模电期未自测练习填空、选择题(A).doc

模电自测练习题（a）选择、填空题模电自测练习-填空、选择题（a）= 二极管 =*（填空题）*1半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。pn结在 正偏 时导通， 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。pn结具有 单向导电性能，即加正向电压时，pn结导通 ，加反向电压时，pn结 截止 。导通后，硅管的管压降约为 0.7v ，锗管约为 0.2v 。2本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 n 型半导体，其多数载流子是 电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 p 型半导体，其多数载流子是 空穴 。3、pn结的正向接法是p型区接电源的正 极，n型区接电源的负 极。p型半导体中的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是电子。n型半导体中的多数载流子是 电子 、少数载流子是 空穴 。4当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将 减小 。5整流电路是利用二极管的 单向导电 性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特性实现稳压的。8硅稳压二极管的稳压电路是由 限流电阻 、 硅稳压二极管 与 负载电阻 组成。6发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的二极管。7光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置电压。8半导体是一种导电能力介于导体 与 绝缘体 之间的物质。半导体按导电类型分为 n 型半导体与 p型半导体。n型半导体主要靠 电子 来导电，p型半导体主要靠 空穴 来导电。半导体中的空穴带 正 电。9、pn结中的内电场阻止多数载流子的 扩散 运动，促进少数载流子的 漂移 运动。10晶体二极管主要参数是 最大正向电流 与 最高反向电压 。11晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅 两类，按pn结的结构特点可分为 点接触型 和面接触型 两种。按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。12、点接触型晶体二极管因其结电容 小，可用于 高频 和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于 大功率 的场合。13、2ap系列晶体二极管是 锗 材料做成的，其工作温度较 低。2p、2系列晶体二极管是 硅材料做成的，其工作温度较 高 。*（选择题）*1.p 型半导体中的多数载流子是 b ， n 型半导体中的多数载流子是 a 。 a. 电子b. 空穴 c. 正离子 d. 负离子 2. 杂质半导体中少数载流子的浓度 c 本征半导体中载流子浓度。a. 大于 b. 等于 c. 小于 3. 室温附近 , 当温度升高时 , 杂质半导体中 c 浓度明显增加。 a. 载流子 b. 多数载流子 c. 少数载流子 4杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( c )。a温度 b掺杂工艺 c掺杂浓度d晶格缺陷5pn结形成后，空间电荷区由( d )构成。a价电子 b自由电子 c空穴 d杂质离子6. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管 a ，反向饱和电流比锗二极管b。 a. 大 b. 小 c. 相等 7. 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 b，反向电流 a。 a. 增大 b. 减小 c. 不变 8硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( b )。 a减小 b基本不变 c增大9流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( c )。 a增大 b基本不变 c减小10变容二极管在电路中主要用作( d )。 a整流 b稳压 c发光 d可变电容器11当 pn结两端加正向电压时，那么参加导电的是 （a ）。a.多数载流子; b.少数载流子; c.既有多数载流子又有少数载流子12如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（c ）。a.正常;b.已被击穿; c.内部断路13如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（b ）。a.正常; b.已被击穿; c.内部断路14晶体二极管的阳极电位是-20v，阴极电位是-10v，则该二极管处于（a）。a.反偏，b.正偏，c.零偏15当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（a）。 a.增大； b.减小； c.不变16在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（b）。a.大电阻；b.接通的开关；c.断开的开关= 三极管 =1晶体管从结构上可以分成 pnp 和 npn 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。硅管以 npn 型居多，锗管以 pnp 型居多。2晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。3晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。4当温度升高时，晶体管的参数 增大 ，icbo 增大 ，导通电压ube 减小 。5某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10a变化到20a时，集电极电流从1ma变为1.99 ma，则交流电流放大系数约为 99 。6某晶体管的极限参数icm=20ma、pcm=100mw、u(br)ceo=30v，因此，当工作电压uce=10v时，工作电流ic不得超过 10 ma；当工作电压uce=1v时，ic不得超过 20 ma；当工作电流ic=2 ma时，uce不得超过 30 v。7晶体三极管三个电极分别称为发射极、 基极和 集电 极，它们分别用字母e、 b 和 c 表示。8. 当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为： npn 管的 uc ub ue ,pnp管的 ucubue ；工作在饱和区时 ic ib ；工作在截止区时，若忽略 icbo 和 iceo ，则 ib =0 ， ic =0 。9由晶体三极管的输出特性可知，它存在 截止区、 放大区和饱和区三个区域。为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加正向 电压，集电结须加 反向 电压。10、晶体三极管是由两个pn结构成的一种半导体器件，其中一个pn结叫做集电结 ，另一个叫做 发射结 。11晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一（内部条件），使发射区的多数载流子浓度高， 集电 区的面积大， 基 区尽可能地薄；第二（外部条件），使 发射 结正向偏置， 集电结反向偏置。12晶体三极管发射极电流ie、基极电流ib和集电极电流ic之间的关系是 e=bc 。其中ic/ib叫做 直流电流放大系数 ，用字母表示;ie/ib叫做 交流电流放大系数 ，用字母表示。13晶体三极管的电流放大作用，是通过改变 基极 电流来控制 集电极 电流的，其实质是以 微小电流控制 较大电流。14硅晶体三极管发射结的导通电压约为0.7，饱和电压降为 0.3 ，锗晶体三极管发射结的导通电压约为0.3,饱和电压降为 0.1v 。15当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加 正向 电压，集电结必定加正向 或零电压。16当晶体三极管的队ce一定时，基极与发射极间的电压be与基极电流b间的关系曲线称为 输入特性曲线 ;当基极电流ib一定时，集电极与发射极间的电压uce与集电极电流人ic关系曲线称为 输出特性曲线 。17晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的伏安特性 相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是be的增量和 ib的增量 的比值。18晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将 较差 ;而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能 不稳定 。19 按晶体三极管在电路中不同的连接方式，可组成共发射极 、 共集极和 共基极三种基本放大电路。20晶体三极管的穿透电流iceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管 小得多 ，所以硅三极管的 热稳定性 比锗三极管好。1、在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为 0.2v 时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为0.v时，就认为此二极管为硅二极管。2、npn型晶体三极管的发射区是 n型半导体，集电区是n型半导体，基区是p 型半导体。3、有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6a。若晶体三极管的直流电流放大系数=50，便使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为 0.12a 。4共发射极电路的输入端由发射极和基极组成，输出端由集电极 和 发射极 组成，它不但具有电流 放大、 电压 放大作用，而且其功率增益也是三种基本线路中最大的。5晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以栅极电压控制 漏极电流 的，所以它的输入阻抗很高。6共发射极单管放大电路，输出电压与输入电压相位差为 180 ，这是放大器的重要特征，称为 放大器的倒相作用 。7常用的耦合方式有 阻容耦合 、 变压器耦合和 直接耦合 三种形式。晶体三极管低频小信号电压放大电路通常采用 阻容 耦合电路8放大器的静态是指没有输入信号 时的工作状态，静态工作点可根据电路参数用 估算 方法确定，也可以用 图解 方法确定。表征放大器中晶体三极管的静态工作点的参数有 ib 、ie 和 uce 。场效应晶体管的静态工作点由 ugs 、 id 和 uds 确定。9晶体三极管放大器按放大信号和输出信号的强弱可分为 电压 放大和 功率 放大两类。10为了使放大器输出波形不失真，除需设置 适当的静态工作点外，还需要采用 稳定工作点 的方法，且输入信号幅度要适中。11在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生 截止 失真；静态工作点设置太高将产生 饱和 失真。12在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高，会使c的 正 半周及uce的 负 半周失真；静态工作点设置太低时，会使ic的 负半周及uce的 正半周失真。13晶体三极管工作在放大状态时uce随ib而变化，如果ib增加，则uce将 减小 ；如果ib减小，则uce将 增大 。因此，ib可以起调节电压作用。14在晶体三极管放大电路中，如果其它条件不变，减小b，则静态工作点沿着负载线 上移 ，容易出现 饱和失真；若增大rb，工作点沿着负载线 下移 ，容易出现 截止 失真。15如果晶体三极管放大器e增大，而其它条件不变，则晶体三极管放大器的静态工作点将随负载线 右移。在晶体三极放大器中rc减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变 陡 。16对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻 大 些，以减轻信号源的负担，输出电阻 小 些，以增大带动负载的能力。17由于电容具有 隔直流通交流 的作用，所以，交流放大器负载两端的电压，只是晶体三极管、e极间总电压的 交流 部分。18为了保证小信号交流放大器能不失真地进行放大，并且有最大的动态范围，静态工作点应选在 （或直流负载线的中点） 。19、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚、的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（ si 或 ge) 、类型（ npn 或 pnp ）及管脚为哪个极（ e 、 b 或 c ）填入表内。 管号t1t2t3管号t1t2t3管脚电位(v)0.76.23电极名称0610533.7材料类型1放大电路的输入电压ui10 mv，输出电压u01 v，该放大电路的电压放大倍数为 100 ，电压增益为 40 db。2放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越 小 ，输入电压也就越 大 ；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越 小 ，放大电路的负载能力就越 强 。3共集电极放大电路的输出电压与输入电压 同 相，电压放大倍数近似为 1 ，输入电阻 大 ，输出电阻 小 。*（选择题）*1当晶体三极管的两个pn结都反偏时，则晶体三极管处于（ c ）。a.饱和状态;b.放大状态;c.截止状态2当晶体三极管的两个pn结都正偏时，则晶体三极管处于（c ）。a.截止状态;b.放大状态;c.饱和状态3当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（ a ）。a.放大状态; b饱和状态；c.截止状态4晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将 （ c ）。a.随基极电流的增加而增加； b.随基极电流的增加而减小，c.与基极电流变化无关，只决定于uce5当晶体三极管的基极电源使发射结反问时，则晶体三极管的集电极电流将（c ）。a.反向；b.增大；c.中断6当温度升高时，半导体电阻将（ b ）。a.增大； ，减小 ；c.不变7. 工作在放大状态的晶体管 , 流过发射结的 是 a电流，流过集电结的是 b电流。a. 扩散b. 漂移 8. 晶体管电流由 b 形成，而场效应管的电流由 a 形成。因此，晶体管电流受温度的影响比场效应管 c 。 a. 一种载流子 b. 两种载流子 c. 大 d. 小 9. 晶体管通过改变 a 来控制 c ；而场效应管是通过改变 b 控制 d ，是一种 f 控制器件。 a. 基极电流 b. 栅 - 源电压 c. 集电极电流 d. 漏极电流 e. 电压 f. 电流 10某npn型管电路中，测得ube=0 v，ubc= 5 v，则可知管子工作于( c )状态。 a放大 b饱和 c截止 d不能确定11根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3dg6为( b )。 anpn型低频小功率硅晶体管 bnpn型高频小功率硅晶体管 cpnp型低频小功率锗晶体管 dnpn型低频大功率硅晶体管12输入( c )时，可利用h参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。 a正弦小信号 b低频大信号 c低频小信号 d高频小信号13在绝对零度（0k）时，本征半导体中_b_ 载流子。 a. 有 b. 没有 c. 少数 d. 多数14在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_d_。a. 负离子 b. 空穴 c. 正离子 d. 电子-空穴对15、半导体中的载流子为_d_。a. 电子 b. 空穴 c. 正离子 d. 电子和空穴16、n型半导体中的多子是_a_。a. 电子 b. 空穴 c. 正离子 d. 负离子17、p型半导体中的多子是_ b _。a. 电子 b. 空穴 c. 正离子 d. 负离子18、当pn结外加正向电压时，扩散电流_a_漂移电流。a. 大于 b. 小于 c. 等与19、当pn结外加反向电压时，扩散电流_ b _漂移电流。a. 大于 b. 小于 c. 等于20、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则uo和ui的相位_b。a. 同相b. 反相c.相差90度d. 不确定21、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则uo和uii的相位_a_。a. 同相b. 反相c.相差90度d.不确定22、既能放大电压，也能放大电流的是_ a _组态放大电路。a. 共射 b. 共集 c. 共基 d. 不确定23、在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则uo和uii的相位_a。a. 同相b. 反相c.相差90度d.不确定24、可以放大电压，但不能放大电流的是_c_组态放大电路。a. 共射 b. 共集 c. 共基 d. 不确定25、可以放大电流，但不能放大电压的是_ b _ 组态放大电路。a. 共射 b. 共集 c. 共基 d. 不确定26、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是_ b _组态。a. 共射 b. 共集 c. 共基 d. 不确定27、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是_ b_组态。a. 共射 b. 共集 c. 共基 d. 不确定28、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是_ c _组态。a. 共射 b. 共集 c. 共基 d. 不确定29、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是_b_组态。a. 共射 b. 共集 c. 共基 d. 不确定30、三极管是_d_器件。a. 电压控制电压 b. 电流控制电压 c. 电压控制电流 d. 电流控制电流1测量某放大电路负载开路时输出电压为3 v，接入2 k的负载后，测得输出电压为1 v，则该放大电路的输出电阻为( d )k。 a0.5 b1.0 c2.0 d42为了获得反相电压放大，则应选用(a)放大电路。 a共发射极b共集电极 c共基极 d共栅极3为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入( b )放大电路。 a共发射极 b共集电极 c共基极 d共源极4放大电路如图t31所示，已知rsrd，且电容器容量足够大，则 该放大电路两输出电压u0l与u02之间的大小关系为( b )。 a u0l = u02 bu0l = u02 c u0lu02 d u0lu02 5在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（e ）。 a.pnp型的基极；b.pnp型的集电极；c.npn型的基极； dn pn型的发射极 epnp型的发射极；fnpn型的基极6在npn型晶体三极管放大电路中，如果基极与发射极短路，则（ b ）。a.晶体三极管将深度饱和； b晶体三极管将截止；c.晶体三极管的集电结将是正偏7在npn型晶体三极管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（ a ）。a.晶体三极管将深度饱和；b晶体三极管将截止；c.晶体三极管的集电结将是正偏。8在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生（b ）。a.饱和失真；b.截止失真；c.不失真9在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高将产生（a ）。a.饱和失真；b.截止失真c.不失真10晶体三极管低频小信号放大器能（a ）。a放大交流信号；b.放大直流信号；c.放大交流与直流信号11在晶体三极管放大电路中，出现截止失真的原因是工作点（ b ）a.偏高；b.偏低；c.适当12画放大器直流通道时，电容应视为（ b ）a.短路；b.开路；c.不变13在晶体三极管低频电压放大电路中，输出电压应视为uo=（ b ）。a. icrc；b. - rcic； c. -icrc d. ibrc15为了使晶体三极管工作于饱和区，必须保证（ a ）。a发射结正偏，集电结正偏； b发时结正偏，集电结反偏；c.发射结正偏，集电结零偏16共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（c ）。a同相位 b.相位差90; c.相位共为10；d不能确定17在阻容耦合多级级大器中，在输入信号一定的情况下，为了提高级间耦合的效率，必须（c ）。 a.电阻的阻值尽可能小；b.提高输入信号的频率；c.加大电容以减小容抗；d尽可能减小时间常数。18为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用（a ）的方法。a.减小ib b减 小 c.提高ec的绝对值19为调整放大器的静态工作点，使之上移，应该使rb电阻值（b ）。a.增大 b.减小；c.不变20如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（c ）。 a.集电极电流减小；b.集电极电压uce上升；c.集电极电流增大21在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（ b ）。a.集电极电压uce上升；b.集电极电压uce下降； c.基极电流不变22在室温升高时，晶体三极管的电流放大系数( a )。 a.增大； ，减小； c.不变23在室温升高时，晶体三极管电压放大器的电压放大倍数（b ）a.增大；b.减小；c.不变24当交流放大器接上负载后，其交流负载线的斜率( e )。a.由l的大小决定；b.若r的大小不变，则交流负载线的斜率不变；c.因电容具有隔直流作用，所以斜率不变； d由和rl的串联值决定； e由rl和rc的并联值决定= 场效应管 =1场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 绝缘栅型 或mos ；根据导电沟道的不同又可分为 n沟道 、 p沟道 两类；对于mosfet，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。由于场效应晶体管几乎不存在 栅流 ，所以其输入直流电阻 很大 。2ugs(off)表示 夹断 电压，idss表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型场效应管的参数。3. 增强型场效应管当其 ugs =0 时不存在导电沟道。jfet和耗尽型mos管在栅-源电压为零时存在导电沟道，而增强型 mos 管则不存在导电沟道。 4.mos 管的直流输入电阻比结型场效应管的大 。 5场效应晶体管一般采用 自偏压（或栅极偏压） 和 分压式（或分压式自偏压 两种偏置电路。*（选择题）*25场效应晶体管源极输出器类似于（b ）。a.共发射电路；b.共集电极电路；c.共基极电路26( d )具有不同的低频小信号电路模型。 anpn型管和pnp型管 b增强型场效应管和耗尽型场效应管 cn沟道场效应管和p沟道场效应管 d晶体管和场效应管27当ugs0时，( b )管不可能工作在恒流区。 ajfet b增强型mos管 c耗尽型mos管 dnmos管28、下列场效应管中，无原始导电沟道的为( b )。 an沟道jfet b增强型pmos管 c耗尽型nmos管 d耗尽型pmos管29、场效应管是利用外加电压产生的_b_来控制漏极电流的大小的。a. 电流 b. 电场 c. 电压30、场效应管是_c_器件。a. 电压控制电压 b. 电流控制电压 c. 电压控制电流 d. 电流控制电流31、结型场效应管利用栅源极间所加的_a_来改变导电沟道的电阻。a. 反偏电压 b. 反向电流 c. 正偏电压 d. 正向电流32、场效应管漏极电流由_ c _的漂移运动形成。a. 少子 b. 电子 c. 多子 d. 两种载流子33、p沟道结型场效应管的夹断电压up为_a_。 a. 正值 b. 负值 c.ugs d. 零34、n沟道结型场效应管的夹断电压up为_b_。 a. 正值 b. 负值 c. 零35、p沟道耗尽型mos管的夹断电压up为_ a _。 a. 正值 b. 负值 c. 零36.当场效应管的漏极直流电流id从2ma变为4ma时，它的低频跨导gm将 a 。a.增大b.不变c.减小=直流放大器、差分放大电路=1差分放大电路的输入电压ui11 v，ui20.98 v，则它的差模输入电压uid 0.02 v，共模输入电压uic 0.99 v。2差分放大电路对 差模 输入信号具有良好的放大作用，对 共模 输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移 很小 。3两级放大电路，第一级电压增益为40 db，第二级电压放大倍数为10倍，则两级总电压放大倍数为 1000 倍，总电压增益为 60 db。4集成运算放大器输入级一般采用 差分 放大电路，其作用是用来减小 零点漂移 。5理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似 相等，称为 虚短 ；输入电流近似为 0 ，称为虚断 。6集成运算放大器的两输入端分别称为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输出端 反相 ，后者的极性与输出端 同相 。7.电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。使输入量减小的反馈是负反馈。引入直流负反馈可以稳定静态工作点。负反馈越深，电路的性能越稳定。 8.同相比例运算放大电路是一个深度的电压串联负反馈电路；反相比例运算放大电路是一个深度的电压并联负反馈电路。9. 参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。10将交流电转换为直流电的过程称为 整流 。把脉动直流电变成较为平稳的直流电的过程，称为 滤波 。11单相整流电路按其电路结构特点来分，有半波整流电路、全波整流电路和桥式 整流电路。12乙类互补对称功放由 npn 和 pnp 两种类型晶体管构成，其主要优点是 效率高 。1、静态时，让直接耦合放大器的输入端和输出端的工作电位为零电位，其工作电源往往采用正、负两组电源供电。直接耦合放大器的级数愈多，放大倍数愈大，零点漂移会 愈严重 。2所谓温度漂移是环境发生变化，如电源电压 和 温度 等因素的影响而引起漂移。为了有效地抑制零点漂移，多级直流放大器的第一级，均采用 差动式放大电路。3差动式直流放大器的两种输入方式为差模输入 和 共模输入 。评价差动式直流放大器的性能，必须同时考虑它的差模放大能力 和 共模抑制能力 。4单端输入、单端输出的差动式直流放大器中，输入端和输出端的接地状况是输入和输出端各有一端接地。在单端输入、双端输出的差动式直流放大器中，输入和输出端的接地状况是只有一个输入端接地。在双端输入、单端输出的差动式直流放大器中，输入和输出端的接地状况是只有一个输出端接地。在双端输入、双端输出的差动式直流放大器中，输入和输出端的接地状是输入和输出端都没有接地点。5在差动式直流放大器中，re的作用是 通过电流负反馈来抑制管子的零漂 。re对 共模信号 呈现很强的负反馈作用；而对差摸信号则无负反馈作用。6比例运算放大器的输出电压和输入电压之比为固定常数。7当直接耦合放大器的输入信号为零时，它的输出电压作缓慢的和不规则的变化，这种现象称为零点漂移。零点漂移大体上可分为时间漂移和温度漂移两大类。8当加在差动式直流放大器两个输入端的信号大小相等和相位相反时，称为差模输入。当加在差动式直流放大器两个输入端的信号大小相等和相位相同时，称为共模输入。9在差动式直流放大器中，典型的共模输入信号来源于温度变化和电源电压波动。10在差动式直流放大器中，常用晶体三极管作恒流源来代替电阻e。11根据反馈的相位不同，可分为 正反馈和 负反馈 两 种，在放大器中主要采用负反馈 ， 正反馈主要用于振荡器。12所谓电压反馈是指反馈电量的大小与输出的电压成正比 。所谓电流反馈是指 反馈电量的大小与输出的电流成正比 。*（选择题）*1直流放大器可放大（c）。a直流信号，b.交流信号；c.从直流信号到一定的工作频率的信号2差动式直流放大器与直耦式直流放大器相比，其主要优点在于（a）。a.有效地抑制零点漂移；b.放大倍数增加；c.输入阻抗增加3差动式直流放大器抑制零点漂移的效果取决于（b）。a.两个晶体三极管的放大倍数；b.两个晶体三极管的对称程度；c.各个晶体三极管的零点漂移4在典型的差动式直流放大器中，e的作用是（b）。a.对差模信号构成负反馈以提高放大器的稳定性； b对共模信号构成负反馈以提高抑制零点漂移的能力； ca和在典型的差动放大器中，用恒流源代替e的优点是（b）。a.便于集成化；b.避免辅助电源及ee的电压数值取得太高；c.增加电压放大倍数6直接耦合放大器中，为了保证静态时输入端和输出端的工作电位为零电位，往往采用（ c ）。a正负两级电源供电； b.电位移动电路； c. a及b7在一个三级直接耦合放大器中，如各级的放大倍数均为10，各级自身的漂移输出均为001，即当输入电压为零时，输出端的漂移电压最大为（c ）。 a. 0.03v b. 0.11v c. 1.11v d、0.3v8造成直流放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是（ c ）。a.电源电压的变化；b.电阻、电容数值的变化；c半导体器件参数的变化9 差动式直流放大器以比直接耦合放大器，以多用一个晶体三极管为代价，换取（b ）。a.高的电压放大倍数；b.抑制零点漂移能力， c.电路形成对称 1. 直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越 a 。 a 、严重 b 、轻微 c 、和放大倍数无关。 2. 电路的 a d 越大表示 c ， a c 越大表示 a ， k cmr 越大表示 b 。 a 、温漂越大 b 、抑制温漂能力越强 c 、对差模信号的放大能力越强 3. 复合管组成的电路可以 b 。 a 、展宽频带 b 、提高电流放大系数 c 、减小温漂 d 、改变管子类型 4. 由于恒流源的电流恒定，因此等效的交流电阻 a ，而等效的直流电阻 b 。 a 、很大 b 、很小 c 、不太大 d 、等于零 5. 集成运放有 b 个输入端和 a 个输出端。 a 、 1b 、 2c 、 3 6. 集成运放正常工作时，当其共模输入电压超过 u icmax 时，集成运放 a 。 a 、不能正常放大差模信号 b 、输入级放大管将击穿 7、多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比他的任何一级都d。a. 大 b. 小c. 宽d.窄8、多级放大电路的级数愈多则上限频率fh越_b_。a. 大 b. 小 c. 宽 d. 窄9、多级放大电路的级数愈多则高频附加相移_a_。a. 大 b. 小 c. 宽 d. 窄10某放大器由三级组成，已知每级电压放大倍数为ku，则总的电压放大倍数为( d )。a.3u； b.ku c. u2 d.u311选用差分电路的原因是( a )。 a减小温漂 b提高输入电阻 c减小失真 d稳定放大倍数12差分放大电路中适当增大公共发射极电阻，将会使电路的( d )增大。 a差模电压增益d共模电压增益 c差模输入电阻d共模抑制比*13功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高( b )。 a输出功率 b放大器效率 c放大倍数 d负载能力*14由两管组成的复合管电路如图t32所示，其中等效为pnp型的复合管是( a )。 *15otl电路负载电阻rl10，电源电压vcc=10 v，略去晶体管的饱和压降，其最大不失真输出功率为( b )w。 a10 b，5 c2.5 d1.2510集成运算放大器构成的放大电路如图t33所示，已知集成运算放大器最大输出电压uom10 v，ui5 v，则该放大电路的输出电压为( c )v。 a-5 b0 c5 d10=运算放大电路=11、现有电路： a 、反相比例运算电路 b 、同相比例运算电路c 、积分运算电路d 、微分运算电路，根据下列要求，分别选择一个电路填入空内。（1）为了得到电压放大倍数为 100 的放大电路，应选用 b 。 （2）为了得到电压放大倍数为50 的放大电路，应选用 a 。 1、运算电路中一般均引入负反馈。凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。12、本章习题中的集成运放均为理想运放。分别选择“反相”或“同相”填入下列各空内。（1）反相比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而同相比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。（2）同相 比例运算电路的输入电阻大，而反相 比例运算电路的输入电阻小。（3）同相 比例运算电路的输入电流等于零，而反相 比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。（4）同相比例运算电路的比例系数大于1，而反相比例运算电路的比例系数小于零。 13、（1）同相比例 运算电路可实现au1的放大器。（2） 反相比例 运算电路可实现au0的放大器。（3）微分 运算电路可将三角波电压转换成方波电压。（4）同相求和运算电路可实现函数yax1bx2cx3，a、b和c均大于零。（5）反相求和运算电路可实现函数yax1bx2cx3，a、b和c均小于零。= 反馈 =1，将反馈引入放大电路后，若使净输入减小，则引人的是负反馈，若使净输入增加，则引入的是 正反馈。2反馈信号只含有直流量的，称为 直流 反馈，反馈信号只含有交流量的，称为 交流 反馈。3反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，则说明电路引入的是 电压 反馈，若反馈信号取自输出电流，则是 电流 反馈；在输入端，反馈信号与输入信号以电压方式进行比较，则是 串联 反馈，反馈信号与输入信号以电流方式进行比较，则是 并联 反馈。4负反馈虽然使放大电路的增益 减小 ，但能使增益的 稳定 提高，通频带 展宽