有关，而与相对于地的输入电位 12 绝对值无关。相关计算公式如下： 7 Eout= (式3.1) 1 1 2 2 43 4 1 2 )1 (E R R E RR R R R 当R = R =R =R 时 1234 Eout=E - E I= (式3.2) 21 f R Eout 长春工程学院毕业设计（论文） 12 图3-3 利用差分放大器结构测量电流 3.3 恒电位仪的性能要求 3.3.1 负载特性： 即控制精确度或恒电位仪的跟随能力。电化学研究用的恒电位仪要求控制电位的精确度 一般为毫伏级(通常1 mV)，输出电压一般超过l0V，电流的变化为安培级，控制电位的 可调范围约4V。因此，要求组成恒电位仪的运算放大器漂移小、噪声低、增益高、共模抑 制比大。 7 3.3.2 输入阻抗： 恒电位仪的输入阻抗问题，实际上是参比电极可以允许流过多少电流的问题。流过参比 电极的电流是研究电极与辅助电极之差，它可能引起参比电极极化甚至钝化，并在参比电极 Luggin毛细管产生欧姆电位降，影响恒电位仪的精确度。因此，一般恒电位仪的输入电流上 限为0.1uA，即流经参比电极的电流要小于10A，或者说恒电位仪的输入电阻要大于 7 10，这样才能保证恒电位仪的控制精度在毫伏级。为了提高输入阻抗，常采用场效应管 7 作输入级的运算放大器，采用电压跟随器和偏置电流补偿电路也可提高放大器的输入阻抗。 7 长春工程学院毕业设计（论文） 13 3.4 恒电位仪的器件选择与参数计算 3.4.1 控制放大器的电路的选择 恒电位仪中的主控制放大器实质是一种工作在深度负反馈下的直流放大器，根据性能要 求，需选用一种高精度、输入失调电压漂移小、噪声低、共模抑制比大的运算放大器。 经比较选用运放 OP07 符合上述主控制放大器的性能要求:输入失调电压温漂 0.7mV/0C、输入失调电流温漂 12pA/0C、共模抑制比 110 dB 等。OP07 是双电源供电，使用 温度范围为 0-70 C，可采用 200k 可调电位器对 OP07 调零。其应用电路如图 3.4 所示。 8 图 3-4 OP07 应用电路 3.4.2 电压跟随器的设计 安培检测的检测电流通常在 pA-nA 级，因此运算放大器应选择具有极为低的输入偏流， 因为这是测量中误差的主要来源。若放大器的输入偏置电流与信号电流量级相同，则信号将 被偏流所淹没。因此，参比电极电路应具有高的输入阻抗、极小的输入电流。 这里采用同相电压跟随器作为阻抗变换单元，利用 FET 输入阻抗高的特点可使输入电阻 达到（10 -10），本设计选用 LF357，集成运放 LF357 的输入级是结型场效应管，其 912 输入阻抗为 10，具有比较高的转换速率-SR= 5V/us。该运放要求双电源供电，供电电压的 12 极限值为18V，使用温度范围为 0-70C，其典型应用电路如图 3-5 所示： 长春工程学院毕业设计（论文） 14 图3-5 LF357 同相高阻抗电压跟随器 3.4.3 信号前置放大器的设计 电化学池输出的直流电信号极为微弱，量程范围在 nA 级甚至更小。放大器的漂移以及 电路中的噪声将是影响测量精度、灵敏度的重要因素，降低噪声的方法主要还是从电路方面 考虑。根据传感器的噪声和阻抗特性设计好前置放大器是信号通道中低噪声放大的关键。 数据放大器是一种闭环的差分电压增益器件。它与集成运算放大器的主要区别就在于数 据放大器是一种闭环的电压放大器件，它的性能都是在闭环情况下表现出来的。数据放大器 具有相当高的差模输入阻抗和共模输入阻抗，这就允许了传感器的输出阻抗可以不为零，信 号源阻抗可以不平衡。同时它有相当低的偏置电流和失调电流，而这两者电流又是相当稳定 的，因此数据放大器并不要求有恒定的信号源阻抗，这就使得其可以与各种传感器相连接。 数据放大器的共模抑制比是相当高的，因此噪声的拾取、地回路的压降、使用远端传感器时 引线电阻产生的电压降等效应都能得到减小。 10 通过性能比较，本设计选用美国 AD 公司的数据放大器 AD524 。AD524 是一种精密数据 放大器，用于恶劣工作条件下要求高精度数据采集应用场合。由于高线性度、高共模抑制比、 低失调电压漂移和低噪声特性完美结合，使 AD524 适用于许多数据采集系统。数据放大器 AD524 可不需要任何外接元件，只通过 RG:与 G10, G100, G1000 引脚的不同组合连接而获得 1, 10, 100, 1000 的固定增益。使用数据放大器 AD524 作为前置放大器，简化了安培检测 器的电路设计，其优良的性能保证了电路的精度与稳定性。 11 1)AD524 的主要性能： -双电源供电:最高可达18V； 长春工程学院毕业设计（论文） 15 -输入失调电压:50 u V(最大)； -输入失调电压漂移:0.5uV/ C； -增益误差:最大:0.05% (G=1)，最大:2% (G=1000)； -共模抑制比：大于 90dB(G=1),120dB(G=1000)； -增益带宽乘积:25MHz； -建立时间:15 us； -低噪声:0.3 uVp-p, 0.1-10Hz； 2)极限参数 -电源电压：18V； -内部功耗：450mW； -输入电压：(任一端同时输入) |V|+|V |0; dly-) for (i=0; i0; dly-) for(i=0; i0; dly-) for (i=0; i0; dly-) for(i=0; i0.5)IO0PIN=0x000.5)IO0PIN=0x010.5)IO0PIN=0x100) lcdwd(*s); s+; delay(500); void hzklib() lcdwc(0x80+FIRST_ADDR); hzkdis(MM); lcdwc(0x90+FIRST_ADDR); hzkdis(TT); lcdwc(0x88+FIRST_ADDR); hzkdis(HH); lcdwc(0x98+FIRST_ADDR); hzkdis(EE); /整屏显示 /当 ii=0 时显示上面 12832 /当 ii=8 时显示下面 12832 void lcdfill(unsigned char disdata) unsigned char x,y,ii; 长春工程学院毕业设计（论文） 6