高科技工业安全复习题.doc

高科技工业安全复习题一缩写名词解释（）1. HEPA：High efficiency particulate air filter空气过滤器。2. ULPA：Ultra low penetration air filter超低渗透率空气过滤器。3. ESD：electric static discharge静电放电。4. ppm：parts per million百万份之一。5. ppb：parts per billion十亿份之一。6. mic：mobile ion contamination可动离子沾污。7. BOE：buffered oxide etch缓冲氧化物刻蚀。8. Ballroom layout：舞厅式布局。9. Bay and chase layout：生产区与技术区夹层。10. SMIF：Standard mechanical interface标准机械接口。11. FOUP：front-opening unified pod前开口片盒。12. CMP：chemical mechanical polishing化学机械平坦化。13. COD：Chemical Oxygen Demand化学需氧量（测量水中有机物化学氧化所需氧的数量，单位为ppm）。14. BOD：Biological Oxygen Demand生化需氧量（测量水中有机物污染的参数，表示含有机物之水中，微生繁殖所需之新陈代谢耗氧的数量，单位为ppm）。二判断题（）15. 人类头发的相对尺寸大约是在IC里最小特征尺寸0.18mm的500倍。16. 可以接受的颗粒尺寸的法则是它必须小于最小特征尺寸的一半。17. 原生氧化物使用含HF酸的混合液的清洗步骤去除。18. 联邦标准209E空中传播的微粒洁净度等级10级：大于0.5mm的颗粒小于1019. 联邦标准209E空中传播的微粒洁净度等级100级：大于0.5mm的颗粒小于100。20. 人是颗粒的产生者，是净化间沾污的最大来源。21. 现代超净化服是高技术膜纺织品或密织的聚酯织物。22. Ballroom layout的层流工作台的净化级别是100级。23. Bay and chase layout加工硅片的生产间格的净化级别是1级。24. 联邦标准209D净化间温度的推荐值是22.20C。25. 联邦标准209D净化间相对湿度的最大值是45%，最小值是30%。26. 微粒过滤器：可过滤之微粒为1.5mm及以上的深度过滤器。27. 微过滤器：薄膜过滤器可将液体中之微粒移除，可过滤之微粒范围为0.1至1.5mm。28. 超过滤器：加压之薄膜式过滤器可阻绝之微粒范围为0.005至0.1mm。29. 逆渗透：又称为超级过滤器，主要是以加压方式将溶液通过半渗透薄膜，可阻绝微粒与金属离子，所隔绝微粒之大小可至0.005mm。30. 导电度与电阻值：导电度指水溶液导电的能力，单位为Micromho/cm(S/ cm)或Micro Siemens/cm(S/cm)。三简答题（）31. 污染的类型：微粒、微粒金属杂质、有机污染物、原生氧化物和静电放电。32. 金属杂质带来的问题：PN结的漏电流的增加，少数载流子寿命的减少，Na+离子改变MOS管的开启电压。33. 原生氧化物带来的问题：原生氧化层沿着接触窗的底部排列，造成介于钨和掺杂硅区域之间不良的电接触。34. 晶圆厂内之7种污染来源如下：空气、人体、厂区、水、制程化学品、制程气体和生产设备。35. 无尘室服装系统必须发挥下列各项指针功用： 服装内之所有污染物必须完全隔离于无尘室 ；不得释放微粒；不得存在静电荷；不得排放化学性或生物性碎。36. 控制消除无尘室内之微粒应遵守：无尘室本体之微粒需消除；避免因设备、工具、人员与相关原料供应时，将微粒引入无尘室内；实时监控无尘室内微粒数目，以维持洁净度。37. 超纯去离子水内不可包含的污染物：溶解之离子、有机材料、微粒、细菌、硅土和溶解之氧气。38. 纯水在高科技产业之功能：去除沈积物、防止金属离子污染、防止有机物质污染、防止氧化物污染、增加产品表面之整齐、增加产品表面之平滑和去除产品表面之微尘粒子及附着物。 39. 1#液的组成和清洗目的：NH4OH/H2O2/H2O；颗粒。40. 2#液的组成和清洗目的：HCL/H2O2/H2O；金属。41. 3#液的组成和清洗目的：H2SO4/H2O2；有机物和金属。42. 稀HF的组成和清洗目的：HF/H2O；自然氧化层 。43. 阳树脂离子交换反应：RSO3H+NA+（溶液中）RSO3NA+H+（溶液中）44. 阴树脂离子交换反应：R4NOH+CL-（溶液中）R4NCL+OH-（溶液中）45. 阴离子交换树脂的再生：R4NOH+CL-（溶液中）R4NCL+OH-（溶液中）46. 阳离子交换树脂的再生：RSO3H+NA+（溶液中）RSO3NA+H+（溶液中）47. 洁净室构成要素：可去除飘浮于空气中的微粒子、可以防止及避免微粒子之产生、室内温湿度之控制调整、室内压力之调节、化学品、废气及有害气体物质之排除、建物结构与室内内装隔间之气密性、电磁干扰之预防、静电之防制排除、工业安全因素之考虑和节约能源之考虑。48. 洁净室新标准规范：ISO/TC209国际标准化技术委员会(International Standardization Organization Technical Committee)1998颁布实施；ISO/TC209共分二个系列标准文件：ISO/14644及ISO/14698。49. 离子交换树脂法：离子交换树脂法（Ion Exchange Resins Method）：工业界常用，是利用H+、OH-离子交换树脂来除去盐类离子，H+可取代金属离子如Ca2+，Na+，Mg2+而OH-离子可取代阴离子如SO4-，Cl-，HCO-等。50. 逆渗透膜法：反渗透膜法(Reverse Osmosis Membrane Method, RO)：是于高压力操作下，利用膜来除去盐类及有机物，民间家庭或小工厂常用。51. 电解式连续去离子法：电解式连续去离子法(Continuous Electrodeionization，CEDI或CDI或EDI)：高科技厂或制药厂、实验室常用。系依靠离子交换膜，树脂和电极连续生产高纯水之技术原理。为利用电极产生直流电去除水中一切离子和可被离子化之杂质，同时对树脂进行连续再生，即是添加了树脂后的电渗析。52. 高科技厂废水主要来源：生产的制程废水、纯水系统再生废水及RO排放水、废气洗涤塔中和液废水和一般生活排放废水 。53. 半导体废气种类：无机废气：酸、碱等化学品之蒸发气；有机废气：有机溶剂之蒸发气；特殊气体废气：化学气相沈积，蚀刻等之所排废气；热废气：一般氧化炉及烤炉所排出之废气 。54. 硅甲烷（SiH4）废气处理方式：单独配管至燃烧室燃烧后再经洗涤塔处理 排出室外，反应方程式：SiH4+2O2SiO2+2H2O；用氢氧化钾溶液加以化学反应，反应方程式：SiH4+2KOH+H2OK2SiO3+4H2。 55. 活性碳吸附法（有机溶剂废气处理方式）：以活性碳直接吸附经过之废气中之有机溶剂，为最简易和省成本之方式，唯活性碳易粉化而引起压损，吸水气而降低性能，受颗粒杂质堵塞，易自燃等之缺失。56. 冷凝法（有机溶剂废气处理方式）：是将气体之温度下降至其中某溶剂化学成份之蒸气压相对温度以下，使该化学成份凝结而达分离之目的，一般使用在高浓度废气(1)及高沸点低蒸气压之有机溶剂之废气。57. 直接燃烧法（有机溶剂废气处理方式） ：将气体中之化学成份直接利用高温燃烧而分解为CO2及水份，操作简单可回收热，去除高，唯操作费用高，有回火及爆炸之危险。58. 化学吸收法（有机溶剂废气处理方式）：藉由气体与固体间之接触，将气体中某些成份因产生化学吸附及物理吸收而移除。59. 触媒燃烧法（有机溶剂废气处理方式