提高习题 -场效应管放大电路.doc

场效应管放大电路1图1所示为MOSFET的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如是增强型，说明它的开启电压VT？如是耗尽型，说明它的夹断电压VP？（图中iD的假定正向为流进漏极。） （a） （b） （c）图12已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为KP0.2mA/V2，VP0.5V，iD0.5mA（假定正向为流进漏极）。试求此时的预夹断点栅源电压vGS和漏源电压vDS等于多少？3设N沟道增强型MOSFET的参数为VT1V，W100mm，L5mm，mn650cm2/Vs，Cox76.7109F/cm2。当VGS2VT，MOSFET工作在饱和区，试计算此时场效管的工作电流ID。4电路如图4所示，设Rg190k，Rg260k，Rd30k，VDD5V，VT1V，Kn0.1mA/V2。试计算电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。图45电路如图5所示。已知Rd10k，RsR0.5k，Rg1165k，Rg235k，VT0.8V，Kn1mA/V2，场效应管的输出电阻rds（l0），电路静态工作点处VGS1.5V。试求电路的小信号电压增益Avvo/vi和源电压增益。（提示：先根据Kn、VGS和VT求出gm，再求Av）图56电路如图6所示。设电流源电流I0.5mA、VDDVSS5V，Rd9k，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的VT0.8V，Kn1mA/V2，输出电阻rds。试求电路的小信号电压增益Av。图67电路如图7所示。设R0.75k，Rg1Rg2240k，Rs4k。场效应管的gm11.3mA/V，rds50k。试求源极跟随器的源电压增益AvSvo/vs、输入电阻Ri和和输出电阻Ro。图78电路如图8所示，设场效应管的参数为gm10.8mA/V，l1l20.01V1。场效应管的静态工作电流ID0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。图89已知电路参数如图9所示，FET工作点上的互导gm1mA/V，设rds Rd。（1）画出电路的小信号等效电路；（2）求电压增益Av；（3）求放大器的输入电阻Ri。 图910一个JFET的转移特性曲线如图10所示，试问：（1）它是N沟道还是P沟道的FET？（2）它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少？ 图1011在图11所示FET放大电路中，已知VDD20V，VGS2V，管子参数IDSS4mA，VP4V。设C1、C2在交流通路中可视为短路。（1）求电阻R1和静态电流IDQ；（2）求正常放大条件下R2可能的最大值提示：正常放大时，工作点落在放大区（即恒流区）；（3）设rds可忽略，在上述条件下计算Av和Ro。图1112源极输出器电路如图12所示。已知FET工作点上的互导gm0.9mS，其他参数如图中所示。求电压增益Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro.图1213电路参数如图13所示。设FET的参数为gm0.8mS，rds200k；T2的b40，rbe1k。试求放大器的电压增益Av和输入电阻Ri。 图1314电路如图14所示，设FET的互导为gm，rds很大；BJT