（凝聚态物理专业论文）inn纳米线反常输运性质研究.pdf

山东大学硕士学位论文 摘要 近年来，i i i 族氮化物半导体如g a n 、a 1 n 和i n n 在光电子器件以及高速晶体管领域 的潜在应用价值而受到广泛的研究。理论研究表明，i n n 在所有的i i i 族氮化物中具有 最高的饱和电子漂移速度、最小的有效电子质量以及较高的电子迁移率，因此，i n n 材料被认为是理想的光电( 如激光二极管、高效太阳能电池) 、高频、大功率、高速电 子器件。本论文主要研究了i n n 纳米线的反常输运性质。i n n 纳米线的输运性质的研究 对进一步理解i n n 材料的物理性质，促进i n n 材料在电学光学装置中的应用具有重要的 意义。 本论文主要由以下几章组成： 第一章简要介绍了i n n 材料的基本性质、制备、电学特性、光学特性以及最新的 应用。 第二章介绍了近年来实验中发现的i n n 纳米线电阻、电导率反常现象，以及相关 的理论研究。0 6 年c h a n g 等人在测量i n n 纳米线时发现，当纳米线的直径小于9 0 纳米时， 纳米线的电阻会随着横截面积的减小而减小。这违反欧姆定律，是i n n 纳米线的反常 输运性质。0 7 年c a l l c j a 等人的研究发现直径较小( 4 0 1 0 0 n m ) 时i n n 纳米线的电导率 是随着其直径的倒数的增大而增大的。电导率的变化表现了i n n 纳米线的输运性质的 特殊性。通过对以前相关理论研究的分析，我们发现杂质原子的散射和过长的横截长 度l t 导致的接触电阻r c 的变化虽然对纳米线的电阻有一定影响但应当不是导致电阻 反常现象的主要原因。这些理论分析没有考虑到i n n 材料的独特性质，即高浓度的表 面电子积累层。因此难以反映i n n 纳米线反常输运的真正的微观机理。 在第三章中，我们具体研究了高浓度的表面电子积累层对i n n 纳米线输运性质的 影响，给出了我们对于i n n 纳米线微观输运机理的研究结果。由于表面电子积累层这 一独特性质，i n n 材料的电输运方式可分为表面传导和体传导两部分。第一，我们根 据i n n 纳米线的性质把i n n 薄膜中的平均载流子浓度公式推广到i n n 纳米线中得到i n n 纳米线中的平均载流子浓度公式，并找到一个平均载流子浓度与迁移率关系公式。由 这两个公式，我们给出i n n 纳米线中的电导率公式，发现纳米线的电导率是随着纳米 线半径的减小而增大的，从而解释t 0 7 年c a l l e j a 等人的实验结果。第二，我们由i n n 山东大学硕士学位论文 纳米线中的电导率公式进一步推导出小半径( - 5 0 n m ) 两种情 况下的电导公式。发现当i n n 纳米线半径很大时( - 5 0 r i m ) ，体传导占支配地位，表 面传导可以忽略，纳米线的总电导公式可以回到欧姆定律；而当i n n 纳米线的半径较 小时( 5 0 n m ) i sd u et ot h eb u l kc a r r i e rt r a n s p o r t t h e e x p r e s s i o no fc o n d u c t a n c ei nl a r g er a d i u s ( - 5 0 n m ) i n nn a n o w i r e si sc o n s i s t e n tw i t ht h e c l a s s i c a lo h m sl a w h o w e v e r , f o rs m a l lr a d i u sn a n o w i r e s ( 3 ) ，还可以应用到光子晶体的设计中瞄2 3 】。 o h 0 n 9 h 0 n 图1 1 ( a ) 六方型纤锌矿结构( b ) 闪锌矿结构f l q 1 2i n n 材料的制备 制备高质量的i n n 体单晶材料和外延薄膜单晶材料是研究和开发i n n 材料应用的 前提。但是，制造i n n 薄膜有两大困难，一是h 1 n 材料的离解温度较低，在6 0 0 左右 就分解了，这就要求在低温下生长i n n ，而作为氮源的n h 3 的分解温度较高，要求1 0 0 0 左右，这是i n n 生长的一对矛盾，因此采用一般的方法很难制备单晶体材料，目前 制造i n n 薄膜最常用的方法是m b e 、h v p e 、磁控溅射、m o c v d 技术f 2 4 1 ；二是很难 找到合适的衬底，由于i n n 单晶非常难获得，所以必须得异质外延i n n 薄膜，这就很难 避免晶格匹配这个大问题。一般都是在蓝宝石衬底上先生长氮化物的缓冲层，然后再 异质外延i n n 薄膜，研究表明，g a n 缓冲层上生长i 约i n n 薄膜比较理想【7 8 】。 当前，等离子体辅助( p a m b e ) 技术是优良i i l n 薄膜制备的主要方法。其直接以 金属i n 的分子束作为i i i 族金属有机源，利用等离子体辅助增强技术激发n h 3 或n 2 作为 n 源，在衬底材料表面反应生成i n n 。实验结果充分表明，这种方法制备的i n n 薄膜质 量高，可重复性好：2 0 0 6 年3 月，c h a ds g a l l i n a t 等人【7 1 利用等离子体辅助m b e 方法在 山东大学硕 ：学位论文 g a n 缓冲层上生长了i n 极化i n n ，室温下电子迁移率高达2 2 5 0 c m 2 v s ，表面电子积累 层密度为5 1 l 1 0 b c m ，最厚的i n n 样品禁带宽度约为0 6 5 e v 。随后，c tk o b l m u l l e r 等人利用等离子体辅助m b e 方法利用高质量的g a n 模板的氮表面上生长了i n n ，实现 室温电子迁移率高达2 3 7 0 c m 2 v s 。表面电子积累层密度为3x1 0 1 3 c m 2 ，i n n 样品禁带 宽度约为0 6 2 6 e v 。m b e 技术生长可以精确控制外延膜厚度，得到优良的外延材料， 但生长的速度较慢，对于较厚要求的外延生长耗时过长，不能满足大规模生产的要求。 对于光电器件，特别是l e d 、l d 芯片，一般都采用用m o c v d 技术。 m o c v d 技术是以i n 有机源为金属源，以n 2 作为载气，n h 3 作为氮源，通过二步 工艺或其它手段在低温5 0 0 。c 左右进行i n n 生长。m o c v d 的生长速度适中，可以比较 精确地控制外延薄膜厚度，特别适合于光电器件的大规模工业生产。利用此方法生长 i n n 薄膜，温度的控制是非常关键的，生长温度严重影响着单晶性、表面形态、生长 速率，电子特性等。研究表明，最佳的温度范围是5 0 0 6 5 0 c 。p s i n g h 等a t 2 5 l 在不同 温度下利用m o c v d 在蓝宝石衬底上的g a n 缓冲层上生长了i n n ，发现在5 5 0 的生长 条件下，样品质量较好，光致发光带隙为( 0 7 e v ) ，强度最强，电子浓度最低( 7 1 0 1 8 c n l - 3 ) ，迁移率最大( 1 3 0 0 e m 2 n s ) 。同时也发现随着生长温度的增加，光致发光峰 向高能方向移动。最近，m a l e v l i 等人瞄】利用高压m o c v d ( h p m o c v d ) 技术分别在 蓝宝石和g a n p l - 延层上生长了i n n 薄膜，此方法打破了常规条件，在温度高达1 1 5 0 k 、 大气压为1 5b a r s 的条件下外延i n n 薄膜，得到了载流子浓度在1 0 1 9 c m 刁、迁移率为 4 3 0 c m 2 v s ，带隙为1 1 e v 的高质量i n n 薄膜。这在制备方法上是一个新突破，有望带 来新的发展。 最近也有一些关于磁控溅射口7 1 、h v p e 2 硼制备i n n 薄膜的报道，但这些方法制备 出的i n n 薄膜质量较差，重复性也不好。 1 3i n n 材料的电学特性 对i n n 材料最为关注的就是其带隙问题，到现在还有很多问题没有解决。虽然 现在很多文献中都认为其带隙为0 铲- o 9 e v ，但也有文献认为i n n 的带隙也许比这 个值稍大一些【2 9 1 ：1 2 5 一1 3 0 e v 。持较大带隙观点的认为带隙为0 6 一一0 7 e v 的这些 样品中也许含有深的缺陷能级，文献 2 9 1 认为i n n 中存在深能级缺陷，大约是0 5 e v ， 4 山东大学硕j ：学位论文 这样一来0 7 e v 正好对应的是1 2 5 1 3 0 e v 。持低能带隙的认为测得较高带隙的样 品是由于掺入杂质、m o s s m b u r s t e i n 效应，或是其它因素造成的。文献 3 0 】中研究 了氧掺杂对i n n 带隙的影响，通过掺入不同的氧杂质，得到了带隙从o 7 1 0 连续 变化的禁带，说明氧是造成带隙变宽的一个因素。造成i n n 样品带隙过高的另一个 潜在因素是m o s s b u r s t e i n 效应【3 ，如图1 2 所示，当导带中电子浓度超过导带边缘 的能态密度时，费米能级就会处在导带中，电子填充了导带底，此时由光学吸收方 法所测得的带隙将会偏大，即吸收峰将会随着电子浓度上升而向着高能方向移动， 此效应已被很多实验所证实2 6 川。虽然在带隙问题上还有争论，但最近很多文献【3 2 】 表明i n n 的带隙是在0 7 e v 左右，而且具有非常高的重复性，对于较高带隙的样品， 大都是质量较差的样品。p p c h e n 等人1 3 3 1 在不同生长条件下利用n 2 辅助等离子体 m b e 方法在以a 1 2 0 3 为衬底的g a n 缓冲层上生长了i n n 薄膜并做了相关的电学光 学测试。研究发现实验所观测到的i n n 带隙强烈的依赖于生长条件，不同条件生长 的i n n 薄膜，其带隙有很大的变化。实验中将衬底温度从2 0 0 增加到5 0 0 ，样 品质量大大提高，带隙从1 8 e v 下降到了1 1 e v 。这进一步支持了高质量样品的窄 带隙观点。 图1 2i n n 带隙随电子浓度的变化1 3 l 】。 i n n 材料的另一个重要问题是本征i n n 都呈现出很强的n 型电导特征，这与g a n 有 些相似，但在i n n 中这个问题更加严重。由图1 3 中我们可以看出i n n 的费米稳定能级 e b 在导带里面，这就意味着在i n n 中即使电子浓度升高，费米能级增大，也很难形成 山东大学硕二i 二学位论文 p 型的本征补偿缺陷，这就使得电子饱和浓度变得非常大，理论计算表明【3 4 】其饱和电 子浓度n s 接近1 0 2 1 c m 一。很多文献也解释了本征i n n 的强n 型特征，最近文献【3 5 】利用霍 尔测试方法对一批高质量的i n n 薄膜进行了测量，结果发现随着样品厚度从 5 0 n m 1 2 0 0 0 n m 逐渐增加，电子浓度从1 0 1 9c m 。3 降低到了1 0 1 7 c m 。作者认为杂质和i n n 表面贡献的电子浓度不能完全解释这个现象，从而认为材料中的位错n 空穴( v 十n ) 也应 该是产生自由电子的一个因素，实验与理论计算非常符合。由于在g a n 中，费米能级 在稳定费米能级e b ( 通常表示为e f s ) 之上，根据两性缺陷原理f 3 6 】，此时v - g a 的形成能e f 比较低，样品容易形成大量的g a 空穴，对n 型造成一定的补偿，所以在本征的g a n 中， 自由电子浓度并不是很大。而在i n n 中，由于其费米能级远在e b 之下，所以v + n 的形 成能e 扔然较低，即可以形成大量的v + n 施主缺陷，或是其它施主类缺陷以及表面施 主态1 3 ，增大了自由电子浓度，特别是在样品表面。 图1 3a i n 、g a n 、i n n 中的稳定费米能级( e b ) 1 3 5 1 。 最近备受关注的是i n n 的p 型掺杂问题1 3 9 , 4 0 1 。要实现i n n 基光电子器件，如高效率 太阳能电池，发光二级管， 激光二极管，高速高频晶体管，则首先必须得获得良好 的p 型掺杂，这对i n n 材料提出了很大的挑战。g a n 中价带顶在稳定费米能级( e f s ) 之下 2 7 e v 下，理论上预测其最大空穴浓度是1 0 1 8 c m 3 【3 8 1 。由图1 3 可以看出，i n n 中价带顶 在e f s 之下约1 5 e v 处，更接近费米稳定能级，所以相对于g a n ，i n n 的p 型掺杂应该更 容易实现。然而由于导带底位于e f s 之下在0 9 e v ，根据两性缺陷原理，自由电子浓度 比较大，这使得p 型掺杂的实现和测量都变得非常困难。然而，尽管如此，最近也有 6 9)夸罢埘 山东大学硕士学位论文 文献报道了有关i n n 的p 型掺杂，文献【3 9 】利用m b e 技术在以c 轴取向的蓝宝石为衬底 的2 0 0 r i m 厚的g a n 缓冲层上，生长了大约有5 0 0 n m 厚i n n 夕l - 延层，并进行了不同程度的 m g 掺杂，从2 x1 0 2 0 至t j l x1 0 2 1 c m 。3 。由于i n n 材料中可靠的肖特基接触还未被证实，所 有研究过的会属都显示欧姆接触，所以标准的电容一电压测量法( e l e c t r o l y t e b a s e d c a p a c i t a n c e v o l t a g e ( c v ) m e a s u r e m e n t s ) 是不可行的。文中用电解液形成i n n 的整流接 触，由基于电解液的电容一电压测量法来测量表面附近的电荷浓度与深度的关系。研 究发现：m g 掺杂i n n 样品内部呈现出较强的p 型特征，而表面是个n 型反型层。样品内 部的p 型特征是将表面的自由电子积累层的电导特征隔离后测得的，因此只证实了体 内受主的净浓度，不能证实自由空穴的存在，m g 受主的结合能还是未知的。也许在 室温下只有小部分m g 受主杂质电离，这需要进一步定量测量p 型i n n 体内净的电离受 主的浓度。p a a n d e r s o n 等人【加】利用p a _ m b e 技术制备了m g 掺杂i n n 薄膜，利用可变 磁场霍尔效应、光荧光实验，c v 分析等方法研究了不同浓度m g 掺杂i n n 的电学和光 学特性。研究发现m g 的电离能大约为1 1 0 m e v ，在n 型表面层下面存在很强的p 型特征。 1 4i n n 材料的光学特性 由于早期制备的i n n 材料质量不好，具有非常高的电子浓度：n c 1 0 2 0 一 1 0 2 1 c m 3 【4 1 1 ，所以观测不到光致发光谱，带隙只能由吸收谱来估计。后来才在电子浓 度n e l 一2 1 0 1 9 c m 。3 或是更小的样品中观测到红外发射光谱。文献 4 2 】利用能量从 2 4 l 珈8 1 e v 的激光器作为激发源研究了不同厚度的i n n 样品的光致发光谱和吸收谱。 发现高分辨率的光致发光谱包括三个峰，能量从0 5 0 蓼 o 6 7 e v ，如图1 4 所示： 7 山东火学硕士学位论文 e r m r g y e v ) 图1 4i n n 样品在液氦和液氮中的光致发光谱4 甜。 图中中间的峰来自导带上简并的电子与局域在深受主态上的空穴的复合，深受 主能级大约是e d 棚0 5 0 _ 川0 5 5 e v 。由于最低能量的峰与中间峰之间的差值正好是l o 声子的能量【4 3 1 ，因此可以认为最低能量的峰是由于声子参与复合而导致的。对于最高 能量的峰有两种解释：第一种机制是电子到浅受主能级的跃迁( e 。h = 0 0 0 5 珈0 1 0 e v ) ， 或是自由电子到价带尾态的光生空穴的跃迁。第二种机制是带与带之间的自由电子和 空穴的跃迁。这是非故意掺杂i n n 中的光致发光谱，如果以上解释成立的话，其中的 浅受主能级、深受主能级是如何形成的呢? 这一点还有待于进一步研究。其中两个能 值较高的光致发光峰相对强度强烈的依赖于温度和激发功率，从图1 4 中可以看出， 当样品从温度较低的液氦移至温度较高的液氮时，两个能值较高光谱的强度重新分 布。这个现象可以由以下公式给出1 4 剐： 咖m 缈) 2 g 噶胁p ( 一等 ，) 当温度升高时，对于带带跃迁和导带到浅施主能级的跃迁，发光峰向高能方向移 动。 图1 5 给出了在不同激发强度下i n n 的光致发光谱，从图中可以看出，随着激 发强度的增加，相对于浅受主能级的发光峰强度增加，并且出现蓝移，而相对于深 受主能级的发光峰几乎不随激发强度的变化而变化。这是因为当激发强度逐渐增加 8 一沂llc：e哂一釜fstj霉cj乱 山东大学硕士学位论文 时，浅受主能级上的电子逐渐全部被激发到导带上，空穴态延伸到价带内，此时光 致发光强度增加，并且发光峰出现蓝移。而对于深受主能级，当激发强度增加时， 能级上的局域空穴态很快达到饱和，再增加激发强度时，发光强度不再增加。 5 2 1 0 2 o 1 o 5 s0 6 00 6 50 7 0 e n e r g y e v ) 图1 5i n n 样品在不同激发强度下的光致发光谱| 4 2 1 。 最近，文献【4 4 】也做了关于1 1 1 n 薄膜的光致发光谱实验，图1 6 是他们的实验结果。 富 善 譬 - _ 襄 暑 耋 芷 w t c m t 3 j wcma3jht0 w t c m 1 3 91 0h t 3 1 1 0 w t c m 。 一3 。9 、 - _ l o 、 。 、 - _ 。w 把雨。 1 - 4 ，。 彩气 a ) m r 一 一x 捧 一冀i s 0 x7 鞠 3 s t 0 w i c m w l 0 w l c m 3 i x l w l c m 3 t t w t c m 一3 9 w ，踊 、 。 ，、 毛瓠t f 、 矿o 卜r x r 。江 少涟 ( b ) 一i “ xi 糟 - x ； 口_ 伯0 8 0o e 2o o s o 8 l0 7 0 o 7 2 乱7 o 醐0 6 00 8 20 6 40 6 6o 朗瓯7 0o 7 20 7 4 e n e h l yl v i e n e r g yl v i 图1 6 不同i n n 样品在不同激发强度下的光致发光谱【州。 从图1 6 中可以看出，与前面不同的是光谱结构比较单一，只有一个峰，改变激 发功率，峰值增加并向高能方向移动，但光谱的结构没有变化。同时载流子浓度的增 9 s；l口童l搴u墨皇-l盈 皇q奢-誊c嚣量k 山东大学硕：仁学位论文 加也会使峰值向高能方向移动。此情况与前面的浅受主能级对应的发光峰有些相似， 可以认为是导带自由电子向浅受主能级和价带中的空穴的跃迁而造成的。文中也认为 这是导带中自由电子和价带尾态的非平衡空穴的跃迁，也就是说样品中并不涉及到深 能级的跃迁，这与前面的研究有些出入。对于这个问题还需要进一步研究，从而确定 是否有深受主杂质以及深受主杂质的来源。 1 5i n n 材料的最新应用 理论上已经预测i n n 基器件有很多优良特性，但其在实际应用方面的突破性进展 一直不大，这主要是由于材料制备比较困难，很难获得优良的材料。理论上研究表明 i n n 材料在室温下最大的迁移率高达1 4 0 0 0c m w s ，远远大于g a n 的( 1 0 0 0 c m 2 n s ) ，这 意味着i n n 材料在高频厘米和毫米波器件应用上具有非常独特的优势。最近，t a ：t s u o o h a s h i 等人【4 7 l 利用p a m b e 技术生长了高质量的i n n i n o 7 5 g a n o 2 5 多量子阱，价带差 约为0 9 e v 。在室温下通过改变量子阱的厚度可以得到1 5 9 1 9 5 1 a m 光致发光谱，由 于量子限制效应，发光峰随着i n n 阱宽的减小而出现蓝移。r i c a r d oa s c a z u b i 等人报道 了由i n n 薄膜所产生的太赫兹发射。他们利用波长为8 0 0 n m 的钛一蓝宝石激光器产生 的7 0f s 脉冲激发i n n 薄膜，从而产生t h z 脉冲发射。i n n 薄膜是利用m b e 在蓝宝石衬底 上的g a n 缓冲层上制备的。实验发现i n n 中的t h z 发射要比以往半导体材料中的都要 强。这表明生长在a i n g a n 缓冲层上的i n n 薄膜是非常有前景的t h z 表面发射器。 由于i n n 带隙较小，在红外区域，这就为制各高效率i n n 基光伏电池产生了可能。文献 【4 5 1 禾t j 用m b e 在g e 和蓝宝石衬底上生长了i n n 薄膜，并研究了其特性。提出实现i n n 太阳能电池必须突破的两个挑战：一是在i n n 表面或是异质结界面处存在着很强的能 带弯曲，因此不能形成整流结。另一个是i n n 的p 型掺杂，没有p 1 1 结，光生电子和 空穴对就不能分开，不能产生光生电流。实验发现n i n n p g e ，1 1 i n n n g e ， 1 1 i n n a 1 g e 都没有整流特性，这就需要进一步研究其它可能的整流接触。对于i n n 串 连式太阳能电池，证明了可以利用a 1 外延层来互连p n 结。作者认为可以发展 i n n i n g a n 串连式太阳能电池，因为i n g a n 材料光学上覆盖了整个太阳光谱。 v p a c e b u t a s 等人【4 6 】利用由钕激光器( h v = 1 1 7 e v ) 产生的2 p s 脉冲研究了1 1 1 n 外延层的光 漂白效应。实验发现i n n 薄膜中存在着非常强的光漂白效应，并且反应速度非常快 1 0 山东大学硕士学位论文 ( 2 p s ) 。在1 5 5 u m 的激光波长下仍然可以观察到光漂白效应，这说明i n n 是窄带隙半 导体。i n n 中的强的光漂白效应意味着i n n 材料可以在光通信中作为超快光开关器件和 其它器件，拓宽了i n n 的潜在应用价值。 1 6 本论文的内容 本论文旨在对i n n 纳米线电输运性质进行研究，以期对纳米i n n 材料有深入的 认识。本论文主要有三部分组成： 1 第二章将介绍近年来几个i n n 纳米线的实验中发现的电阻、电导率反常现 象，以及相关的理论研究结果。 2 第三章将介绍我们对于高浓度的表面电子积累层对i n n 纳米线输运性质影响 的研究。我们根据i n n 纳米线的性质把i n n 薄膜中的平均载流子浓度公式推广至f j l n n 纳 米线中得n i n n 纳米线中的平均载流子浓度公式。由i n n 纳米线中的平均载流子浓度公 式以及平均载流子浓度与迁移率关系的经验公式，我们推导出i n n 纳米线中的电导率 公式以及小半径( 小于5 0 n m ) 和大半径( 大于5 0 n m ) 情况下的电导公式。我们将这两 个结果与实验结果作了简单的比较，发现基本一致。 3 最后总结全文的主要工作，并对本领域内的相关问题做一下展望。 山东大学硕士学位论文 参考文献 【i m l c o h e n , n a n o t u b e s , n a n o s c i e n c e ，a n d n a n o t e c h n o l o g ym a t e r s c i e n g c 1 5 ( 2 0 0 1 ) 1 - 1 1 【2 】张立德，牟季美纳米材料和纳米结构j 匕京：科学出版社，2 0 0 1 ：2 2 2 ，4 9 0 5 2 1 【3 s 1 i j i m a , h e l i c a lm i c r o t u b u l e so f g r a p h i cc a r b o nn a t u r e3 5 4 ( 1 9 9 1 ) 5 6 5 8 【4 j g o n z a l e z , j v a l v a r e z , p h y s r e v b7 0 ( 2 0 0 4 ) 1 6 6 4 0 3 - 1 6 6 4 0 6 、 【5 】蒋荣华，肖顺，李艳氮化物半导体的研究进展半导体技术2 5 ( 2 0 0 0 ) 1 6 2 0 【6 w uj ，w a l u k i e w i c zw ，y ukm a p p lp h y sl e t t ，2 0 0 2 ，8 0 ：3 9 6 7 【7 g a lli n a tcs ，k o b l m u ll e rg ，b r o w n js a p p lp h y sl e t t ，2 0 0 6 ，8 9 ：0 3 21 0 9 f 8 k o b l m u l l eg ，g a l l i n a tcs ，b e r n a r d i ss a p p lp h y sl e t t ，2 0 0 6 ，8 9 ：0 719 0 2 【9 p o l y a k o vv ma n ds c h w i e r zf a p p lp h y sl e t t ，2 0 0 6 ，8 8 ：0 3 2 1 0 1 f 1 0 ol e a v esk ，f o u rb e ，s h u rms ja p p lp h y s ，1 9 9 8 ，8 3 ( 2 ) ：8 2 6 【l1 f us pa n dc h e ny f a p p lp h y sl e t t ，2 0 0 4 ，8 5 ：1 5 2 3 【12 s c h a f fw j ，h a il ，j e o n g h y u nh 2 0 0 0i e e e c o m e l1c o n f e r e n c eo n ，2 0 0 0 ：2 2 5 【1 3 l uh s c h a f f wj ，e a s t m a nlf ja p p lp h y s ，2 0 0 4 ，9 6 ：3 5 7 7 【1 4 y a m a m o t oa ，t s u j i n om ，o h k u b om s o le n e r g ym a t e rs o lc e l l s ，1 9 9 4 ，3 5 - 5 3 【15 y o s h i m o t om ，y a n u n a m o t oy ，s a r a i e j e h y ss t a t u ss o l i d ic ，2 0 0 3 ，0 ：2 7 9 4 【1 6 n e u d e c k e rb j ，z u h rra e l e c t r oc h e ms o cp r o e ，2 0 0 0 ，9 9 _ - 2 4 ：2 9 5 【1 7 y a m a g u c h is ，i z a k ir ，k a i w a n a p p lp h y sl e t t ，2 0 0 4 ，8 4 ：5 3 4 4 【18 a s c a z u b ir a n dw i l k ei a p p lp h y sl e t t ，2 0 0 4 ，8 4 ：4 8 1 0 【1 9 r e nf ，a b e m a t h yc r ，c h usn a p p l p h y sl e t t 1 9 9 5 ，6 6 ：1 5 0 3 【2 0 d o n o v a ns m ，m a c k e n z i ejd ，a b e m a t h yc ra p p lp h y sl e t t ，1 9 9 7 ，7 0 ：2 5 9 2 2 1 c h e nnc ，c h a n gph ，w a n g y n a p p lp h y sl e t t ，2 0 0 5 ，8 7 ：2 1 2 1 1 1 【2 2 m o u s s ar ，a o u r a g h ，d u f o u rjp jm a t e rs c i m a t e re l e c t r o n ，2 0 0 0 ，1 1 ：6 2 3 【2 3 d a v y d o vv y u ，g o l u b e vvg ，k a r t e n k onf n a n o t e c h n o l o g y ，2 0 0 0 ，l h2 9 1 【2 4 b h u i y a na g ，h a s h i m o t oa ，y a m a m o t oa ja p p lp h y s ，2 0 0 3 ，9 4 ：2 7 7 9 2 5 1 s i n g h ap ，r u t e m n ap ，m o r a l e sm s u p e r l a t t i c e sa n dm i c r o s t r u c t u r e s ，2 0 0 4 ，3 6 ： 1 2 山东大学硕j ：学位论文 5 3 7 【2 6 a l e v l im ，d u r k a y ag ，w e e r a s e k a r aa a p p lp h y sl e t t ，2 0 0 6 ，8 9 ：11 2 11 9 【2 7 s h i n o d ah ，m u t s u k u r an t h i ns o l i df i l m s ，2 0 0 6 ，5 0 3 ：8 【2 8 s u i h k o n e ns ，s o r m u n e nj jc r y s tg r o w t h ，2 0 0 6 ，2 9 1 ：8 2 9 】b r i o t0 ，m a l e y r eb ，r u f f e n a c hs jc r y s tg r o w t h ，2 0 0 4 ，2 6 9 ：2 2 【3 0 u e s a k ay ，y a m a m o t oa h a s h i m o t o jc r y s tg r o w t h ，2 0 0 5 ，2 7 8 ：4 0 2 【3 1 w a l u k i e w i c zw ，l isx ，w u j jc r y s tg r o w t h ，2 0 0 4 ，2 6 9 ：1 1 9 【3 2 m o n e m a rb ，p a s k o v app ，k a sica 2 0 0 5 ，3 8 ：3 8 【3 3 c h e npp ，m a k i n oh ，l it x t h i ns o l i df il m s ，2 0 0 6 ，5 1 3 ：1 6 6 【3 4 l isx ，y ukm ，w uj p h y sr e vb ，2 0 0 5 ，7 1 ：1 6 1 2 0 1 ( r ) 【3 5 1 p i p e rl fj ，v e a ltd ，m c c o n v i l l ec f a p p