Dm642启动制作与映像.doc

Dm642启动制作与映像一、原理与概述二、复位启动与引导说明Cpu 引导1K 三、引导代码与说明1K引导4K四、内存初始化以及简单文件启动4K五、启动结构与配置说明六、启动1K代码说明七、启动4K代码说明八、sram运行说明九、SDram运行说明十、制作向导与应用一、原理与概述配置Dm642为EMIF启动，即设置 A22，A21 为有效，即1K拉高 。Cpu 上电复位后，默认配置Emif Ce0 Ce1 Ce2 Ce3 均为 8位同步存储，内部sram为地址模式0X000000000X3FFFF， 然后开始自动读取 0X90000000 处 1Kbyte 的代码到 内部Sram 0X00000000 ，然后跳转到 内部Sram 0X00000000处开始执行代码。0x00000000的1K代码 （简称Boot_1K）主要任务是继续读取0X90000000，的引导代码，并且跳转执行。本设计中我们引导了0X90000000处 4K代码到 0X0003F000，并且调转到0X0003F100处。0X0003F000的4K代码 （简称Boot_4K），则负责将 SDRAM初始化，IO初始化，并且再次引导启动代码到指定地址。其中我们使用了BootConfig结构体存放了启动初始化配置参数以及启动引导的代码与目标地址。至此引导过程全部完成。Boot4K为 Boot1K+Boot4K源代码。BootLoadVersionMgr为VC项目， 产生Boot4K的映像（8,bin格式）FlashTool为执行烧写的PC程序注意问题：1、 读写速率a) 启动时外部存储使用 EMIF的时钟（设计中采用150M有效时钟， A20 ,A19），读取操作速度为外部时钟 频率/ (RDSETUP * RDSTRB) ， 本设计中EMIF采用150M， 所以Flash操作速率150M / (1111 11 1111 ) = 150K ，Flash读写速度一般都大于1M,因此CPU的启动基本不会有问题。CE2 (0X100 ) ,对应地址0X90000000 ， 8 bit WRSETUPWRSTRBWRHLDRDSETUPTARDSTRBMTYEWRHLDMSBRDHLD111111 11111111111111 1111000000112、 上电复位由于CPU启动需要约200CLOCK时钟周期， 因此在时钟同步完成 时候持续200*mms 即可复位处理器（Reset置高）约为1ms。实际中考虑按键等因素，复位匹配 为 4.7K上拉， 1K下拉 ， 1uf 复位电容即可。 3、启动默认配置 为 Ce2 0X90000000 为8 bit 同步存储，内部Cache 禁用 ,地址0X0000000 0X3FFFF 为可写可读 高速Sram.本设计为 300M CPU引导完成后交付程序执行3、 引导失败可能由于 Flash的地址、数据线连接失败，可以采用示波器查看以下信号1、 CE2 是否有一个有效（-_-）2、 ADDR10.0是否出现波形 -3、 DATA7.0是否出现波形4、 FLASH_R是否有一个有效（-_-）,要同步CE25、 通过仿真器察看 0X90000000地址的数据是否正确（确保数据线正确）6、 通过仿真器察看 0X900000000X90000400数据是否正确（确保地址线正确）二、复位启动与引导说明Boot_1K 主要功能 将Boot_4K调入到Sram以下参看代码（main.c）：void Init() ;#pragma CODE_SECTION( c_int00,.BOOT_ENTRY_00000) /将代码c_int00定位在初始位置/ BOOT_ENTRY_00000 : origin = 0x03F000, len = 0x000040/.BOOT_ENTRY_00000 : BOOT_ENTRY_00000void c_int00() asm( MVKL .S2 0X04C0 , SP); asm( MVKH .S2 0X04C0 , SP); /Init();asm( MVKL .S2 0X000040 , B3);/asm( MVKH .S2 0X0003F100 , B3);asm( B B3 );asm( NOP 8 );asm( NOP 8 );asm( NOP 8 );asm( NOP 8 );asm( NOP 8 ); #define BOOT_LOAD_ADDR 0X90000000#define BOOT_LOAD_ENTRY 0X0003F000#define BOOT_LOAD_SIZE 0X00001000#pragma CODE_SECTION( Init,.BOOT_ENTRY_00040) /将代码c_ Init定位在有效位置/ .BOOT_ENTRY_00040 : BOOT_ENTRY_00040 / BOOT_ENTRY_00040: origin = 0x03F040, len = 0x0000C0void Init() int i=0; unsigned char *pCode =(unsigned char *)BOOT_LOAD_ADDR ;unsigned char *pEntry =(unsigned char *)BOOT_LOAD_ENTRY ;WaitMs(1000);for(i=0; iBOOT_LOAD_SIZE; i+)pEntryi=pCodei;/if(pEntry0=0XFF)while(1);/asm( MVKL .S2 0X0003FFF0 , SP);/asm( MVKH .S2 0X0003FFF0 , SP);asm( MVKL .S2 0X0003F100 , B3);asm( MVKH .S2 0X0003F100 , B3);asm( B B3 );asm( NOP 8 );asm( NOP 8 );asm( NOP 8 );asm( NOP 8 );asm( NOP 8 );1、 采用c_int00能让编译器直接使用本函数，而不是使用类库的默认函数将c_int00定位在0X3F000：1、 由于实际烧写的时候为 内部Sram 0X3F0000X3FFFF 所处的代码或者数据 Flash 0X900000000X90000FFF （烧写器实际从Flash 0x00000开始烧写）； 而CPU启动 Flash 0X900000000X90000FFF -Sram 0X0000，所以该代码实际出现在 CPU 0X00000处2、 Init 将代码Flash 0X900000000X90000FFF 拷贝到 0X3F000a) 为了保证Flash初始化完成，可以考虑稍微等待一会b) 代码可以直接跳转，但是注意设置好堆栈 SP， 因为0X3F000处的0X100字节包含了c_int00 与 Init 的代码， 而该代码已经无效，所以充当堆栈使用c) WaitMs代码不应该过大，确保 BOOT_ENTRY_0000 + BOOT_ENTRY_00040 小于256字节三、引导代码与说明Boot_4K代码本身占用了地址：0X3F0000X3FFFF，所以预留为执行程序空间为0X00000X3EFFF共 252K连续Sram空间；另外采用结构配置函数将Sdram初始化，可以使用 0X80000000处地址为程序所用； 0X9000000处也被初始化为Flash,也可以作代码地址使用。Boot_4K开始执行有效的引导代码 ，配置地址空间。为了灵活起见，使用了配置结构：typedef struct /Emif 160X00 u32GBLCTL;/ EMIF global control registeru32CE0CTL;/ EMIF CE space control registersu32CE1CTL;/ EMIF CE space control registersu32CE2CTL;/ EMIF CE space control registersu32CE3CTL;/ EMIF CE space control registersu32CE0SEC;/ EMIF CE space secondary control registersu32CE1SEC;/ EMIF CE space secondary control registersu32CE2SEC;/ EMIF CE space secondary control registersu32CE3SEC;/ EMIF CE space secondary control registersu32SDCTL;/ EMIF SDRAM control registeru32SDTIM;/ EMIF SDRAM refresh control registeru32SDEXT;/ EMIF SDRAM extension registeru32PDTCTL;/ EMIF peripheral device transfer control register/u32CE0SIZE;/u32CE1SIZE;/u32CE2SIZE;/u32EmifNull3;/code16 0X40u32CodeSrcAddr ;u32CodeSrcLen ;u32CodeDestAddr;u32LoadNull;u32CodeSrcAddr1 ;u32CodeSrcLen1 ;u32CodeDestAddr1;u32LoadNull1;u32CodeSrcAddr2 ;u32CodeSrcLen2 ;u32CodeDestAddr2;u32LoadNull2;u32CodeSrcAddr3 ;u32CodeSrcLen3 ;u32CodeDestAddr3;u32LoadNull3;/entry 4 0X80u32 entry;u32 cpuRunClock;/khzu32 entryNull;u32 configFlag;/Gpio4 0X90u32 gpioEn;u32 gpioDir;u32 gpioValue;u32 ledFlag;/Cache 4 0XA0u32CCFG ;u32MAR_60_7F;u32MAR_80_9F;u32MAR_A0_BF;/0XB0u32bootLoadNull4;/0XC0/u32bootLoadNull216;u32 sramAddr ;u32 sramSize ;u32 flashAddr ;u32 flashSize ;u32 sdramAddr ;u32 sdramSize ;u32 cacheAddr ;u32 cacheSize ;/0XE0u32bootLoadNull28;BootLoadStruct;该结构共占用了256字节，放置在Flash0X9003FF00处，即占用Boot_4K的最后0X100字节。由于Boot1K引导 0X900000000X90000FFF 到 Sram 0X0003F0000X0003FFFF，所以程序将结构体直接指到CONFIG_BASE_ADDR：#define CONFIG_BASE_ADDR (0X3F000+0X00F00 ) BootLoadStructConfig = (BootLoadStruct *)CONFIG_BASE_ADDR ;1、 程序将 根据 EMIF参数将配置内存以及Flash a) 设计中采用了256M 150M SDram 配置参看 BootloadVersiomMgrb) Flash使用了 缺省的8Bit配置 容量为512K 地址为0X90000000c) CE2/Ce3 使用了缺省配置 2、口设置为输入、根据CodeSrcAddr（的执行代码），CodeSrcLe