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新材料行业分析报告,IGBT行业分析,柒,江南,怪,Contents,一,二,三,新材料行业分析,新材料行业关注选择IGBT,IGBT重点关注公司吉林华微电子股份有限公司,Contents,新材料行业分析,一,新材料行业的简述,1,新材料行业的发展现状,2,3,新材料行业发展预测,Contents,新材料行业政策解析,4,新材料行业其他环境,5,我国新材料行业的谈判地位,6,7,中国新材料现有企业的竞争力分析,一、新材料行业的简述新材料的相关概念新材料是指新近发展的或正在研发的、性能超群的一些材料，具有比传统材料更为优异的性能。新材料技术则是按照人的意志，通过物理研究、材料设计、材料加工、试验评价等一系列研究过程，创造出能满足各种需要的新型材料的技术。新材料的类型1按组分类金属材料、无机非金属材料（如陶瓷、砷化镓半导体等）、有机高分子材料、先进复合材料；2按材料性能分类结构材料、功能材料；,3按领域分类电子信息材料、新能源材料、纳米材料、先进复合材料、先进陶瓷材料、生态环境材料、新型功能材料（含高温超导材料、磁性材料、金刚石薄膜、功能高分子材料等）、生物医用材料、高性能结构材料、智能材料、新型建筑及化工新材料等。,二、新材料行业的发展现状产业规模急剧扩大，市场需求旺盛近几年，新材料产业蓬勃发展。据保守估算，现今世界上各种新材料市场规模每年已超过4000多亿美元，新材料产业将是21世纪初叶发展最快的高新技术产业之一（相关：图一）上下游进一步融合随着高新技术的发展，新材料与基础材料产业结合日益紧密，基础材料正向新材料产业拓展，这种趋势减少了材料产业化的中间环节，加快了研究成果的转化，降低了研发与市场风险，有利于提高企业竞争力多学科交叉和多部门联合材料科学工程与其他学科交叉的领域不断扩大，新材料的发展需要多部门联合推动，为使新材料的开发能满足各部门的要求，许多国家都致力于把材料发展纳入到产、学、研一体化的研发平台,根据相关研究机构的报告，2001年全球新材料行业产业规模为1928亿美元，2008年为8200亿美元，2010年达到10000亿美元，平均年增长率为20.07%。,发展的驱动力由军事需求向经济需求转变上个世纪，国防和战争的需要、核能的利用和航空航天技术的发展是新材料发展的主要驱动力而本世纪，卫生保健、经济持续增长以及信息处理和应用将成为新材料发展的根本动力工业和商业的全球化更加注重材料的经济性、知识产权价值与商业战略的关系；基于环保的需要，新材料在发展绿色工业方面也会起重要作用,因此，新材料的发展更加关注人的经济和生活需求，新材料的发展也在很大程度上围绕如何提高经济竞争力和人类的生活质量展开,三、新材料行业发展预测国际新材料行业的发展趋势1向多功能、智能化方向发展，开发与应用联系更加紧密2低成本、高性能及绿色化发展趋势明显3新材料产品标准呈现全球化趋势国内新材料行业发展趋势“十一五”规划中，新材料已经是大力发展的高技术产业之一。随着中国逐渐成为全球制造业基地，新材料将越来越显示出其发展潜力，成为支撑中国制造业的基础产业。近年来，我国先后出台一系列政策措施，鼓励、扶持和发展新材料、新能源、节能环保等战略新兴产业。而作为重点支持的领域之一，我国新材料产业在“十二五”这一新的历史发展阶段有望高速发展。,四、新材料行业政策解析近日，国务院出台了国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定。决定中指出要“大力发展稀土功能材料、高性能膜材料、特种玻璃、功能陶瓷、半导体照明材料等新型功能材料。积极发展高品质特殊钢、新型合金材料、工程塑料等先进结构材料，提升碳纤维、芳纶、超高分子量聚乙烯纤维等高性能纤维及其复合材料发展水平。开展纳米、超导、智能等共性基础材料研究。”同时，国务院近期针对十二五规划，做出了加快培育和发展战略性新兴产业的决定，先后通过高技术产业化新材料专项等7个项目大力支持新材料产业发展，更明确将新材料产业列为七大战略性新兴产业之一。在未来的五年规划中，目标十分明确。新材料、新能源行业将在国家政策规划的引导下，进入黄金发展十年。国家多重利好政策强势推动，给新材料技术的发展带来了巨大的空间。,五、新材料行业其他环境国际环境新材料行业是一类在国民经济中发挥重要基础性和先导性作用的高技术产业，发展潜力巨大。新材料和信息、能源并列为21实际三大支柱产业，是发展信息、航天、汽车、机械、生物医药等高技术产业的重要物质基础和，已成为全球经济迅猛增长的源动力和各国提升核心竞争力的焦点。国内环境中国政府也重视新材料及产业化的发展，在各项国家计划中对新材料行业给予了重点支持。同时利用国家政策进行资金引导，使得大量资金投向新材料行业。,六、我国新材料行业的谈判地位优势1政策支持凸显新材料优势2新材料支撑经济转型3.新材料产业上下游进一步融合4.新材料向多功能、智能化方向发展，开发与应用联系更加紧密5.我国新材料产业布局特有的优势6.新材料产业集群化态势7.国防军工的现代化将极大的拉动新材料的需求8.国内龙头企业自主创新能力提升，进口替代趋势明显,新材料行业的运动状态与经济活动总水平的周期及振幅相关性较小。即使在经济不景气的时期，新材料行业增长，也没有受到经济周期的影响，其推陈出新的技术进步与产品创新，为其保持良好的增长态势奠定了基础。此外，由于新材料行业技术的差距，导致行业进入壁垒大、产能扩张进程较慢，因此行业景气周期比一般行业长。从2008年10月到2009年8月，上证指数涨幅为70.97%，而新材料指数的涨幅了150%，是上证指数的两倍还多，体现了新材料行业的高速增长性。从2010年1月至今，上证指数的跌幅为17.77%，而新材料行业指数基本持平，体现了新材料行业的较好防御性。,劣势虽然我国新材料产业取得了很大进步，但与发达国家相比还有很大差距，主要表现在：拥有自主知识产权的专利成果还不够多，高性能、高附加值的产品相对较少；新材料的工程应用开发滞后，成果转化率低，规模化生产程度低；材料的合成与加工装备落后，资源和能源利用率低，单位国民生产总值所消耗的矿物原料比发达国家高2-4倍，二次资源利用率只相当于世界发达水平的1/4-1/3，废弃资源的回收技术和水平低，环境问题突出等我国新材料行业发展的成就在一些重点、关键领域，如新材料的制备技术、工艺技术、新产品开发及节能、环保和资源综合利用等方面取得了明显成效，促进了一批新材料产业的形成和发展，初步形成了完整的新材料体系，特别是在电子信息材料领域取得了显著成就。,七、中国新材料现有企业的竞争力分析新材料产业的三大特点1覆盖范围广、关联度小2投资与技术高度密集3高风险、高收益中国新材料产业具有的竞争优势1需求旺盛，产业规模不断扩大2.产业集聚，发展凸显新特色3.政府支持，形成初步产业体系,中国新材料产业发展的部分制约因素1企业转制的缺陷2市场关联度小3技术深度落后4价格协调能力弱5.与发达国家差距大,新材料现有企业竞争激烈，挑战与机遇并存在稀土新材料领域，我国稀土资源占世界总储量的80%，产量占世界总产量的70%，但其中的2/3以资源或初级产品的方式出口国外。从整体看，国内稀土新材料厂商主要生产、供应和出口低端材料产品。在电池新材料方面，近年来国内电池新材料厂商不断加强技术研发，产品竞争力逐步增强，但在锂电池隔离膜方面，几乎全部依赖进口。目前，我国新材料产业基地发展较快，新材料产业基地正成为区域经济发展的推动力量之一，同时也成为各个区域竞争的焦点，这种竞争促进了当地新材料产业的发展，也使我国新材料产业呈现区域差异。由于新材料生产对技术、生产工艺要求较高，国外一些企业在材料供应上占据主导地位，主要原因就是其在技术研发和生产工艺上领先。由于新材料研发和生产资金投入大，达到规模经济的产量也相对提高，规模较大的厂商可以降低生产成本，建立成本优势，因为此时生产规模成了新的竞争手段。,Contents,新材料行业关注选择IGBT,二,IGBT概述,1,IGBT所处环境,2,IGBT发展前景,3,IGBT投资理念,4,一、IGBT概述IGBT概念IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。,IGBT发展历史1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构（P-N-P-N四层组成），其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS（双扩散形成的金属-氧化物-半导体）工艺被采用到IGBT中来。这是随着硅片上外延的技术进步，以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的。几年当中，这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成（LSI）工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通（PT）型芯片结构。在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。,1996年，CSTBT（载流子储存的沟槽栅双极晶体管）使第5代IGBT模块得以实现，它采用了弱穿通（LPT）芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。目前，包括一种“反向阻断型”（逆阻型）功能或一种“反向导通型”（逆导型）功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。现在,大电流高电压的IGBT已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的IGBT专用驱动电路.其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。,二、IGBT所处环境全球IGBT主要供应商集中在英飞凌、三菱、ABB、富士等少数几家，我国只有少数企业从事中小功率IGBT的封装，而且尚未形成产业规模，在IGBT芯片的产业化以及大功率IGBT的封装方面，几乎是一片空白。目前有近十家企业正在或者打算进入这个行业。国家发改委2007年发布的关于组织实施新型电力电子器件产业化专项有关问题的通知，国家将实施电力电子器件产业专项，其中重点支持的项目就包括IGBT。2007年，国家科技部已将IGBT的研制列为七大课题之一。国家信息产业部产品司也在今年8月召开研讨会，旨在研究如何在国内发展IGBT并拨款予以扶持。IGBT产业将遇到前所未有的发展契机。,三、IGBT发展前景IGBT是功率半导体的技术前沿，具有节能效率高，便于规模化生产，较易实现节能智能化等优点，将成为功率半导体市场发展的主流技术。而目前该产品市场应用率较低，市场增长空间巨大。2009年我国IGBT市场为53亿元左右，目前我国IGBT市场占整个功率器件市场份额尚不足10%，我们预计未来几年IG-BT市场随着节能减排的推进将得到快速发展，增速将达到20%30%，远超整个功率器件市场。中国已经拥有较好的IGBT的产业规模，同时，部分本土企业已经积极进行IGBT制造技术的突破，并取得较好的进展。而智能电网、高铁建设、新能源汽车以及家电节能等本土市场，更为这些企业的技术突破，实现IGBT的“进口替代”创造了坚实的市场基础。,四、IGBT投资理念IGBT目前主要应用在电机、变换器(逆变器)、变频器、UPS、EPS电源、风力发电设备、数码相机闪光灯充电器、电磁炉、变频家电等工业控制和消费电子产品中，其中消费电子产品所占的比重较大。投资标的：根据这三大标准，我们推荐华微电子、中环股份与长电经济，关注科达股份。,Contents,三,新材料行业的简述,1,新材料行业的发展现状,2,3,新材料行业发展预测,IGBT重点关注公司吉林华微电子股份有限公司,一、公司概要股票代码：600360公司名称(中)：吉林华微电子股份有限公司公司名称(英)：JilinSino-MicroelectronicsCo.,Ltd.行业分类：电子元器件制造业公司经营范围：半导体分立器件、集成电路、电力电子产品、汽车电子产品、自动化仪表、电子元件、应用软件的设计、开发、制造与销售：经营本企业自产产品及相关技术的出口业务(国家限定公司经营或禁止出口的商品除外)、经营本企业生产、科研所需的原辅材料、机械设备、仪器仪表、零配件及相关技术的进口业务(国家限定公司经营或禁止进口的商品除外)；经营本企业的进料加工和“三来一补”业务。法人代表：夏增文公司成立时间：1999-10-21,二、现任高管,公司产业布局2006年我国半导体分立器件（含光电子器件）市场需求额为1088亿元，比2005年增长16.1%,占全球半导体分立器件（含光电子器件）市场规模的35.7从2006年中国半导体分立器件市场区结构来看，珠三角地区是最大的区域市场，该地区的分立器件市场占国内市场总规模的45.8。随着国内外IT制造业向长江三角洲地区的转移，该地区对分立器件在内的各类元器件的需求高于全国平均增长速度，长三角地区销售占40，京津渤海地区占10.3，其他占3.9。和市场结构相符，在产业布局方面，公司制定了“积极拓展上下游产业、积极寻求扩大产能、积极开拓珠三角、长三角市场”的投资扩张战略，公司利用吉林总厂成熟的制造能力和成本优势将其定位为制造基地，而根据公司主要客户分布，在无锡和广州设立封测厂，拉近和客户的关系，产业布局合理。这样可以减少封测的外包，进一步降低公司运营成本、增加边际贡献利润，而且能够发挥规模优势。,公司竞争能力swot分析相对国际对手有成本优势，相对国内企业有技术和规模的领先优势。市场和技术的结合，贴近市场，为客户量身定做产品。实在可靠的品质，加上有竞争力的价格，加上庞大的销量，构成公司持续的竞争力。公司的销售以直销为主，这可以降低渠道成本；同时，由研发、推广和技术支持组成统一团队，使得公司开发的产品更贴近市场，响应速度更快，有利于实现差异化优势。在价格定位方面追求长远发展，产品品质、性能向国际先进公司看齐，而价格却低于国际大公司的进口产品价格。此外，公司在产品推广方式上打破常规，在研发阶段就让客户介入，从而缩短产品进入市场的时间，满足客户的差异化需求，并与客户建立深入、长远的合作关系。,1.成本优势（1）国内生产、管理、运营成本低廉公司在劳动力成本方面具有明显的优势。在中低端产品领域，由于没有成本优势，国外企业已很难跟内资企业竞争，目前跨国公司在一些常规产品市场中已经逐渐退出；在中高端产品领域，随着资金、技术、人力资源的积累，目前国内企业也开始加强对中高端产品市场的开发，个别产品也开始挤占跨国公司的市场份额。公司作为国内最大的功率半导体器件厂商，凭借着多年研发能力的积累和低成本优势，在彩电用晶体管、机箱电源用晶体管、节能灯用晶体管等产品市场已逐渐取代跨国厂商，成为国内市场的主要供应商。半导体对动力和水的要求较高，公司地处吉林省吉林市，成本优势明显，当地的水、电资源丰富、价格低廉，人工成本也较低，与国内同行相比，具有一定的成本优势。,（2）产业链一体化优势全球主要半导体功率器件厂商的经营模式基本可以分为两类，即垂直整合模式（IDM，即业务涵盖从设计、制造、封装测试到对外销售整个流程的经营模式）和专业化分工经营模式（如专门从事专业设计的Fabless模式和专门从事芯片代工的Foundry模式），其中产业链一体化模式是大型国际厂商的传统经营模式。公司采用的是垂直整合模式，即产业链上下游一体化，公司控制市场和芯片的生产。公司拥有自己的研发力量和核心技术，能够根据市场需求进行新技术和新工艺的研发，按照客户要求进行产品设计；拥有芯片生产线和测试封装生产线，具有芯片生产和测试封装能力；拥有自己的品牌，直接面向市场进行销售；能够保持对销售渠道较强的控制能力，独立经营能力强，资源使用效率也较高。,2.技术优势公司的自主研发能力始终处于国内同行前列，一直把转化和推广高水平的科研成果作为公司的经营发展方向。多年来一直重视产品开发和技术创新工作，公司业务的拓展也是以产品和技术创新为先导。公司秉承“企业的生命在于产品，产品的生命在于创新”的产品研发理念，不断进行技术创新促进企业发展动力。公司建立研发机构省级技术中心，公司主要通过技术中心开展各项研究开发和技术创新工作。此外，通过与飞利浦、仙童半导体等国际大公司的合作，公司的技术水平和管理能力也得到很大提高，逐渐拉大了与国内同行的技术差距。公司是2006年科学技术部、国务院国资委和中华全国总工会确定的首批103家创新型试点企业之一，是半导体行业唯一入选的企业。,3.规模优势半导体行业在设备、产品研发等方面投入较大，而且产品在技术成熟后价格下跌的趋势较为明显，因此规模效益对于半导体企业维系生存、保持可持续发展非常重要。发行人是国内最大的功率半导体器件生产厂家，与其他国内同行相比，在规模效益上具有明显优势。这种优势不仅体现在对前期设备投入、产品研发投入等沉积成本的消化上，而且在原材料供应方面也能够获得比国内同行更优惠的供货价格、供货条件和供应保障。如果公司有行业整合的打算，则有利于行业竞争秩序的改善。,4行业威胁半导体行业在中国市场中属于新兴行业，有较大的发展前景，行业还是较有吸引力的，但存在较高的壁垒，包括：(1)成为合格供应商的资质壁垒公司要想成为下游企业的合格供应商，除要达到行业标准，更要通过严格的供应商资质认定。对供应商的资质认定至少在半年，一般需要多次试用后方能通过资质认定，再通过相当一段时间的小批量供货测试后才能正式成为其供应商。企业一旦通过供应商资质的最终审定，将被纳入到企业的全球供应链，可以接受其全球生产基地的采购。而且一旦确定合作关系，为保证产品品质及维护供货的稳定性，这些企业通常不会轻易改变分立器件供应商。这种严格的供应商资质认定，以及基于长期合作而形成的稳定客户关系，形成了极强的资质壁垒。,(2)资金和生产规模壁垒半导体行业属于资金密集型的行业，行业的进入需要在净化厂房、设备、技术、人力资源等方面有较高的资金投入。从事生产所需的大部分生产和检测设备需要进口；同时由于产品配套化及生产规模化的要求，新进入本行业的企业需要一次性投入大量的设备资金。除需要投资较为昂贵的制造设备及检测设备外，由于客户的帐期从一个月到三个月，厂商还需要较大的流动资金投入，服务对象也要求厂商又较大的生产规模，有足够的产能保证供货的及时。此外，近年随着单晶硅片供应的日益紧张和引线框架、键合金丝价格的持续上涨，企业运营对流动资金的需求量也越来越大，对企业资金实力提出了更高的要求，从而进一步增加了行业新进入者的市场风险。,(3)技术壁垒半导体行业同时也是技术密集型的行业，需要有较强的整体技术实力，工艺技术、品质控制水平和生产管理技术都非常重要，需要长时间的实践和积累。同时，由于下游电子产品更新换代较快，企业需要长期不断进行工艺技术、品质控制及生产管理等多方面的更新和提高。半导体分立器件制造对工艺设计和工艺过程控制的要求非常高，很多关键技术都需要通过工艺过程来实现，半导体分立器件行业的创新在很大程度上主要体现为产品生产工艺上的创新，技术水平也主要体现为产品加工的工艺水平。生产工艺的创新和技术水平主要来源于企业长时间、大规模的生产实践，需要持续的生产经验的积累，行业新进入者很难在短期内获得。此外，功率半导体器件企业和下游企业在技术和产品开发上具有非常紧密的互动关系，下游企业开发新产品往往需要所使用功率器件在工艺上进行改进或创新，甚至共同开发出新的工艺和技术。,由于半导体器件产品单位制造成本高，产品合格率极为重要，新产品上线后需要通过工艺磨合、调整和改进逐渐提高合格率，而成熟产品也需要制造过程控制技术保持合格率。虽然功率器件与其他半导体产品相比，产品的生命周期相对较长，但产品在进入技术成熟期后价格仍有一个自然下跌的过程，如果原材料成本持续大幅上涨，小企业就将面临严峻的考验，而大企业往往能够通过不断的工艺改进降低生产成本，从而取得竞争优势。研发、生产和管理等方面的专业人才稀缺。通过自我开发需经过多年的努力和积累，要在短时间内掌握成熟、稳定的核心技术是非常困难的，技术壁垒比较强。,公司募投项目的前景公司募投项目的前景可以从市场渠道、市场容量、技术三个方面予以说明。1.市场渠道利用现有客户渠道，以优惠的价格给客户试用。以国内现有的双极型功率晶体管升级换代的需求为契机，充分利用公司现有市场资源和市场网络，借助双极型功率晶体管的品牌优势，以平板电视、白色家电、开关电源、计算机、节能照明等公司已成熟市场为切入点，以较快的速度抢先成为国内VDMOS等新型功率半导体器件的主供应商，然后进一步拓展产品应用领域进入数码产品、通讯等行业。,公司现有的产品有晶体管、二极管、软快恢复二极管、阻尼二极管、可控硅、半导体放电管、MOSFET等，产品应用于家电、绿色照明、计算机及通讯、汽车电子等四大领域，主要产品包括：应用于彩色电视机和绿色照明的大功率晶体管；应用于机箱电源的高频大功率晶体管等；应用于彩显、PC机的高频大功率晶体管；应用于汽车、摩托车自动点火装置的达林顿晶体管和可控硅系列产品；应用于计算机及外设、移动通讯以及便携式电子产品的肖特基二极管；广泛应用于程控交换机、电话机、ISDN、FAX、MODEM和无线电遥控设备等领域的保护器件放电管；应用于家电音响装置的功率放大和功率输出的NPN、PNP对管等等。,2.市场容量方面双极型和MOSFET的市场需求在1：4左右，MOSFET的市场容量更大。新型功率半导体器件领域，国内当前的发展水平与国际相比，大约落后十几年，其发展与国内市场的需求相比存在巨大落差，所需新型功率半导体器件90%以上仍需依赖进口，国内生产厂家也以合资企业为主。因此，即使仅仅从替代进口的角度看，对于国内功率器件企业而言，新型功率半导体器件是一个巨大的市场。况且，如前所述，与传统功率半导体器件相比，VDMOS、IGBT和PIC等新型功率半导体器件的增长速度要快得多，市场增长空间极为可观。,募集资金项目计划产量为4万片/月，其中VDMOS2.8万片/月、IGBT0.6万片/月、PIC0.6万片/月。六英寸VDMOS每片按2,300粒、片内合格率按95%计算，则每片6英寸硅片可产出2,200粒产品，封装成成品后最多为2,200只/片，据此计算，本项目建成后，VDMOS的计划产量为6,160万只/月，年产量近7.4亿只，只占2005年国内市场需求量的6.1%；IGBT按每片合格芯粒为320粒计算，则项目建成后，IGBT的年产量为2,300万只/年，只占2005年国内市场需求量的10%左右；同样，项目PIC的计划产量也仅占国内市场需求量的极少份额。综上分析可见，项目建成投产后，公司的产能对市场的影响较小，还不能满足中国MOS产品的自然增长，产品供过于求的风险较小。,3.技术方面公司经过多年MOSFET的研究，已取得突破性进展。公司目前主要是在其麦吉柯的5寸线、6寸线小批量生产这类产品，公司已经解决了MOS生产中的关键技术，如VDMOS、IGBT和PIC设计技术、高压功率器件结终端处理技术、大面积高质量均匀栅氧化层制造技术等，并在这些设计和制造技术中形成了自己的知识产权。公司已经在生产工艺和产品储备上做好了大规模进军6代线的准备，技术风险不大。新产品技术发展方向：MOSFET：功率MOSFET的工艺水平已进入亚微米甚至向深亚微米发展。此外，采用自对准工艺减少掩膜版次数、采用非均匀漂移区降低导通电阻等新结构、新工艺也正在不断涌现。IGBT：由于既有功率MOSFET高输入阻抗、驱动电路简单等优点，又具有功率晶体管漂移区电导调制、导通损耗低的特点，IGBT在600V以上中等电压范围内成为主流的功率器件，且正逐渐向高压大电流领域发展。,PIC：技术发展趋势是工作频率更高、功率更大、功耗更低和功能更全，包括：开发出高成品率、低成本工艺且兼容于CMOS和BiCMOS；针对包括多个大功率器件的单片SPIC的研究；能在高温下工作并具有较好坚固性的SPIC的研究；大电流高速MOS控制并有自保护功能的横向功率器件的研究。在大功率集成领域，以智能功率模块（IPM）与IPEM为代表的混合集成技术将得到迅速发展。公司针对新技术的特点，有针对性的进行了技术研发和储备。新型功率半导体器件的制造对厂房、净化、超纯材料、精细线条加工、精确掺杂等多方面与VLSI有相似的技术要求，只是线条宽度可稍宽松一些。同时，新型功率半导体器件又有自己特殊需要的高耐压（几十至几千伏）、大电流（几安至几千安）、低功耗、高温工作、高频及di/dt和dv/dt高耐量等一系列要求，公司的生产工艺已可以满足产品的高性能、高成品率、高一致性的大规模生产要求。,公司现有的技术实力：已独立开发出平面、高压的VDMOS和IGBT结构设计技术；在高压功率器件结终端处理技术方面，近年来公司已在平面型产品终端技