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Helios Inline - tn电池片薄膜测量-SiNx膜厚，折射率系数Helios Inline - tn减反射膜的表面钝化（surface passivation）和扩散势垒(diffusion barriera)对晶硅电池片的转换效率和长期稳定性起着很重要的作用，性能好的(a-SiNx:H)薄膜广泛的应用于此。而工艺参数的控制比如气压和温度等，对电池片AR膜膜厚，颜色和光学常数n&k 有很大的影响。一般来说，要花费很多时间和熟练的技巧来获得精确的数据，以此来支持生产工艺的优化。在线测量AudioDev提供独一无二的膜厚折射率测量设备， Helios Inline-tn是可以集成到现有的电池生产在线使用！通过寻找工艺上的不稳定性的原因，来提高电池的质量和转换效率。比如，镀膜的不均匀性，镀膜机参数漂移，硅片切割工艺和制绒工艺上的不均一性都会影响电池的质量和效率。 测量示例SiN层AR膜膜厚分布Helios-Inline-tn 集锦晶硅测量 膜厚：d 折射率测量：N（光谱）产品线使用/R&D部门使用-在线/每一片硅片测量-非破坏式和非接触式-静态和动态测量应用在所有相关晶硅电池 多晶 & 单晶 （抛光, 粗糙, 组织化)应用在所有相关的组织化结构等方性和各异性的化学腐蚀 (离子腐蚀)应用在所有相关的工艺 PE-Cvd 磁控溅射集成示例对角线扫描5X5组电池在线操作此系统是在生产线上运行，直接放在镀膜设备后面。扫描测量每一片单独的硅片 (每片几个点)或者测量对角线上的电池片（每片几个点）Helios应用范围 硅片 镀膜后 印刷后 模组示例单晶绒面SiN薄膜硅片. 20 个点斜线扫描测量膜厚折射率显示 单晶硅片测量数据膜厚和折射率SiN薄膜多晶绒面硅片，20个点斜线扫描测量，反射率光谱曲线，折射率光谱曲线和测量数据优化你的工艺参数电池片测试/分选机和颜色测试是最终的产品测试，这只是判断电池片合格率，但是并不能提供直接的信息来判断工艺参数是否超出了预期的设置优化生产线工艺参数是，监控并优化产线上的每一个工站的参数，达到控制和优化整条生产线的效果。Helios inline-tn的设计目的是用来管控电池片生产整个工艺中最重要的两个工艺参数：AR-膜的膜厚和折射率系数Helios inline-tn 的利益及投资回报率减少生产线停线和开机的时间在停线后和重新开线前，可以将使产线工艺重新达到稳定的时间最小化，可以省时间 更多。 在生产工艺的早期就分类出不良品，从而节省材料在AR膜制备后，就可以直接判断出电池片的好坏。这样可以节省材料，因为在AR膜制备后面的工艺（印刷和烧结）可以避免。更多。节省离线检测时间和人力 在线控制可以让离线的膜厚和折射率检测工站废弃，可以省设备，时间，和人力。更多 提高产品质量和增加转换效率应用在线检测管控，可以更好的控制折射率系数和膜厚范围，可以保证电池片的颜色一致性，提高电池片的转换效率 使您的电池有更高价值 计算实例一条电池片生产线- 25MW一年- 平均转换效率17% - 平均价格1$/片假设在线系统能够提高电池片转换效率从 17% - 17,1%. 投资回报率是150,000 $/年 . 从电池片中赚取更多的利润产品规格测量测量参数 膜厚 / 折射率系数（SiO2和双层薄膜）厚度范围 45 120 nm折射率系数范围 1.90 2.35厚度精度 1 nm折射率系数精度 0.02膜厚分辨率 0.1nm折射率系数分辨率 0.004测量速度 0.2s/点测量几何光学设置 2通道同步反射率光谱测试仪器 测量光斑 5mm X 7mm(椭圆)测量距离 10mm距离精度 2mm倾斜精度 2硬件分光光度计 2 X 线性二极管分光光度计, 380nm - 1050nm, 16 Bit光源 卤素灯，20W接口 TCP/IP, Digital I/O电源 AC 100 240v; 50/60 Hz温度 1535 C(5090 f), 湿度: 100 GB 硬盘。软件功能 反射率光谱 膜厚测量 折射率系数测量 客户定义界面 趋势图显示 数据存储和调用 多种触发功能 .系统尺寸设备图分光光度计主机箱和在线测量探头 分光计，电源，LAN网络接口和其它接口在线测量头 GERMANY +49 2452 96001 10 HONG KONG +852 2314 8736 TAIWAN +886 2 2281 0529 SWEDEN +46 4