ICT经验手册.doc

GENRAD 经验手册本手册之撰写,是以GENRAD VER 4.2之操作接口作说明,往后若其版本更新,致操作接口更改,则其相关操作动作亦可能不同,但只要彻底了解各操作动做之意义,则在新接口或其它机种之操作接口,当可找到相对应之操作,这应不是问题.这其中之一个重点，就是外在之接口及信息是会变动,但原理是不会变的,只要能掌握住原理,基础,就能无惧于外在之变动,而轻松适应新的环境.希望本手册能带给读者一些帮助,则已达到本手册撰写之目的.本手册共分以下四大项目:一.程序发展准备二.程试发展三.程序及治具Debug四.程序,治具及测试机台之维护一. 程序发展准备1.分析电路图此项目为开始GO一个Project时相当重要之一个工作,但常为大家所忽略,因为此工作不做或做得不确实,将无法掌握测试程序 及治具制作之完整性,也关系到后面程序发展及Debug时之速度,此分析电路之能力,则须平日对电子电路知识,不断努力充实,此部份能力越强,测试则越能达到预期目标.以下将叙述分析电路图时之重点:1) 系统之POWER电路此部份极为重要,务必了解其电源产生方式,因此关系到治具制作之规格及数字测试时要件,如模糊不清,将造成做数字测试时之不确定性,如某些IC无法动作,是否会破坏IC等.以下为检视POWER电路时,应注意及了解之部份:a) 找出电路图上所有用到之VCC.b) 找出使系统动作之源头电压(即POWER/B 之输出电压),板子上其它电压即是由这些源头电压经过电感或晶体管控制而产生的.c) 经由上面找出源头电压后,此则为当作程序及治具之电压规格.d) 由于测试机台只提供源头电压至待测板, 因此须经由电路控制才能产生之电压,则在测试IC时用到这些电压时须特别注意,要先控制这些电压出来,才可测试.所以必须了解各VCC间之关联.2)了解整体电路之方块图,并尽可能去了解各BLOCK 之功能:此有助于测试之应用及将来DEBUG时,做最佳之参数调整.此部份能了解多少算多少,尽目前之能力即可,因这不是说懂就懂,而是须时间之培养,加上我们大部份都不是RD出身,目前又无此环境,自然此部份会较弱,但仍应努力,以求测试能力之提升.3) 是否有目前测试Library没有之组件:有能力测试之组件,大都已加入Library中了,但有时新机种中新增了一些组件,则必须将其记录下来,事后评估是否有能力测试.若没去注意这些组件,将来之测试程试将会漏失这些组件之测试.2.研读IC datasheet并撰写Library若有新的组件加入而Library中没有,则必须尽量发展Library去测试.故必须先取得该组件之datasheet(可从网络上,或RD获得),之后根据此datasheet去撰写Library(如何撰写Library,不在本手册范围,请自行看MANUAL练习,此部份亦为学习ICT之重点).如果因难度较高,暂时无法写出,可日后再研究或看厂商那有无现成之Library,但不管如何,亲自撰写Library是提升自己实力之好方法,尽量不要靠厂商,若不得以须厂商之协助,亦要去了解才能完全掌握测试.3.订定治具制作规格治具规格应有下列几项:1) POWER2) 待测板摆放方向3) 用OPEN XPRESS 测试之待测IC及CONNECTOR4) 其他之特殊植针及应用4.与治具厂商洽谈将先前拟妥之规格表带去与厂商洽谈,一般来说,若无特殊规格,加上先前已先准备好规格表,故洽谈之速度会很快.二. 程序发展1.处理CKT File1)从厂商获得CKT File程序发展之第一步为获得CKT,此File为厂商分析我们所给予之CAD File后所产生出来之档案,而此档案须做进一步之处理,才可得到一完整之档案.(为能提前一点时间交货,我们准许厂商对此File不须做任何修正,如Value,Type,etc,只要格式正确,组件不漏失即可,而其大部份之修正则由自行发展之软件执行之,如下所述:2)利用自动修正程序自动修改原始CKT File自动修正程序ict.exe介绍如下:a)目的:为减少各Project重复性人工处理,繁复性之人工编辑动作,减低错误并增快程序发展速度,特发展此程序,适用于Genrad及泰瑞达格式.b)使用:执行后,会要求输入三个档及一个输出文件(若不输入路径,则路径会default此程序所在之路径).第一个输入档(必要):为待处理之CKT檔,即前述厂商给予之档案.第二个输入档(必要):BOM文件,程序主要根据此文件之信息去Modify先前之CKT檔,故此档案非常重要,一定要正确且最新版.第三个输入档(Option):为零件位置信息文件,描述各组件相对于待测板某点之坐标,此程序可将其附加在CKT里,测试程序产生出来时,会包括此位置信息在所有组件中,以做为寻找零件位置之另一种选择.输出档:经此程序处理后,产生出之目的CKT檔c)功能:c-1:自动填入各组件之Value,Type等.c-2:自动判断OJ或J之组件并修改之.c-3:检察有无漏失之组件.c-4:整理同Type组件在同一段,并加批注.c-5:其他请自行比较修正前后之差异.d)注意事项:此程序处理完毕后,会产生一Log檔,里面叙述处理完毕后所应注意之事项,由于无法得到完全之BOM格式,故每遇到一新定义时,可能Log文件所述之事项会有误,如有些C(电容)定义为R,则可能记录此电容漏失,诸如此情况为极少数,若有发生,照Log檔所述,再人工Check那些组件即可,不用花多少时间.3)人工最后修正a)修改及Check上述log档所述之内容b)check非标准Type之组件之名称是否与Library中名称一致,如一3支脚之二极管,名称为RB425D,因标准二极管为2支脚,故标准Library无此组件,所以必须发展一Library给此组件,并将其命名为RB425D.其它如晶体管,IC等亦是如此.以下将说明如何修改及check:b-1)进入genrad软件中之LIBRARY PAGE中,选LIST将ACL及DTL之目录显示出来,以作为判断该组件有无library及名称为何.b-2)比对CKT中之组件(通常为排阻,二极管,晶体管,IC等,当然还有其它,应说只要是自行定义之名称,都适用)与上述目录之组件名称.b-3)如发现CKT中有名称与Library不一样(可能差一,两个字),则修改CKT中之名称,或在Library中再定义一alias与CKT中名称一样亦可,若根本无此组件之Library,则如属digital 测试方法方面,则将其名称改为CONNXXX,其中XXX为该组件之PIN数,但此CONNXXX在DTL中亦必须有定义,改为CONNXXX是让Nail Assignment时能先把各PIN之Nail散开来,以预留日后测试之准备.若属Analog测试方法方面,则保留原名称,因analog测试方法无nail assign之限制.b-4)以上CKT之名称,Type已大部份match Library之名称,做多了,大概就知道那些须修正,那些不须修正了.c)将CONNECTOR之Type修改为UKXXX,其中XXX为PIN数,经过自动修正程序产生出之CKT文件,有将此信息填入,但因BOM中显示此PIN数之格式及位置有些不定,故会有一些有问题,加上一些CONNECTOR在其各PIN之NODE NAME LIST中, 最后常会加2pin GND,使其pin数不一致,而这些PIN数不一致会导至后面程序产生程序时有error产生,故须在这里就要check并解决,否则到后面还是须修正.d)四支PIN之单电感须将其后两PIN(通常为GND)去掉,双电感则须将其拆为2电感表示,或另外定义Library.e)100奥姆以下电阻,用6线测试,须加SIXR参数.f)从电路图中找出极性电容,并将CKT中相关电容之Type C改为CP1.g)删除一些无关紧要且定义不全之Type.4)用Filter.exe做电容并联处理CKT中之电容很多都是并联电容,若不事先加以处理,则在程序产生后须花更多时间处理,以避免重复测试.Genrad提供一软件filter.exe专为处理此问题,执行此程序后,选1,之后输入欲处理之CKT,如无问题则产生一新CKT(原档名.fil)及一记录各并联电容信息文件ATX.fil.P.S. 输入之CKT中Value区段之Keyword要为%VALUE;,不可加入其它字,否则程序会无法处理.若此程序正常处理,则有一符号|会不停转动,结束后自动跳出,若|静止不动,则表不正常.5)结论:经过上述之CKT修正后,相信已得到一完整漂亮(说的技术一点就是在自己控制之下)之CKT了,程序发展花最多时间,也是最紧迫时候(因关系到给治具厂绕线档之时间)已过去了,往后之程序产生就简单多了.P.S. 以上CKT修正,若有觉得须再修改地方,可于nail assign后,尚未以Target模式再产生CKT时,再修改亦可,因此时产生之测试程序才是真正需要的.2.程序产生步骤此部份为Genrad软件之程序产生标准程序,在此只做概要叙述,详细请参阅GR228X Test Program Generation Manual.1)进入ATG PAGEa)首先设定 Circuit prepare YES, IDD prepare YES, Cross reference YES, ACLusr Y ACL=(填入路径及文件名), DTLusrY DTL=(填入路径及文件名),其余选No.b)按RUN后,会开始第一阶段之程序产生步骤,如有问题,则参阅产生之 .err檔,当中会指出CKT错误之地方,修改完毕后重新RUN,一直到无error为止.c)进入POWER PAGE,依据之前(第一部份, 程序发展准备)分析之POWER规格输入,会得到一ATX檔及 .fwi檔(此档为POWER绕线档,给厂商之绕线档之一).d)将欲加入各BURST之Digital statement,加在ATX 檔中,如Digital测试时最好将系统之Clock Disable,此时可将此disable叙述加入.e)选Analog test gen.YES, Digital test gen.YES, Merge test programsYES, Test_Xpress test gen.YES, Nail stateTEMPORARY, ATLusr Y ATL=(填入路径及文件名), DTLusrY DTL=(填入路径及文件名), Contact testYES, ATOusrY ATX= ,其余选No. f)按RUN后,经过一段时间会产生出 .tpx文件,此时测试程序雏型已出来了.2)进入NAIL ASSIGNMENT PAGE此PAGE会要求输入 .DPI檔(此档为产生 OPEN XPRESS绕线档 .DPR之依据),请自行建立此档,OPEN XPRESS一般都是用OFM/B,如用两片,则.DPI内容最少须输入两个,如 U519 1; U36 33;如用一片,则只须输入一个待测组件,如 U519 1;其中U519,U36各为待测组件之一,1则代表第一片OFM/B之启始CHANNEL,33则代表第二片OFM/B之启始,这样才能让NAIL ASSIGNMENT软件知到须用到几片OFM/B,而产生出相对应之.DPR檔.其它就无特殊之处,依一般设定各项参数后,按RUN,如无error则会产生一些绕线信息,其中厂商制作治具须要之档案为 .nar及.dpr檔.至此已告一段落,须给厂商制作治具之档案有三:.fwi.nar.dpr将上述档案给厂商后,厂商就可制作治具,在等待厂商交治具给我们这段期间,不是我们就没事做了,请看以下叙述.3)再进入ATG PAGENail assign后, 原 .tpx会被修改成为 .tpg ,这已经可说是测试程序了,不过还是要再跑一次完整ATG,因Nail assign后产生之 .tpg虽nail number已改为nail assign后之nail,但其批注之nail number则未改,且格式亦较不整齐,故须再RUN一次,此时则将上述合起来一起做,不一样地方为Nail state须选TARGET.如此产生出之 .tpg才是真正之测试程序,但此程序还是须经过如下之修正.3.修正产生出来之 .tpg测试程序由于Genrad程序产生软件,目前并不是很成熟(以后新版应会改进,果真如此,此部份工作就可减轻了),故产生出之程序在很多地方须人工修正,加上一些须人工加入之测试项目或一些程序产生虽正确,但为配合目前此MODEL之应用而须做之修正,须修改之地方很多,若此时不做,而留到Debug时再做,则须花更多时间解决,影响上线测试时间,故一个观念是,能在OFF-LINE时分析并处理之动作,一定要先做,不要留到Debug时做,此部份通常亦须花较多时间处理,但时间绝对足够,因治具制作这段期间皆可利用(约1014天),做得越彻底,Debug时花的时间越短,通常只要治具没什么问题,一天内程序Debug应可完成,否则就是OFF-LINE时做得不够.以下将叙述该修改并注意之地方:1)删除一些空白过多之部份及一些无关紧要之批注(如在电容测试Statement上常有 /* THIS FORMAT TEST WILL EXECUTE WITHOUT NEEDING * TO HAVE THE BRANCH STATEMENTS REMOVED. */ ),使程序架构看起来较整齐,不会太乱.2)修改R ,C之测试所给之Stim电压:通常是200mv,但产生出来之程序有一些为1V,根据经验必须将其改回200mv测试才会稳定.3)Check R , C 之DLY,RDLY参数:常会有一些此参数高达500M,根据经验,这些大部份都必须修改,建议为若看到10M以上之参数,一律改为1M,等上线 Debug时再依实际状况调整参数值,以降低测试时间.4)将Guard全部拿掉: 等上线Debug时再依实际状况加Guarding.P.S. 观念:可不加Guard而能通过测试,则尽量不须加Guard.5)修改电容测试TYPE:电容值1U(不含)以下,用CP Type测试, 1U(含)以上用CS Type测试, 产生出来之程序很多都不是如此,要更正.6)Check 极性电容测试端点:正端应在CHA,负端在CHB7)Check 极性电容之BIAS参数:其测试Statement应有BIAS=300M之参数,如无或BIAS=-300M,则须更正之,另外不是极性电容之Statement若有BIAS=300M之参数,则须去掉.8)删除1U(不含)以下之电容放电程序:程序产生时,只要是0.1U以上之电容均会产生放电程序,以M/B来说将高达100个左右,以执行测试时前后各执行放电程序一次,时间约8秒,这是无法接受的,因此必须精减,其做法如下:a)打开 .rpt文件,里面记载各组件产生测试程序之叙述,其中一开始就叙述着产生放电测试之电容信息.b)将Value 值在1U(不含)以下之电容之Nail number记录下来.c)search .tpg 档案之 SU_,使其到放电程序之开头.d)依序search之前记录下来之nail number,并将该放电statement区段删掉.e)完成.9)插入并联电容信息:将先前filter产生出之ATX.fil插入至 .tpg 电容区段之最上方,以利日后查询并联电容信息.10)插入testability信息:用report.exe处理厂商给之testability,产生出一新档,对照CKT档找出相对应Node name之Nail number(测试程序之number),并将此Nail number置换原其内之number(FabMaster或其它所编之number).11)将上述档案插入至.tpg之最上方,以便日后查询.12)Disable NO TP之组件:根据上述之testability档案,预先disable不能测试之组件及去掉NO TP及UNUSE 之nail number CONTACT测试.13)分析间接并联电容:用GRDBG进入模拟之测试MODE,执行每一电容测试时,用NA或SUR观察该电容有无透过电感或小电阻成并联状态,若有则记录下来.完毕后,将各组之并联电容选一个较大值测试,其余则Disable,并将上述之并联信息加入ATX.fil之最后.此部份须花较多时间及人力,须有耐心,不做或不确实,上线Debug时还是要做且debug时间会加长.14)人工加入叙述:加入一些无Library但用人工加入较方便之测试叙述,如量测输出电压(如DC to DC之IC)等.15)经验修正:根据自己经验,对产生之Digital测试做一些修正.16)其它:以上为列举一些可在OFF-LINE时修正之一些项目,可能无法包括全部,除了上面项目之外,随各人经验不同,应会再增加或减少,可视情况修正之.17)进入模拟测试MODE:以上之一些动作,须进入测试O.S.之TEST或DEBUG MODE中,但因为OFF-LINE,无法实际进入,但其有提供一模拟ON-LINE环境,其进入步骤如下:* 输入GRDBG* Simulator选YES,CLIENT_1=空白,CLIENT_6=%gr228dir%exertssim* 按RUN即可进入模拟MODE18)退出模拟测试MODE:* 回到DIAGNOSTIC PAGE* 输入NOGRDBG后,按enter即退出模拟测试MODE以上一,二项为OFF-LINE分析处理之阶段,做得好,往后Debug及维护就轻松,反之则反,依我的看法,此两阶段占一Project之80%完成度.三. 程序及治具Debug做完OFF-LINE之工作后,等到治具到来,就可开始实际验证程序之正确性及最后修正之工作,此时亦可验证当治具没问题时,如OFF-LINE之工作做得好,其实程序只须做少许修正(较花时间为在小电容值之调整).以下将叙述一些debug之顺序及可能遭遇到之一些状况.1.debug 顺序:debug通常是依程序测试之顺序,contact- short - analog组件- power - digital 组件来进行,但OPEN XPRESS根据个人习惯是放至最后才DEBUG.1)contact 及 short :此两部份是用来确定治具绕线及针点之正确性,唯有先确定治具是没问题的,程序之debug才有意义,通常此两部份须花较长时间.此部份完成后通常已解决大部份之治具问题.2)analog :包括R,RS,L,C,D,Q(通常放在digital测试)等,此部份为debug程序,偶尔会发现治具绕线问题.3)power :此部份为确定power绕线及电压之正确性,要确定无问题,digital测试才能安全无虑.4)digital :包括IC,Q等, 此部份为debug程序,偶尔会发现治具绕线问题.5)OPEN XPRESS:检查绕线及LEARN 值.2.debug技巧及经验1)contact :a)出现contact之点,如其连接之组件为connector,电容 ,此些点不适用contact测试,可从contact之SNS list中将这些点去除.b)有些点虽接至IC之有效 pin,但仍可能有contact发生,此时先确定针点正确后,先记录下来,若后面之该IC PASS,则表此点无问题,可从contact之SNS list中将这些点去除.c)较严仅之contact点确认方法为,从组件脚接线出来find pin,或若可直 接touch到组件脚亦可(此治具须为单面且上盖开放的)c)其余处理方式可参阅四. 程序及治具维护中有关contact之部份.2)short:参阅四.程序及治具维护中有关short之部份.3)电阻 R:测不准或测不稳时,可采如下方法:a)swap CHA,CHB.b)用NA或SUR查看CHB之nail所连接之零件,如有接至75奥姆以上之电阻,电容,二极管等,可GUARD其另一端,通常为电阻优先,其次电容,二极管很少做此动作,只要其中一个成立即可,不须全都GUARD,但有时须同时GUARD几点,但占少数,须视状况而定.如所连接之组件为低电阻值或电感,则不能直接GUARD,须继续连串找下去,直到无组件可GUARD或如上述可GUARD之组件Node.c)若其两端点有连接电容,可试着调整DLY或RDLY参数,先delay将电容充电后,再测试会得到较准确之测试值.注意增加delay 之时间,能越小越好,以能通过测试之最小delay time为主,以免增加太多测试时间.d)若须要可调整HI,LOW值以配合实际测试值(可以电表为主).e)查看是否无测点,有可能OFF-LINE时没有将其disable.f)都无效,查看针点编号是否正确,及此零件是否正确mount在待测板上.4)电容 C : 测不准或测不稳时,可采如下方法a)加GUARD,原则同电阻.b)查看是否为并联电容,因可能在OFF-LINE时,没注意到.c)通常P值之小电容,都须视其实际测到之值调整HI,LOW值.d)调F(频率)参数,通常P级用10K,N级用1K,级用100,可视情况调整之.e)查看是否无测点,有可能OFF-LINE时没有将其disable.f)都无效,查看针点编号是否正确,及此零件是否正确mount在待测板上.5)二极管:a)如测到值为2.045V,则可能为CHA,CHB相反,互换nail number看看.b)如测到值太低或太高,调整其HI,LOW值c)查看是否无测点,有可能OFF-LINE时没有将其disable.d)都无效,查看针点编号是否正确,及此零件是否正确mount在待测板上.二极管Debug较单纯,通常只有上述状况.6)power:若fail,参照以下可能情况:a)通常power sense线不在INTERFACE处连接,而在POWER ISLAND处连接,因如此可避免高电流时漏失过多电压,导致fail,可check此部份是否连接正确.b)对照 .fwi檔,检视power接线是否正确.c)检视欲量测之power点是否正确绕至正确之nail.7)digital:a)常用语法:* LVLA(B)(nail list):设定在digital测试时会用到之nail,如测试statement中有用到此 nail list中没有之nail,执行translate时会有error发生.* VIHA(B) :设定输入测试之HI电压值,如VIHA=5,即设定输入电压为5V.* VILA(B) :设定输入测试之LOW电压值,如VILA=0.1,即设定输入电压为0.1V.* VOHA(B) :设定输出电压之HI LEVEL,如VOHA=2.4,表若sense到之电压=2.4V,则视为HI.* VOLA(B) :设定输出电压之LOW LEVEL,如VOLA=0.8,表示若量测到之电压或DEBUG 符号提示下,输入LOC ,可进入找PIN之功能,此时用探棒接触治具上之针点,可在屏幕上显示出该pin之number,按CTRL+C回到之前画面.4)改变fail message 之输出: 在TEST或DEBUG 符号提示下,输入ME S,则代表会从打印机输出,若输入ME C,则代表会从屏幕输出.5) NA指令:找测试点所连接之组件及INTERFACE之编号时常用之指令.6)清除打印机中过多之fail message:首先关掉打印机,然后从菜单中之VIEW,选择toolbar,然后再从toolbar中按下第一项有打印机之icon,之后会显示出一交谈窗口,约几秒后按下OK,然后再依reset打印机方法清除数据即可.7)disable : 若因某情况须暂时不测某组件,则须将该组件之测试statement mark起来,其作法为/* .*/8)程序修改方法:开启.tpg ,search欲修改之组件,然后直接修改须修改之参数.9)修改后存盘:对 .tpg 档做任何之动作,都须进行存盘之动作后,然后进入TRANSLATE PAGE执行编译之动作,此时修改之动作,才会反应至测试中.2.机台维护操作1)执行SET UP PAGE功能:当须查看或建立机台硬件信息文件时,可执行此功能,以获得所须之讯息,详细操作使用,请参考GR228X Test Program Generation Manual之Setup utility章节.2)执行 SYS-TEST PAGE功能:a)执行时机:* 怀疑机台有问题或机台故障时.* 做校正时.* 定期检验时.以上校正及定期检验通常是同时做.b)故障时执行重点说明:* 若故障情形较复杂严重,须执行全功能之diagnostic,以获得可能造成故障之地方,以便将此信息给厂商,减低修复时间.* 若故障情形较轻,且已知大概问题之所在,可直接执行该项之diagnostic功能,若show出之故障为relay坏掉,可自行换之,但若较严重或无法判定者,须联络厂商更换.* 通常是先用standard去执行,但若须得到更详尽之故障信息,如那一颗relay坏掉,则须用diagnostic mode,其进入须密码,密码为GR_DIAMON.c)校正及定期检验:* 此部份若有与厂商签维修合约,则由厂商做,如无,则须由自己做.* 先执行全功能之DIAGNOSTIC,无问题后可执行此PAGE中之CALIBRATE.以上之详细操作请参阅MANUAL.3.问题解析:1)单点或数点contact问题:此问题为反应治具针点与待测板接触不好,遇此问题,可能原因将叙述如下,可根据这些原因,找出问题所在,并进而解决问题.a)FLUX 问题:在待测板找出该点,用目视检查该TP是否有FLUX或太脏,因这些东西会影响接触阻抗.b)确定此针点是否有讯号:此部份共分三段,分述如下:* 绕线部份:执行LOC功能,用探棒直接接触治具上之针点,如屏幕上出现该点编号,则无问题,如没出现,则须继续下列步骤.* 治具与测试机台接触部份:用NA指令得到该点在INTERFACE上之位置,再用探棒接触该点,如屏幕上出现该点编号,则表示为绕线问题,须检查该点绕线是否有松脱,如屏幕上无显现,则须继续下列步骤.* 测试机台部份:将治具拿下,用探棒接触机台上该点位置,如屏幕上出现该点编号,则表示问题出在治具与测试机台接触部份,将治具与测试机台上下吸入多次,或检查是否有异物堵住,应可解决,如无出现,则为机台问题,此时先将机台关机,然后将此点所属之PIN/B 拔出后再插入,通常可解决(参阅上述2.机台维护操作).c)确定针点有无偏移:针点偏移当然会造成接触不良,check方法为用蓝色胶带贴在待测板上之该点,然后放入治具中,上下吸入约2次后,将待测板拿出并查看该点之扎针痕迹是否准确,如已偏移,则须调整,如无问题,则应不是此部份造成.2)一串或全部之contact问题:产生此问题可能原因分述如下:a)上针盘所有针点移位:将蓝色胶带贴在空板上,然后放入治具中,上下吸入约2次后拿出,若有整体偏移,则须请治具厂商修复.b)OPEN XPRESS短路造成:可先将OPEN XPRESS与测试机台连接之CONNECTOR拔除,若因此而解决,则为此原因造成,此时须一一检视各sensor看其是否有短路状况.c)治具与测试机台接触部份:检查INTERFACE隔板固定轴是否有松