半导体名词解释.doc

四川洪芯微科技有限公司1) Acetone 丙酮丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3性质：无色，具剌激性薄荷臭味的液体用途：在FAB内的用途，主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。允许浓度：1000ppm2) Active Area 主动区域MOS核心区域，即源，汲，闸极区域3) AEI蚀刻后检查（1） AEI 即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。（2） AEI的目的有四： 提高产品良率，避免不良品外流。 达到品质的一致性和制程的重复性。 显示制程能力的指标。 防止异常扩大，节省成本（3） 通常AEI检查出来的不良品，非必要时很少做修改。因为除去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低的缺点。4） Al-Cu-Si 铝硅铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为Target，其成份为0.5%铜，1%硅及98.5%铝，一般制程通常是使用99%铝 1%硅后来为了金属电荷迁移现象(Electromigration) 故渗加0.5%铜降低金属电荷迁移5） Alkaline Ions 碱金属雕子如Na+，K+，破坏氧化层完整性，增加漏电密度，减小少子寿命，引起移动电荷，影响器件稳定性。其主要来源是：炉管的石英材料，制程气体及光阻等不纯物。6） Alloy 合金半导体制程在蚀刻出金属连线后，必须加强Al与SiO2间interface的紧密度，故进行Alloy步骤，以450作用30min，增加Al与Si的紧密程度，防止Al层的剥落及减少欧姆接触的电阻值，使RC的值尽量减少。7） Aluminum 铝一种金属元素，质地坚韧而轻，有延展性，容易导电。普遍用于半导体器件间的金属连线，但因其易引起spike及Electromigration，故实际中会在其中加入适量的Cu或Si8） Anneal 回火又称退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。a) 激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到杂质的作用。b) 消除损伤：离子植入后回火是为了修复因高能加速的离子直接打入芯片而产生的损毁区（进入底材中的离子行进中将硅原子撞离原来的晶格位置，致使晶体的特性改变）。而这种损毁区，经过回火的热处理后即可复原。这种热处理的回火功能可利用其温度、时间差异来控制全部或局部的活化植入离子的功能c) 氧化制程中的回火主要是为了降低界面态电荷，降低SiO2的晶格结构退火方式： 炉退火 快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等)9） Angstrom 埃() 是一个长度单位，1=10-10米,其大小为1公尺的佰亿分之一，约人的头发宽度的伍拾万分之一。此单位常用于IC制程上，表示膜层(如SiO2，POLY，SIN)厚度时用10） Argon 氩气 11） Arc Chamber 弧光反应室 弧光反应室,事实上就是一个直流式的电浆产生器。因为所操作的电流对电压的区域是在弧光电浆内。12） APM( Ammonia , hydrogen-Peroxide Mixing ) 又称 SC-1 ( Standard Cleaning solution - 1 )主要化学试剂是NH4OH/H2O2/D.I .water,常用比率为1：1：6。能有效去处除无机颗粒，有机沉淀及若干金属玷污，去除颗粒能力随NH4OH增加而增加。13） Backing Pump 辅抽泵 在高真空系统中，要想很快建立我们所需的高真空，单纯靠高真空泵是不行的（因高真空泵启动时系统必须已经在低真空条件下），所以我们在系统中加入一个辅抽泵（如油泵）,先对系统建立初真空，再由高真空泵对系统建立高真空。14） Bake, Soft bake, Hard bake烘培、软烤、预烤烘烤（Bake）:在集成电路芯片的制造过程中，将芯片置于稍高温 (60C250C)的烘箱或热板上均可谓之烘烤。随其目的不同，可区分为软烤(Soft bake)与预烤(Hard bake)。软烤(Soft bake) :其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯片的附着力。预烤(Hard bake):又称为蚀刻前烘烤(pre-etch bake)，主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻(wet etching)更为重要，预烤不完全常会造成过蚀刻。15） Barrier Layer 阻障层 为了防止铝合金与硅的的接触界面发生尖峰（spiking）现象，并降低彼此的接触电阻，在铝合金与硅之间加入一层称为阻障层的导体材料，常见的有Ti/TiN及TiW。 16） BB ：Birds Beak 鸟嘴 在用Si3N4作为掩膜制作field oxide时，在Si3N4覆盖区的边缘，由于氧或水气会透过Pad Oxide Layer扩散至Si-Substrate表面而形成SiO2，因此Si3N4边缘向内会产生一个鸟嘴状的氧化层，即所谓的Birds Beak。其大小与坡度可由改变Si3N4与Pad Oxide的厚度比及Field Oxidation的温度与厚度来控制17） Boat 晶舟 Boat原意是单木舟。在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送及加工，这种承载芯片的工具，我们称之为Boat。一般Boat有两种材质，一是石英（Quartz），另一碳化硅（SiC）。SiC Boat用在温度较高(Drive in)及LPSiN的场合。SiC BoatQuartz Boat 18） BOE(Buffer Oxide Etching) B. O. E.是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蚀刻即表示HF: NH4F =l:6的成份混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4F则做为缓冲剂使用。利用NH4F固定H的浓度，使之保持一定的蚀刻率。 HF会侵蚀玻璃及任何硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量冲洗。19） Boundary Layer 边界层 假设流体在芯片表面流速为零，则流体在层流区及芯片表面将有一个流速梯度存在，称为边界层（Boundary Layer） 20） BPSG(boron-phosphor-silicate-glass) BPSG : 为硼磷硅玻璃，含有B,P元素的SiO2 , 加入B,P可以降低Flow 温度，并且P吸附一些杂质离子，流动性比较好，作为ILD的平坦化介质。21） Breakdown Voltage 崩溃电压左图是一个典型PN二极管的电流对电压曲线，因为只有在加正向电压时才导通，但假若施加的反向电压太高且超过一特定临界值时，反向电流将急剧上升，这个现象称为电崩溃。而使崩溃现象发生的临界电压称为崩溃电压，如图中的VBD 22） Buffer Layer 缓冲层 通常此层沉积于两个热膨胀系数相差较大的两层之间,缓冲两者因直接接触而产生的应力作用。我们制程最常见的缓冲层即SiO2，它用来缓冲SiN4与Si直接接触产生的应力，从而提升Si3N4对Si表面附着能力SiSiO2SiN4Buffer layer23） C1 cleanClean的一种制程，它包括DHF(稀释HF)-APM(NH4OH-H2O2-H2O mixed)-HPM (HCl-H2O2-H2O mixed)24) Burn in预烧试验预烧(Burn in)为可靠性测试的一种，旨在检验出那些在使用初期即损坏的产品，而在出货前予以剔除。 预烧试验的作法，乃是将组件(产品)置于高温的环境下，加上指定的正向或反向的直流电压，如此残留在晶粒上氧化层与金属层的外来杂质离子或腐蚀性离子将容易游离而使故障模式(Failure Mode)提早显现出来，达到筛选、剔除早期夭折产品的目的。 预烧试验分为静态预烧(Static Burn in)与动态预烧(Dynamic Burn in)两种，前者在试验时，只在组件上加上额定的工作电压及消耗额定的功率。而后者除此外并有仿真实际工作情况的讯号输入，故较接近实际况，也较严格。基本上，每一批产品在出货前，皆须作百分之百的预烧试验，但由于成本及交货期等因素，有些产品就只作抽样 (部分)的预烧试验，通过后才货。另外，对于一些我们认为它品质够稳定且够水准的产品，亦可以抽样的方式进行。当然，具有高信赖度的产品，皆须通过百分之百的预烧试验25) Carrier Gas 载气 用以携带一定制程反应物（液体或气体）进反应室的气体，例如用N2携带液态TEOS进炉管，N2即可称为载气。26) Chamber真空室，反应室 专指一密闭的空间，而有特殊的用途、诸如抽真空，气体反应或金属溅镀等。因此常需对此空间的种种外在或内在环境加以控制；例如外在粒子数(particle)、湿度等及内在温度、压力、气逞流量、粒子数等达到最佳的反应条件。27) Channel 通道 ; 缝道 当在MOS的闸极加上电压（PMOS为负，NMOS为正）。则闸极下的电子或电洞会被其电场所吸引或排斥而使闸极下的区域形成一反转层(Inversion layer)。也就是其下的半导体p-type变成N-type Si，N-type变成p-type Si，而与源极和汲极成同type ，故能导通汲极和源极。我们就称此反转层为通道。信道的长度Channel Length对MOS组件的 参数有着极重要的影响，故我们对POLY CD的控制需要非常谨慎28) Channel Stop Implantation 通道阻绝植入在集成电路中，各电晶体彼此间则以场氧化层（FOX）加以隔离的，因为场氧化层上方常有金属导线通过，为了防止金属层，场氧化层，底材硅产生类似 NMOS 的电容效应，场氧化层下方的区域常掺有掺质浓度很高的P型层，以防止类似 NMOS 的反转层在场氧化层下发生，而破坏电晶体间的隔离。这层P型层通常称为“Channel Stop”,这层掺质是以离子植入（Implantation）的方式完成的，所以称为 通道阻绝植入。P-subN-WellP-WellPad OxidePad OxideSiN 1500ASiN 1500APRP-P-B1129) Chemical Mechanical Polishing 化学机械研磨法 随着用以隔离之用的场氧化层（FOX）,CMOS电晶体，金属层及介电层等构成IC的各个结构在芯片上建立之后，芯片的表面也将随之变得上下凸凹不平坦，致使后续制程变得更加困难。而传统半导体制程用以执行芯片表面平坦化的技术，以介电层SiO2的平坦为例，计有高温热流法、各种回蚀技术及旋涂式玻璃法。当VLSI的制程推进到0.35以下后，以上这些技术已不能满足制程需求，故而也就产生了CMP制程。所谓CPM就是利用在表面布满研磨颗粒的研磨垫（polishing pad），对凸凹不平的晶体表面，藉由化学助剂（reagent）的辅助，以化学反应和机械式研磨等双重的加工动作，来进行其表面平坦化的处理。30) Charge Trapping 电荷陷入 无特定分布位置，主要是因为MOS操作时产生的电子或电洞被氧化层内的杂质或不饱和键所捕陷造成。可以通过适当的回火来降低其浓度。31) Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积 参与反应的气体从反应器的主气流里藉着反应气体在主气流及芯片表面的浓度差，以扩散的方式经过边界层传递到芯片的表面。反应物在表面相会后藉着芯片表面提供的能量，沉积反应发生。反应完成后，反应的副产物及未参与反应的反应气体从芯片表面吸解并进入边界层，最后进入主气流并被抽气装置抽离化学气相沉积的五个主要的步骤。（a）反应物以扩散通过界面边界层 （b）反应物吸附在晶片表面（c）化学沉积反应发生 （d）Byproduct及部分生成物以扩散通过界面边界层（e）Byproduct及部分生成物与未反应物进入主气流里,并离开系统32) Chip, Die晶粒一片芯片(OR晶圆，即Wafer)上有许多相同的方形小单位，这些小单位即称为晶粒。同一芯片上的每个晶粒都是相同的构造，具有相同的功能，每个晶粒经包装后，可制成一颗颗我们日常生活中常见的IC，故每一芯片所能制造出的IC数量是很可观的。同样地，如果因制造的疏忽而产生的缺点，往住就会波及成百成千个产品。33) Clean Room 洁净室 又称无尘室。半导体加工的环境是高净化空间，恒温恒湿，对微粒要求非常高。常用class表示等级（class 1即一立方米直径大于0.5微米的微粒只有一颗）。34) CMOS （Complementary Metal Oxide Semiconductor 互补式金氧半导体） 金属氧化膜半导体(MOS,Metal-Oxide Semicoductor)其制造程序及先在单晶硅上形成绝缘氧化膜，再沉积一层复晶硅(或金属)做为闸极，利用加到闸极的电场来控制MOS组件的开关(导电或不导电)。按照导电载子的种类，MOS又可分成两种类型:NMOS(由电子导电)和PMOS(由电洞导电)。而互补式金氧半导体(CMOS, Complementary MOS）则是由NMOS及PMOS组合而成，具有省电，抗噪声能力强、一Particle免役力好等许多优点，是超大规模集成电路(VLSI)的主流。35) CDA（Compressed Dry Air ）压缩干燥空气通常指压力在60到110psi之间的空气，作为控气动阀的领气阀的气体源。36) Compressive Stress 挤压应力如图所示若在理想的底材上进行薄膜沉积,反应完成后,因为薄膜与底材的热膨胀系数并不相同，将产生热应力。当薄膜热膨胀系数高于底材，则冷却的底材如图b所示，使薄膜承受在一个拉伸应力（Tensile Stress）之下；相反，薄膜热膨胀系数低于底材，则冷却的外观如图c所示，薄膜承受在一个挤压应力（Compressive Stress）之下 37) Compressor 压缩机将空气压缩形成高压气体的设备。38) Contaminant 污染物39) Constant-Surface-Concentration Diffusion恒定源: 通常杂质在半导体高温扩散有两种方式:Constant-Surface-Concentration Diffusion(恒定源扩散):The vapor source maintains a constant level of surface concentration during the entire Diffusion period (like POCl3 dope) 这个扩散模式，是假设离子在界面上所具备的浓度，并不随扩散的进行而改变。且一直为一个定值所建立。换句话说，不管离子的扩散持续多久，离子在界面上的浓度将维持在一个定值下。Constant-Total-Dopant Diffusion(限定源扩散): A fixed amount of dopant is deposited into the semiconductor surface in thin layer ,and the dopant subsequently diffuse into the semiconductor (like ion implantation, drive in)a Constant-Surface-Concentration Diffusionb Constant-Total-Dopant Diffusion40) Crack 龟裂 ( 或裂痕 )41) CROSS Section横截面IC的制造，基本上是由一层一层的图案堆积上去，而为了了解堆积图案的结构，以改善制程，或解决制程问题，以电子显微镜(SEM)来观察，而切割横截面，观察横截面的方式，是其中较为普遍的一种。42) Cryogenic Pump 低温泵将一个表面温度降到极低，甚至结近绝对零度时，与这个表面相接触的气体分子，将会产生相变化，而凝结在低温表面上，称为低温凝结。还有一些气体虽然不能凝结，但与低温表面接触后，将因为表面与分子间的凡得瓦力（Van der Waals Force）而吸附在低温表面上，且活动性大减，称为低温吸附，Cryogenic Pump 就是利用低温凝结和低温吸附的原理，将气体分子从容器里排出，以达到降低容器压力的目的。 Cryo pump原理:是利用吸附原理而工作： Cryo pump为高真空pump，应该和低真空pump配合使用，工作前真空度应该达到10-2mbar,否则无法工作。当吸附气体饱和后，要做regen,即将高温N2通入使凝结的气体释放而排出pump。入口处挡片吸附水泡，里面的特殊气体吸附（成液态状）43) Curing 固化当以SOG 来做介电层和平坦化的技术时，由于SOG 是一种由溶剂与含有介电材质的材料，经混合而形成的一种液态介电材料，以旋涂（Spin-on Coating）的方式涂布在芯片的表面，必须经过热处理来趋离SOG本身所含的溶剂，称之为Curing.44) Cycle Time生产周期时间 指原料由投入生产线到产品于生产线产出所须的生产/制造时间。在TI-Acer，生产周期时尚两种解释 : 一为芯片产出周期时间（wafer-out time）；一为制程周期时间 (Process cycle time)芯片产出周期时间乃指单一批号的芯片由投入到产出所须的生产/制造时间。 制程周期时间则指所有芯片于单一工站平均生产/制造时间的总和，亦即每一工站均有一平均生产/制造时间，而各工站 (从头至尾)平均生产/制造的加总即为该制程的制程周期时间。目前TI-Acer Line Report的生产周期时间乃探用制程周期时间。 一般而言，生产周期时间可以下列公式概略推算之： 在制品（WIP）生产周期时间产能（Throughout）45) CV Shift: 利用量测MOS电晶体在不同条件下的电容电压关系曲线，来评估MOS氧化层品质的一种技术。一般要求CV Shift|Vt|时，处于“开（ON）”的状态，且当|Vg|Vt|时，电晶体则在“关（OFF）”的状态。它的通道必须在闸极处于适当的电压下时才会形成。85) EPI WAFER磊晶芯片 磊晶系在晶体表面成长一层晶体。86) Epitaxy 磊晶 外延附生：一种矿物的结晶附于另一矿物结晶表面的生长，这样两种矿物的结晶基层就会有同样的构造来源87) EPROM （Erasable-Programmable ROM）电子可程序只读存储器 MASK ROM内所存的数据是在FAB内制造过程中便已设定好，制造完后便无法改变。就像任天堂游戏卡内的MASK ROM，存的是金牌玛丽，就无法变成双截龙。而EPROM是在ROM内加一特殊结构叫A FAMDS，它可使ROM内的数据保存。但常紫外光照到它时，它会使ROM内的数据消失，每一个记忆单位都归零。然后工程人员再依程序的规范，用30伏左右的电压将0101数据灌入每一记忆单位。如此就可灌电压，照紫光，重复使用，存入不同的数据。 也就是说如果任天堂游戏卡内使用的是EPROM，那么您打腻了金牌玛丽，就把卡匣照紫光，然后灌双截龙的程序进去。卡匣就变成双截龙卡，不用去交换店交换了。88) ESD静电破坏 Electrostatic Damage静电放电Electrostatic Discharge1. 自然界的物质均由原子组成，而原子又由质子、中子及电子组成，在平常状态下，物质呈中性，而在日常活动中，会使物质失去电子，或得到电子此即产生一静电，得到 电子的物质为带负静电，失去电子即带正静电。静电大小会随着日常的工作环境而有所不同，如下表所示。活 动 情 形静电强度（Volt）10-20相对湿度65-95相对湿度走过地毯走过塑料地扳在椅子上工作拿起塑料活页夹袋拿起塑料带工作椅垫摩擦35,00012,0006,0007,00020,00018,0001,5002501006001,0001,500 表l日常工作所产生的静电强度表2. 当物质产生静电后，随时会放电，若放到电子组件上，例如IC，则会将组件破坏 而使不能正常工作，此即为静电破坏或静电放电。3. 防止静电破坏方法有二： 在组件设计上加上静电保护电路。 在工作环境上减少静电。例如工作桌的接地线，测试员的静电环，在运送上使用防静电胶套及海绵等等。89) ETCH蚀刻 在集成电路的制程中，常常需要将整个电路图案定义出来，其制造程序通常是先长出或盖上一层所需要的薄膜，再利用微影技术在这层薄膜上，以光阻定义出所欲制造的电路图案，再利用化学或物理方式将不需要的部份去除，此种去除步骤，便称为蚀刻(ETCH)。一般蚀刻可分为湿式蚀刻(WET ETCH)，及干式蚀刻 (DRY ETCH) 两种。所谓湿蚀刻乃是利用化学品(通常是酸液)与所欲蚀刻的薄膜，起化学反应，产生气体或可溶性，生成物，达到图案定义的目的。而所谓干蚀刻，则是利用干蚀刻机台产生电浆将所欲蚀刻的薄膜，反应产生气体，由PUMP抽走达到图案定表的目的。90) Evaporation 蒸镀 将我们的蒸镀源放在坩埚里加热，当温度升高到接近蒸镀源的熔点附近。这时，原本处于固态的蒸镀源的蒸发能力将特别强，利用这些被蒸发出来的蒸镀源原子，我们在其上方不远处的芯片表面上，进行薄膜沉积。我们将这种方法叫蒸镀。限制与缺点 合金（Alloy）或化合物的沉积成分不易控制 沉积膜的阶梯覆盖能力（Step Coverage）较差 薄膜的纯度不易控制在先进的VLSI制程中，已被具有较佳成分控制能力及阶梯覆盖能力的溅镀（Sputtering）法所取代91) Exposure曝光 其意表略同于照相机底片的感光 在基集成电路的制造过程中，定义出精细的光阻图形为其中重要的步骤，以运用最广的5X Stepper为例，其方式为以对紫外线敏感的光阻膜作为类似照相机底片，光罩上则有我们所设计的各种图形，以特殊波长的光线(G-LINE 436NM)照射光罩后，经过缩小镜片(Reduction Lens)光罩上的图形则呈5倍缩小后，精确地定义在底片上(芯片上的光阻膜) 经过显影后，即可将照到光(正光阻)的光阻显掉，而得到我们想要的各种精细图形，以作为蚀刻或离子植入用。 因光阻对于某特定波长的光线特别敏感，故在黄光室中，找将一切照明用光源过滤成黄色，以避免泛白光源中含有对光阻有感光能力的波长成份在，这一点各相关人员应特别注意，否则会发生光线污染现象，而扰乱精细的光阻图形。92) Extraction Electrode 萃取电极如右图，Extraction Electrode是离子植入机中用来将Source的Arc反应室中的离子以电压萃取出来的两个电极板。由电子抑制极板（Suppression Electrode） 和接地极板（Ground Electrode）两部分组成。93) Fab 晶圆厂 Fabrication为装配或制造之意，与Manufacture意思一样。半导体制造程序，其步骤繁多，且制程复杂，需要有非常精密的设备和细心的作业，才能达到无缺点的品质。FAB系Fabrication的缩写，指的是工厂之意。我们常称FAB为晶圆区，例如：进去FAB之前须穿上防尘衣。94) Faraday Cup 法拉第杯是离子植入机中在植入前用来测量离子束电流的装置。95) Field Oxide 场氧化层 Field直译的意思是“场”。如运动场，足球场和武道场等的场都叫做Field。它的涵义就是一个有专门用途的区域。 在IC内部结构中，有一区域是隔离电场的地方，通常介于两个MOS晶体管之间，称为场区。场区之上大部份会长一层厚的氧化层 96) Filament 灯丝在离子植入机的离子源反应室里用来产生电子以解离气体用。通常采用钨、钽及钼等高温金属。利用直流电的加热，使灯丝表面释放出所谓“热离化电子”。97) Filtration过滤 用过滤器（FILTER,为一半透明膜折迭而成）将液体或气体中的杂质给过滤掉，此称为Filtration（过滤）故IC制造业对洁净度的要求是非常的严，故各种使用的液体或气体（包括大气）必须借着过滤以达到洁净的要求。待过滤的液体及气体能经过过滤器且成功地将杂质挡下，必须借着一个pump制造压差来完成，如何选择一组恰当的过滤器及PUMP是首要的课题。98) Fixed Oxide Charge 固定氧化层电荷 位于离Si-SiO2接口30的氧化层内，通常为正电荷。与氧化条件、退火条件及硅表面方向有关。99) Foundry客户委托加工 客户委托加工主要是接受客户委托，生产客户自有权利的产品，也就是客户提供光罩，由联华来生产制造，在将成品出售给客户，只收取代工费用，这种纯粹代工，不涉及销售的方式在国际间较通常的称呼就叫硅代工（Silicon Foundry）。100) Four Point Probe四点测针 是量测芯片片阻值(Sheet Resistance)Rs的仪器 其原理如下:上图ABCD四针，A、D间通以电流I，B、C两针量取电压差(V)，则 Rs = KV/ I K是比例常数，和机台及针尖距离有关101) FTIR傅氏转换红外线光谱分析仪FTIR乃利用红外线光谱经傅利叶转换进而分析杂质浓度的光谱分析仪器。 己发展成熟，可 Routine应用者，计有: a. BPSG/PSG的含磷、含硼量预测。 b. 芯片的含氧、含碳量预测 c. 磊晶的厚度量测 发展中需进一步Setup者有: a. 氮化硅中氢含量预测 b. 复晶硅中含氧量预测 c. 光阻特性分析 FTIR为一极便利的分析仪器，STD的建立为整个量测的重点，由于其中多利用光学原理，芯片状况( i.e.晶背处理状况)对量测结果影响至巨102