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第三章 习题解答3，7，10，11，253/113、非化学计量化合物有何特点？为什么非化学计量化合物都是n型或p型半导体材料？解答：非化学计量化合物的特点：非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、压力有关；可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶体；缺陷浓度与温度有关，这点可以从平衡常数看出；非化学计量化合物都是半导体。由于负离子缺位和间隙正离子使金属离子过剩，产生金属离子过剩（n 型）半导体，正离子缺位和间隙负离子使负离子过剩，产生负离子过剩（p 型）半导体。6/113、说明下列符号的含义：解答：钠原子空位，钠离子空位、带一个单位负电荷，氯离子空位、带一个单位正电荷，最邻近的Na+空位、Cl-空位形成的缔合中心，Ca2+占据K位置、带一个单位正电荷，Ca原子位于Ca原子位置上，Ca2+处于晶格间隙位置。7/113、写出下列缺陷反应式：（l）NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶体；（2）CaCl2溶入NaCl中形成空位型固溶体；（3）NaCl形成肖特基缺陷；（4）AgI形成弗伦克尔缺陷（Ag+进入间隙）。解答：（l）NaCl 溶入CaCl2中形成空位型固溶体（2）CaCl2 溶入NaCl 中形成空位型固溶体（3）NaCl 形成肖特基缺陷（4）Agl 形成弗伦克尔缺陷（Ag+进入间隙）10/113、MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ/mol，计算该晶体1000K和1500K的缺陷浓度。（答：6.410-3，3.510-2）。解答：n/N = exp(-E/2RT)，R=8.314，T=1000K：n/N=6.410-3；T=1500K：n/N=3.510-2。11/113、非化学计量化合物 FexO 中，Fe3+/Fe2+ 0.1，求 FexO 中的空位浓度及x值。（答： 2.25105；0.956）解答： y 2y yFe3+2yFe2+1-3yO 2y = 0.1-0.3y y = 0.1/2.3 = 0.0435x = 1-y = 0.9565 Fe0.9565O- 25/113、某种NiO是非化学计量的，如果NiO 中Ni3+Ni2+104，问每立方米中有多少载流子？解答：设非化学计量化合物为NixO， y 2y yNi3+2yNi2+1-3yO Ni3+/Ni2+=2y/（1-3y）=10-4则 y=510-5， x=1-y=0.99
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