MC9S12XET256RMV1(龙丘智能V1.19)--第九章-安全部分翻译.doc

第九章安全（S12XE9SECV2）表9-1。修订历史修订数修订日期受影响更改说明V02.0027 Aug 2004审查并S12XD架构更新V02.0121 Feb 2007新增进行S12XE，S12XF和S12XS架构V02.0219 Apr 2007更正声明关于通过后门上XE的主要通道，啸风，X的的BDM9.1简介本规范描述了在家庭进行S12XE芯片（9SEC）安全机制的作用。注意没有安全的特点是绝对安全的。但是，飞思卡尔的策略是让阅读或复制的FLASH和/或EEPROM困难未经授权的用户。9.1.1 特点用户必须提醒的是，在安全的一部分必须由应用程序代码。一个极端的例子.将应用程序代码转储内部存储器的内容。此举的目的失败安全性。同时，用户也不妨把在应用程序中的后门。一个这样的例子就是用户下载一个通过SCI，它允许访问一个安全的关键编程例行的更新参数另一部分闪存存储。在家庭进行S12XE芯片的安全特性（在安全模式）：保障非挥发性记忆体（闪存，EEPROM）内容执行命令的NVM限制禁止通过访问内部存储器的背景调试模块（的BDM）禁止访问内部闪存/ EEPROM在扩展模式禁用CPU和XGATE的调试功能9.1.2操作模式表9-2给出了一个以上的安全相关的功能的可用性和安全模式，在不安全的概述。表9-2。在功能上进行S12XE不安全的可用性和安全模式1。在存储器映射闪存阵列的可用性取决于ROMCTL/ EROMCTL引脚和/或国家罗蒙/ EROMON位在MMCCTL1登记。请参阅S12X_MMC块的详细指南信息。2。受限制的非易失性存储器的命令集只。请参阅在NVM包装详细信息块指南。3。硬件的BDM命令只限于外设寄存器。9.1.3安全微控制器一旦用户编程的闪存和EEPROM，芯片可通过编程担保在选项/在快闪记忆体阵列中的安全保障字节位。这些非挥发性位将通过保持复位和掉电安全设备。选项/安全字节位于地址0xFF0F在快闪记忆体（=全局地址0x7F_FF0F）阵列。这个字节可擦除闪存，像其他任何地点进行编程。这两个字节位用于为安全（SEC1:0）。设备上有一个内存页窗，闪光灯选项/安全字节也可通过在地址0xBF0F选择具有PPAGE寄存器页的0x3F。本报告的内容字节复制到Flash安全寄存器（FSEC）在复位序列图9-1。闪光灯选项/安全字节。该位的含义KEYEN1:0见表9-3。请参阅第9.1.5.1，“不保护MCU的使用更多信息，后门键访问“。表9-3。后门键访问使能位 在美国证券交易委员会的安全位1:0的含义见表9-4。出于安全考虑，国家的设备安全性是受2位。为了把该设备在不安全模式下，这些位必须编程美国证券交易委员会1:0 =10。所有其他组合放在一个安全模式设备。提出建议的价值在安全状态的设备是无抵押状态逆，即美国证券交易委员会1:0 =01。表9-4。保密位 注意请参阅Flash块实际的安全配置指南（节“闪存模块安全性“）。9.1.4操作的担保单片机通过保护装置，未经授权的访问EEPROMand快闪记忆体内容是可以预防的。但是，必须明白的是，EEPROMand快闪记忆体内容的安全也取决于对应用程序设计。例如，如果应用程序的下载功能代码通过一个串行端口，然后执行该代码（比如一个应用程序包含引导程序代码），那么这种能力可能被用来读取EEPROM和快闪记忆体的内容，即使微控制器是在安全的状态。在这个例子中，应用程序的安全性可以得到加强通过要求一个挑战/响应身份验证之前，任何代码都可以下载。担保操作微控制器上的以下影响：9.1.4.1正常的单芯片模式（NS）背景调试模块（的BDM）的运作是完全禁用。Flash和EEPROMcommands执行受到限制。请参阅在NVM块指南细节。跟踪代码执行使用的DBG模块被禁止。调试XGATE的代码（断点，单步）被禁用。9.1.4.2特别单芯片模式（不锈钢）固件的BDM命令被禁用。硬件的BDM命令寄存器空间限制。Flash和EEPROMcommands执行受到限制。请参阅在NVM块指南细节。跟踪代码执行使用的DBG模块被禁止。调试XGATE的代码（断点，单步）被禁用。特殊的单芯片模式意味着重置后的BDM活跃。 BDM的固件提供的命令依赖于设备的安全状态。这个机制首先执行安全固件两个空白支票闪存和EEPROM。如果空白支票成功，安全性将暂时关闭并在适当的快闪记忆体位置的安全位的状态是可以改变的，如果空白检查失败，安全性将保持活跃，只有硬件的BDM命令将被启用，并且访问的内存空间限制在外围寄存器区。这将允许被使用的BDM清除而不给予进入其内容的EEPROM和闪存。删除后两个闪光存储器和EEPROM，另一为特殊的单芯片模式复位将导致空白支票成功和选项/安全字节可以被编程为“无担保“通过的BDM状态。而这个机制是执行的空白支票，BDM接口是完全被封锁，这意味着所有的BDM命令暂时封锁。9.1.4.3（NX, ES, EX, and ST）扩展模式BDM的操作完全禁用。内部闪存和EEPROM被禁用。闪存和EEPROM命令的执行受到限制。请参考FTM的块指南细节。跟踪代码执行使用的DBG模块被禁止。调试XGATE的代码（断点，单步）被禁用9.1.5不保护微控制器（单芯片和扩展）正常模式，安全性可以暂时禁用使用后门钥匙访问方法。这种方法要求：在0xFF00-0xFF07（=0x7F_FF00-0x7F_FF07全球地址）后门的关键是编程为有效的值。在KEYEN1:0位在闪光灯选项/安全字节选择启用。在单芯片模式，应用程序到微控制器编程，必须为了有能力写后门关键位置。后门关键值本身通常不会被保存在应用程序中的数据，这是指应用程序都必须用来接收从后门键值外部来源（例如通过一个串行端口）。后门密钥访问方法允许有担保单片机调试，而无需擦除闪光灯。这是特别有用的失效分析。 注意没有后门的关键词是不允许有值0x0000或0xFFFF的。9.1.6重新编程保密位在正常的单芯片模式（NS）的，安全性也可擦除和重新编程禁用安全位在Flash选项/安全字节到无抵押的价值。由于擦除操作将擦除整个行业从0xFE00-0xFFFF之间（0x7F_FE00-0x7F_FFFF），后门钥匙和中断向量也将被删除，此方法不适用于正常的单芯片模式的建议。应用程序软件只能擦除和编程Flash选项/安全字节，如果包含Flash闪存部门选项/安全字节不保护（见闪存保护）。因此，Flash保护是一个有用的手段防止这种方法。单片机将在下一次复位后进入状态下的无抵押保安位规划在无抵押的价值。这种方法要求：应用程序软件之前到微控制器编程被设计有能力擦除和编程Flash选项/安全字节或禁用安全第一使用后门的关键方法，allowingBDMto被用于发出命令擦除和编程闪存选项/安全字节。闪光灯部门包含闪存/字节没有安全保障方案。9.1.7完整的存储器擦除（特别模式）微控制器可以在无担保的特殊模式通过擦除整个EEPROM和闪存内容。当一个安全微控制器是为特殊的单芯片模式（SS）的复位，固件验证的BDM是否EEPROM和快闪记忆体将被删除。如果任何EEPROM或Flash存储器地址不抹去，只有硬件的BDM命令启用。硬件的BDM命令可以被用来编写到EEPROM和Flash寄存器，擦除所有的EEPROM和快闪记忆体块。当进入下一个特殊的单芯片模式复位，这个机制固件将再次验证是否所有的EEPROM与快闪记忆体被删除，而在这种情况下，让所有的BDM命令，允许对Flash/安全选项字节进行编程，以无担保的价值。美国证券交易委员会的安全位1:0在Flash安全寄存器将指示不安全状态下的下一个复位。Yngyng chngx runjin zhqin do wi kngzh q binchng bi shjYu nngl c ch h binchng Flash xun xing/nqun z ji hu jnyng nqun d yShyng humn de gunjin fngf, allowingBDMto bi yng y fch mnglng c ch h binchngShncn xun xing/nqun z ji.Shngungdng bmn bohn shnc