创伤性脑损伤诊治新进展PPT课件.ppt

创伤性脑损伤诊治新进展,控制二次脑损伤脑损伤救治的关键,1,.,概述,全球每年约有1000万创伤性脑损伤（TBI）患者，住院率、致死致残率均较高，且隨着社会发展，FBI的发生率逐年增高；重型颅脑伤属神经外科危重急症，尤其造成弥漫性脑损伤时，大多不适合手术治疗，而药物治疗效果也不理想，死亡率高达87.2%。其诊治成功在很大程度上依赖于是否能够早期发现继发性脑损害，如脑水肿、颅内出血、缺血等。第四军医大学西京医院神经外科该项科研成果获得2011年度国家科技进步二等奖。二次脑损伤因素理论是指原发脑损伤后，二次脑损伤因素如血压、体温、颅内压（ICP）、脑血流（CBF）及脑灌注压（CPP)等发生异常改变引起的第二次脑损害，加重原发脑损伤和继发性脑损害。,2,创伤性脑损伤（TBI）,第二次脑损害可发生在脑损伤后的各阶段，如伤后即刻、复苏期、外科手术及监护时期。研究表明：二次脑损伤因素是加重继发性脑损害的关键，可明显增加颅脑损伤患者的死亡率和致残率。,3,创伤性脑损伤控制二次脑损伤,二次损伤因素颅外部分、颅内部分,4,二次脑损伤之颅外因素（1）,颅外部分：包括高热、缺氧、低血压等。1、高热：脑损伤后，高热可由于下丘脑体温调节中枢功能紊乱、蛛网膜下腔出血或感染等引起。高热增加脑耗氧量，加快能量代谢耗散的速度，促进脑损伤后内源性有害因子的生成、释放和摄取，引起第二次脑损害。脑损伤后伴高热的伤员中重残、呈植物状态或死亡的发生率远远高于无发热伤员，恢复良好的比例也更低。针对性处理：亚低温疗法。,5,二次脑损伤之颅外因素（2）,4、电解质紊乱：电解质紊乱既可以引起脑细胞膜受损，造成电解质在细胞内外和细胞器内外正常分布失常，又可以损害血脑屏障，使血浆蛋白或电解质逸出血管壁，加重血管源性离水肿和脑细胞内水肿，造成第二次脑损害。现已证实低钠和高钠血症均可加重脑损伤。,6,5、血糖异常：低血糖可使颅内PH值增加，引起嗜酸性神经元细胞死亡，神经细胞坏死、消失，形成脑组织软化。高血糖可使乳酸生成增多，直接损伤脑组织。,7,二次脑损伤之颅内因素（1）,二次脑损伤颅内因素包括颅内压、脑血流量、脑灌注压、脑出血、水肿、颅内感染等。重型颅脑伤后，颅内压持续增高不仅可引起脑疝，还可使脑灌注压不断降低，导致脑循环停止，使脑组织出现不可逆的神经病理改变。目前，颅内压增高者预后较差的结论已得到循证医学证实。,8,2、低血压和脑缺氧：脑损伤后，低血压会直接导致脑血流量下降，脑灌注压降低，加重脑缺血缺氧，引起脑细胞死亡或肿胀。研究发现，住院早期伴反复发作低血压者的死亡数量远高于不伴低血压者。及时纠正低氧、低血压均可提高重型颅脑伤伤者的救治水平。3、血气和酸碱平衡紊乱：脑损伤后，呼吸中枢抑制可导致肺通气功能不足，引起CO2在体内潴留，造成急性酸中毒；高浓度CO2还可直接引起脑血管扩张、脑血流量增加，引起二次脑损害。,9,二次脑损伤颅内因素（2）,一般认为：重型颅脑伤者颅内压在成人应维持在20-25mmHg,儿童应在20mmHg。持续有创颅内压监测是重型颅脑伤救治的重要手段，因此，颅脑损伤后，颅内压的监测是非常重要的！,10,二次脑损伤因素小结（1）,颅脑损伤为一常见病，随着社会的发展，交通伤、高空坠落伤等多发，因此，颅脑伤及重型颅脑伤有上升趋势，如何提高疗效、降低死亡率及伤残率？第四军医大学科研提示：控制二次脑损伤是脑损伤救治的关键！,11,二次脑损伤因素小结（2）,二次脑损伤是指在原发脑损伤后，血压、体温、颅内压、脑血流及脑灌注压等发生异常改变引起的第二次脑损害，加重原发脑损伤和继发脑损害。可发生在脑损伤后的各阶段，并可分为颅外因素及颅内因素二部分。颅外因素主要有高热、低血压、血气和酸碱平衡紊乱、电解质紊乱、血糖异常；颅内因素主要有颅内高压、脑血流量、脑灌注压、脑出血、水肿、颅内感染等。,12,二次脑损伤因素小结（3）,基于上述理论，监、控