常见扩散方阻异常分析.ppt_第1页
常见扩散方阻异常分析.ppt_第2页
常见扩散方阻异常分析.ppt_第3页
常见扩散方阻异常分析.ppt_第4页
常见扩散方阻异常分析.ppt_第5页
已阅读5页，还剩5页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

超净扩散方阻异常分析 摘要 方阻的影响因素a 排废b 温度 时间c 气体流量方阻偏高a 整组偏高b 单点偏高方阻偏低a 整组偏低b 单点偏低方阻不稳定a 扩散不均匀b 均值不均匀 排废排废的变化对管内温度 气流 杂质源均有影响 但主要影响杂质源浓度 排废过大 管内杂质源浓度降低 硅片P扩散不充分 方阻偏高 且气流速度加快 片内均匀性较差 排废过小 管内杂质源浓度相对偏高 P扩散过饱和 方阻偏低 温度 时间温度时间共同决定着结深 温度越高 扩散时间越长 反应更剧烈 硅片对P的吸收加强 P往内部的推结也越深 方阻越低 D为扩散系数 Do为本征扩散系数 Ko为波尔兹曼常数 T为绝对温度 Xj为结深 A为常数 气体流量大氮 整个扩散反应过程中的保护气体 它的变化将会导致炉管内温度以及气氛场强发生变化 大氮流量偏小导致气氛压强偏小 源浓度从炉尾到炉口呈梯度降低 炉尾到炉口方阻梯度升高 大氮偏高可能导致杂质源反应不充分 方阻偏高 同时大氮偏高导致气氛压强偏大 源浓度从炉口到炉尾呈梯度升高 炉尾到炉口方阻梯度降低 小氮 小氮是携带杂质源的重要气体 它的变化将很大程度的影响扩散薄层电阻 小氮偏高则杂质源的浓度相对偏高 P扩散过饱和 方阻偏低 小氧 小氧在整个工艺过程中起到了一个辅助的作用 通过先生成SiO2可以促使P的均匀分布减少由于扩散引起的缺陷 同样避免了直接扩散可能带来的死层现象 小氧偏高将会产生厚厚的氧化层阻碍P的扩散 小氧偏低将会使杂质源的反应不充分 且均匀性下降 两种情况均会导致方阻偏高 气体未能通入炉管内反应 管内反应的小氮偏小 杂质源未能通入炉管反应 液位以上源温度低影响小氮携带 小氮携带的源
人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论