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Fab厂常用术语some phrases and words in FAB cleanroom system* p% H- r+ B* Y: v9 M! V8 A.M.U 原子质量数 6 I9 c6 c* E$ a7 i1 PADI After develop inspection显影后检视 ! n( + q8 _% g zAEI 蚀科后检查 % Y4 _+ 7 % v9 U, gAlignment 排成一直线，对平 7 B: R) M; BR# i5 dAlloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值 6 U% l4 N: D2 j. N+ ARC： anti-reflect coating 防反射层 / p G. x f+ H. h5 U Z% z TASHER: 一种干法刻蚀方式 8 / K! y( 2 M. r1 DASI 光阻去除后检查 0 | M6 2 - K. V( wBackside 晶片背面 F* L2 Y. ! : i2 t4 tBackside Etch 背面蚀刻 8 |! f9 Z) _4 4 I6 a. k2 J8 mBeam-Current 电子束电流 . n7 G0 ( u! J: q2 L6 LBPSG: 含有硼磷的硅玻璃 / | 0 & u% J iBreak 中断，stepper机台内中途停止键 L0 G2 $ V8 L% k0 B8 oCassette 装晶片的晶舟 7 p/ t# m) F- p oCD：critical dimension 关键性尺寸 ! V) p, P, F y Q: _Chamber 反应室 7 P) : K i7 l0 C3 O5 T0 uChart 图表 , p5 J5 + ye- 0 CChild lot 子批 # l# h|; 1 c8 z- ?Chip (die) 晶粒 P- |! p0 0 I B$ o) _CMP 化学机械研磨 , U( a l% g- i0 E1 H* Coater 光阻覆盖（机台） 7 S; y8 |% % ACoating 涂布，光阻覆盖 ! E+ F B) a5 X( O; Contact Hole 接触窗 1 r 0 b/ lControl Wafer 控片 2 B- f# T S* : yCritical layer 重要层 3 ?+ P) $ % C0 FCVD 化学气相淀积 # 3 U/ J M7 e) MCycle time 生产周期 4 B l9 M# * h; Z) I! GDefect 缺陷 ! e) e) j% b) L YDEP: deposit 淀积 - w) i7 q4 x; ( jDescum 预处理 % u$ j$ I6 Z* J3 g/ jDeveloper 显影液；显影（机台） B8 X2 V* X. l6 H1 G% rDevelopment 显影 4 b1 O* K9 h; Q # x5 eDG: dual gate 双门 X3 q* tu zDI water 去离子水 5 w/ j8 1 F4 R7 qDiffusion 扩散 + W& # Q; Q4 J0 j& i h9 k; |; cDoping 掺杂 4 j6 H f, k8 R8 oDose 剂量 # S8 5 H8 Q- hDowngrade 降级 0 z2 Z* K, $ y d! aDRC: design rule check 设计规则检查 8 : W( O* n8 z/ dDry Clean 干洗 * E i) F0 , A4 rDue date 交期 # q( r: Q! 0 a( s. N+ uDummy wafer 挡片 5 W. W k2 r. K/ r7 O3 : JE/R: etch rate 蚀刻速率 5 w: G+ i|# HEE 设备工程师 P: u2 u t, l z# K$ C& 2 F, W9 q sEnd Point 蚀刻终点 8 I2 T1 ; m/ z$ l( xESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤 ( N4 r e: G$ r+ + T- * n) i7 vET: etch 蚀刻 0 c8 r! S7 R % l; |/ zExhaust 排气（将管路中的空气排除） + F, a6 n+ ( c, i/ j7 zExposure 曝光 / n O( p7 D( S% FFAB 工厂 3 4 p, ?; ?1 t0 ; p) Y! r# qFIB: focused ion beam 聚焦离子束 ; s! y# r* _ d9 Q& V# _Field Oxide 场氧化层 ) o( D r) z4 L4 mFlatness 平坦度 + E3 j: 4 2 B$ z1 JFocus 焦距 c6 x: / P v* vFoundry 代工 : K; b5 H% S; N( J3 t P* vFSG: 含有氟的硅玻璃 % E/ X/ C7 3 B8 t3 gFurnace 炉管 3 E( ?/ b, k6 l, H$ U5 GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性 / z5 y$ x X! J- Q& + H.M.D.S Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称H.M.D.S / ?+ N% m9 Q* B$ jHCI: hot carrier injection 热载流子注入 8 J g/ x6 q. Q4 e6 7 |. y5 wHDP：high density plasma 高密度等离子体 ; |% ?# - gHigh-Voltage 高压 $ |u! c9 + e/ X- |$ H. w+ w$ jHot bake 烘烤 ! T5 t V3 d0 a5 tID 辨认，鉴定 / 8 ?/ p Z3 U; e- N- BImplant 植入 4 # n3 c- W5 X$ J0 v! VLayer 层次 # r Q6 s! E4 X3 DLDD: lightly doped drain 轻掺杂漏 5 ?: X/ Q# d# E; h) W. ZLocal defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污 / r2 P5 L5 T Q0 a0 h3 d5 8 LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化 v i4 PZ8 ) y* d) Loop 巡路 $ p8 O- B v. FDLot 批 L* z: u u* ?: |# m. j# I1 DMask (reticle) 光罩 Z( o1 o L 3 E% d( sMerge 合并 + |7 k2 a: x: H9 d8 i Y: uMetal Via 金属接触窗 $ B2 f3 b _6 y1 Y! W* MMFG 制造部 ) l P; P8 c% u0 H2 A% Mid-Current 中电流 5 F1 j5 k) N; 1 t Q1 L1 ?Module 部门 ; + W r9 Hj2 O2 k# B: s# ONIT: Si3N4 氮化硅 ) b9 + F* 6 q0 Y dNon-critical 非重要 5 C JL& C. e6 2 vNP: n-doped plus(N+) N型重掺杂 9 j8 j1 s% Io* ?NW: n-doped well N阱 % A1 t4 E7 M; C L; w$ g/ / J. TOD: oxide definition 定义氧化层 8 ?$ X0 |4 i4 Y8 D4 tOM: optic microscope 光学显微镜 5 y5 X! W/ j oOOC 超出控制界线 ; L2 t: i6 j1 S) v. 7 OOS 超出规格界线 7 c/ q/ Z, D- X9 dOver Etch 过蚀刻 * c: a. j( S8 F8 v0 k# kOver flow 溢出 * ! G2 c$ I9 l! ?6 e% eOverlay 测量前层与本层之间曝光的准确度 E6 G( C( $ x: r9 T, OX: SiO2 二氧化硅 Q6 q8 H% Z+ i8 u* |P.R. Photo resisit 光阻 ; s3 w5 5 s) * W0 j# ZP1: poly 多晶硅 9 W! l9 K$ - j/ 5 u0 zsPA; passivation 钝化层 # b j* b/ a/ b+ zParent lot 母批 4 B; zp4 U5 Particle 含尘量/微尘粒子 + o F! _; P% w; 0 L0 cPE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1、工艺工程师 2、等离子体增强 * w- T?: b3 Ig$ o, N; PH: photo 黄光或微影 A3 Y: u) G6 H# y* I0 XPilot 实验的 6 B. g, 0 q5 M! TPlasma 电浆 , L% f z9 u9 g# N* L0 aPod 装晶舟与晶片的盒子 ) 3 l k, N) E5 j2 u3 k k8 _1 HPolymer 聚合物 6 b r6 p; X, 3 n% VPOR Process of record % F+ c8 A2 F2 n% K0 JPP: p-doped plus(P+) P型重掺杂 + f* v. N0 Q! # # _PR: photo resist 光阻 K/ ?. z1 ( d4 Tt fPVD 物理气相淀积 ) Y B0 E2 I! J$ q aPW: p-doped well P阱 # K8 g L/ V+ . Q; s8 tQueue time 等待时间 : I c: ; ; A4 N$ X# c* a4 w3 oR/C: runcard 运作卡 ?! h! c0 f# i* ) 2 Recipe 程式 2 D) X5 |6 n5 x j% W- 6 Release 放行 7 ?5 5 d) h% . o KResistance 电阻 ( 7 B! d2 q Reticle 光罩 % o( ; U1 j , |+ RF 射频 : P N) u8 _6 + M9 |. RM: remove. 消除 # p V2 b0 p0 b! P* m v6 DRotation 旋转 7 R F5 H0 KP5 D Y! ?RTA: rapid thermal anneal 迅速热退火 $ 0 K5 U7 h l1 d o% nRTP: rapid thermal process 迅速热处理 ; B2 G, E. O3 D! SA: salicide 硅化金属 y 2 / B C5 C cSAB: salicide block 硅化金属阻止区 $ k% S v0 K9 U9 M( SAC: sacrifice layer 牺牲层 ; aF3 n8 Vf6 CScratch 刮伤 6 a# F- g; K8 e; F( YSelectivity 选择比 . s5 c4 b3 k1 Q$ R% ?SEM：scanning electron microscope 扫描式电子显微镜 8 y. a9 T k5 p! i- A; m3 |Slot 槽位 $ v0 $ b# X |; p( T6 |Source-Head 离子源 3 k% m5 % d( zSPC 制程统计管制 . W, l: k D W& e* B3 Spin 旋转 % D; A/ W5 q# q: Y5 r$ 3 JSpin Dry 旋干 6 # w# c. R3 Z# I. i( fSputter 溅射 ) J( c* Y ? C. a2 t) C3 l) KSR Si rich oxide 富氧硅 4 A# f3 V7 T v. G8 * G5 g/ Q; FStocker 仓储 7 L# e) U) |; Z( EStress 内应力 % j- p4 P6 T3 6 wSTRIP: 一种湿法刻蚀方式 X d! V% X4 e; FTEOS (CH3CH2O)4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作LPCVD /PECVD生长SiO2的原料。又指用TEOS生长得到的SiO2层。 + s: C) A/ _; n4 Z. o: x4 TTi 钛 7 w! C/ : f* i9 A+ KTiN 氮化钛 $ u% ?4 p. a2 l9 I! C$ G7 TM: top metal 顶层金属层 ) ( i* U8 ) Y7 N$ o: g2 nTOR Tool of record $ P w( _* r- c$ x3 I$ B, f JUnder Etch 蚀刻不足 C7 Y) c: l z) ZfUSG: undoped 硅玻璃 9 M- J. q. p N5 U TW (Tungsten) 钨 2 n3 6 b9 Q! d, J! lWEE 周边曝光 P9 U4 d* Z3 # rYield 良率常用位置英语标识1 P6 U; z* V9 ( I* d6 P7 T! ? G; I0 9 V, av7 L! Q! S1 U6 a* h( |+ O- ?( e4 f) LStorageroom 储蔵室 * O$ F8 X, Z R: G3 k2 w( ; sFire Main room 消防管道井房 0 Y0 T- W5 v c ?% d6 o1 Diningroom 餐厅8 j7 N( c/ ?) v; GClothesRack 衣架间4 G3 j: O8 V# c$ g: f6 C/ M% DAuditorium 报告厅- I. N am( K, oFirstAid 急救箱$ Y h8 . 6 U7 b; T9 jAccessto roof AndIDF room 通向屋顶及IDF房# c/ e5 % e # z5 o( f i0 NDisabled W。C 残疾人专用厕所 , P _& B; F1 a7 f# cgFemale W。C 女卫5 ?! a, w4 X: X- G; uMaleW。C 男卫 8 y3 5 E/ : D2 TProjectionroom 放映室 * v0 c# e4 j: i9 K5 v. nWorkshop 车间 7 X U$ M0 T, s) h# j: U) cAccessToofficeArea 通向办公区域 p9 l: t2 C / w6 J/ l; A6 o8 SWeakElectricity room 弱电房. N9 f7 j5 s: ! Y m# F* Kz: wForceElectricity room 强电房 # J4 v+ 2 x7 uOven / Refrigerator 烤箱/冰柜. y( _* : |: s3 Wardrobe 更衣室2 Z/ v, s: |9 U/ N# wAcademy room 示教室4 O$ i9 * q# h$ z1 EB+ KBlastingroom 喷砂室1 z$ H! V4 T+ H4 Y7 KPower Distribution 配电房C, a0 + p/ U( Access toFemaleW。C stairs 通向女卫 & 楼梯2 H. O2 j1 x5 r# C2 v+ CStaircase 楼梯间% o* K c5 3 f# j9 r6 3 w$ j- IVentedBreakRoom 休息室m: E7 W V5 U, g! z. oPull 拉7 T4 o% T( x! k9 e2 / H+ bPush 推: W2 W1 f/ W6 X+ T- 2 VTrainingCentre 培训中心 W6 a# v/ m9 3 M: EReadAccesscard 读取进出卡: z. H, V- U3 s6 N3 t% LPipelineroom 管道井房1 d1 R- G ; a hAccesstoBasement 通向地下室8 3 U# |) F0 _ v, qAccesstoGarage 通向车库- u5 U1 M# x% j# F5 EAccesstoKitchen 通向厨房; S4 j) ?: Y4 l9 ?2 c% g* G# MLowVoltageDistribution 低压配电房 t3 A( L5 j5 Y7 tL