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文档简介
,晶闸管及其应用,8.1 晶闸管 8.2 可控整流电路及仿真分析 *8.3 晶闸管的保护 8.4 单结晶体触发电路 *8.5 晶闸管集成触发电路 *8.6 晶闸管电路应用举例,目 录,别名:可控硅(SCR)(Silicon Controlled Rectifier)是一种大功率半导体器件,出现于70年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。,特点:体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容量大(正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏)。,应用领域:,整流(交流 直流),逆变(直流 交流),变频(交流 交流),斩波(直流 直流),此外还可作无触点开关等。,晶闸管(Thyristor),8.1 晶闸管,1. 晶闸管结构,PNPN四层半导体结构,符号,2. 晶闸管工作原理,等效为由二个三极管组成,T1、T2都导通后,即使去掉UGK, T1、T2仍然导通,(1)阳极A加反向电压,或不加触发信号(即UGK= 0 )。,可控硅导通的条件: (1)阳极A加正电压 (2)控制极G加正的触发电压,可控硅截止的条件:,(2)可控硅正向导通后,若令其关断,必须减小UAK(或使UAK反向),使可控硅中电流小于某一最小电流IH ( IH称为维持电流),(1)晶闸管具有单向导电性。,若使其关断,必须降低 UAK 或加大回路电阻,把阳极电流减小到维持电流以下。,正向导通条件:A、K间加正向电压,G、K间加正的触发信号。,晶闸管的工作原理小结,(2)晶闸管一旦导通,控制极便失去作用。,3. 晶闸管伏安特性,IG=0时,有IG时,正向,反向,导通后管压降约1V,额定正向平均电流,维持电流,正向特性: 控制极开路时,随UAK的加大,阳极电流逐渐增加。当U = UDSM(正向转折电压)时,晶闸管自动导通。正常工作时, UAK应小于 UDSM 。,反向特性:随反向电压的增加,反向漏电流稍有增加,当 U = URSM (反向击穿电压)时,反向击穿。正常工作时,反向电压必须小于URSM。,(1) UDRM:正向阻断电压,晶闸管耐压值。一般取 UDRM = 80% UDSM (正向转折电压)。 普通晶闸管UDRM 为 100V-3000V,4. 晶闸管主要参数,控制极断路时,可以重复作用在晶闸管上的反向重复电压。一般取URRM = 80% URSM(反向击穿电压)。普通晶闸管URRM为100V-3000V),(2) URRM:反向峰值电压,(3) IF:额定正向平均电流:,通用系列为:,1、5、10、 20、30、50、100、200、300、400 500、600、800、1000A 等14种规格。,8.2 可控整流电路及其仿真电路,8.2.1. 单相半波可控整流电路,(1) 电路及工作原理,(2) 工作波形(设u1为正弦波),u2 0 时,加上触发电压 uG ,晶闸管导通 。且 uL 的大小随 uG 加入的早晚而变化; u2 0 时,晶闸管不通,uL = 0 。故称可控整流。,(3) 输出电压及电流的平均值,承受的最高反向电压:,一、电阻性负载桥式可控整流电路,(1) 电路及工作原理,u2 0的导通路径:,u2 (A),T1,RL,D2,u2 (B),T1 、D2导通, T2 、D1截止,8.2.2. 单相半控桥式整流电路,T2,RL,D1,u2 (A),u2 (B),u2 0的导通路径:,T2 、D1导通, T1 、D2截止,(2) 工作波形,(3) 输出电压及电流的平均值,例:桥式可控整流电路中,U2=220V,RL=3,可控硅控制角=15180,求输出电压平均值Uo的调节范围,以及可控硅(包括二极管)的电流平均值的最大值和承受的最大反向电压。,UL,=191V, =15,=0V, =180,=191/3=64A,*二、电感性负载桥式可控整流电路,该电路加续流二极管后电路工作情况以及负载上的电流、电压和电阻性负载类似。,两种常用可控整流电路的特点,电路 特点,1. 该电路只用一只晶闸管,且其上无反向电压。,2. 晶闸管和负载上的电流相同。,T1,T2,D1,D2,u2,uL,R,L,电路 特点,1. 该电路接入电感性负载时,D1、D2 便起续流二极管作用。,2. 由于T1的阳极和T2的阴极相连,两管控制极必须加独立的触发信号。,电路二:,*8.3 晶闸管的保护,晶闸管承受过电压的能力极差,电压超过其反向击穿电压时,即使时间极短,也容易损坏。正向电压超过转折电压时,会产生误导通,导通后的电流较大,使器件受损。,晶闸管的主要缺点:过流、过压能力很差。,晶闸管的热容量很小,一旦过流,温度急剧上升,器件被烧坏。,例如:一只100A的晶闸管过电流为400A时,仅允许持续0.02秒,否则将被烧坏;,一、过流保护措施,快速熔断器:电路中加快速熔断器。,过流继电器:在输出端装直流过电流继电器。,过流截止电路:利用电流反馈减小晶闸管的 导通角或停止触发,从而切断过流电路。,阻容吸收,硒整流堆,二、过压保护,:利用电容吸收过压。即将过电压的能量变成电场能量储存到电容中,然后由电阻消耗掉。,:硒堆为非线性元件,过压后迅速击穿,其电阻减小,抑制过压冲击。,8.4 单结晶体管触发电路,8.4.1. 单结晶体管的结构和伏安特性,1.结构,2.工作原理:,当uE UP = UA+UF 时,PN结反偏,iE很小;,当 uE UP 时,PN结正向导通, iE迅速增加。, - 分压比 (0.35 0.75),3. 单结晶体管的特性和参数,uEUV 时单结管截止,uEUP 时单结管导通,单结晶体管符号,8.4.2. 单结晶体管振荡电路,振荡波形,(1) 电路组成,(a) uE = uC UP 时,单结管不导通,uo 0。,(2)振荡过程分析,R1、R2是外加的,不同于内 部的RB1、RB2。前者一般取 几十欧几百欧; RB1+RB2 一般为215千欧。,此时R1上的电流很小,其值为:,(b) 随电容的 充电,uC逐渐升高。当 uC UP 时,单结管导通。然后电容放电,R1上便得到一个脉冲电压。,R2起温度补偿作用,UP、UV- 峰点、谷点电压,(c) 电容放电至 uc uv时, 单结管重新关断,使 uo0。,8.4.3 单结管触发的可控整流电路,一、电路,触发电路,主电路,二、波形关系,整流稳压电路部分,单结晶体管电路部分,可控硅桥式整流电路部分,1. 单结管触发的可控整流电路中,主电路和触发电路为什么接在同一个变压器上?,问题讨论,2. 触发电路中,整流后为什么加稳压管?,3. 一系列触发脉冲中,为什么只有第一个起作用?其移相范围(即控制角 的变化范围)有多大?,4. 输出电压如何调节,其大小如何计算?,1. 单结管触发的可控整流电路中,主电路和触发电路为什么接在同一个变压器上?,保证主电路和触发电路的电源电压同时过零(即两者同步),使电容在每半个周期均从零开始充电,从而保证每半个周期的第一个触发脉冲出现的时刻相同(即 角一样),以使输出平均电压不变。,2. 触发电路中,整流后为什么加稳压管?,稳压管的作用是:将整流后的电压变成梯形(即削波),使单结管两端电压稳定在稳压管的稳压值上,从而保证单结管产生的脉冲幅度和每半个周期产生第一脉冲的时间,不受交流电源电压变化的影响。,3. 一系列触发脉冲中,为什么只有第一个起作用?其移相范围(即控制角 的变化范围)有多大?,根据单结管的特性,它一旦触发导通,在阳极电压足够大的条件下,即使去掉触发信号,仍能维持导通状态。因此,每半个周期中只有一个触发脉冲起作用。,触发脉冲移相范围的计算,f电源电压的频率,4. 输出电压如何调节,其大小如何计算?,RP,电容充电速度变慢,电压的调节,电压的计算,UL,8.6 晶闸管电路应用,拨盘式密码锁控制电路,拨盘,工作原理,根据晶闸管的特性分析可知,开锁时三个晶闸管的工作顺序应该是:T1T2T3。否则T3或T2将因阳极和阴极间加不上电压而不导通,继电器线圈不通电,锁打不开。,1. 开锁时晶闸管工作情况,UCC,T3,T2,T1,J,D1,D2,T1导通时的路径,T1导通时的路径如图中 虚线,此时发光管D2导 通,给出指示信号。,2. 开锁过程,根据开锁时三只晶闸管导通顺序的要求以及 图中连线,可知开锁过程如下:,拨盘拨至10,T2导通,按
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