肖特基漏电大及软击穿问题.doc

# R9 t6 u: v* & x 最近被肖特基产品漏电大的问题所困扰0 R/ j4 d- o- h( Z, r5 g; x& % 我们主要做25100V 的产品，势垒金属是Cr 45mil以上的产品经常出现漏电大的问题. p9 V, b% Z! e, A u 还有就是左右品种都会出现软击穿的现象，就是VB小,同时IR又大。（不同产品使用的Cr靶是同一块） I5 N. J( m! & p 部分产品漏电大的地方都分布在圆片边缘12cm,一圈 目前没有查出根本原因 2010-3-21 13:45:11 上传下载附件 (2.56 KB) 9 % q+ / Y- E5 Z: u. b% S还请各位大虾帮帮忙啊我来补充一些图片，我也在为这个问题烦恼。; S W& I3 H7 u: Z9 封装前晶片为好料，封装后有不良，去黑胶后就恢复，不知是何故，焊接区正常，XRay也没发现什么异常。3 r- t: q$ _1 c1 L4 d% B: A z _. z/ d附图中的曲线是在封装完成后测出的不良品进行开封分析的部分图片。8 R. M8 o, X/ p) Q1 C附图为5A100V肖特基产品6 . k/ . f) g( t* F) x$ U7 u: n# o+ P4 r! f2010-3-23 15:55:02 上传下载次数: 2去黑胶前曲线2.gif 2010-3-23 15:55:02 上传下载次数: 0去黑胶后曲线3.GIF 2010-3-23 15:55:02 上传下载次数: 1X-Ray图邊緣的die比較有問題,從材料來看,或許是cross over,或許是mechanical defect較多.: v m U8 M9 g& gSRP打三個位置, 中心, 1/2R, edge,可以知道擴散深度或cross over的問題是否存在.* H2 / r6 j. r! j如果你有epi片(還未作device製程),去作擇優腐蝕,觀察表面是否有缺陷,然後作cross section檢查(也需擇優腐蝕,已過1100degC epi故無需再anneal),看看bulk有無缺陷.! Z6 d1 |1 ?8 H/ 6 P) J/ 8 n7 E封膠的有無可以看到差別,所以問題的來源很清楚了., e t* |1 D1 |passivation層很怕Na及水氣殘留.|) V0 Q5 1 m D l/ S9 V水氣形成native oxide,這層oxide的品質不好. Z F0 C9 |# L) d3 K! epassivation層品質不好,breakdown時易從邊緣先發生導通(耐壓不足),有時會看到die邊緣有打火的現象.8 V! M# DL9 c0 L% E# ! i, % d/ H8 B5 T# Y* X以上個人淺見边缘的die比较有问题,从材料来看,或许是cross over,或许是mechanical defect较多.: n4 w+ a7 V. o7 ?* ?8 n边缘的die？还是die的边缘？$ G) Q! V5 R% 4 x3 7 G6 x3 x( B: ZSRP打三个位置, 中心, 1/2R, edge,可以知道扩散深度或cross over的问题是否存在. 0 N3 - P G+ H# E6 bSRP是指什么意思，cross over字典解释是横渡的意思，不知道这里是指什么东西？2 T0 z# I, |$ c& I如果你有epi片(还未作device制程),去作择优腐蚀,观察表面是否有缺陷,然后作cross section检查(也需择优腐蚀,已过1100degC epi故无需再anneal),看看bulk有无缺陷. 9 Q$ O3 M, V # P1 u* X4 x5 Q# v, L, v- n# M- N mY2 h封胶的有无可以看到差别,所以问题的来源很清楚了. 0 ?7 T& Y+ J1 l+ k! Upassivation层很怕Na及水气残留. , m# - e: 5 o- k9 水气形成native oxide,这层oxide的品质不好. & p0 N, _: R/ 5 z6 7 v. kpassivation层质量不好,breakdown时易从边缘先发生导通(耐压不足),有时会看到die边缘有打火的现象。# & U: / 9 9 R这个看出了点意思，晶片正面的氧化层受Na和水汽影响，形成的氧化层具有一定导电性便产生耐压不足的问题。这样一来，当我们在去黑胶过程中，其实会把这层由Na或者水汽形成的氧化层一起去掉了，电性也随之恢复了。; B* F$ . Z% e, I* i! W但这有疑点，制作过程中未使用含Na的工具或者材料，而对于水汽，注塑过程有一定温度，而且还有一个烘烤固化的过程，这个时候水汽残留的可能应该很小，还有就是在电镀过程中