三价离子掺杂5-6族热电材料.doc

掺杂Ag，Au，SiO2的纳米碲化铋的制备及热电性能研究本论文以室温热电材料Bi2Te3纳米棒为研究基础,对掺杂Ag、Au、SiO2等金属和非晶的Bi2Te3纳米热电材料的热电性能做出了进一步的分析和讨论。用水热合成法制备了棒状Bi2Te3纳米热电材料,并采用低温湿化学法和Stober法制备出了掺杂Ag、Au、SiO2的Bi2Te3纳米热电材料,通过XRD、SEM、TEM和EDS等检测技术对样品的结构、微观形貌表征并分析,并研究了掺杂不同的物质和不同的含量对它们的热导率、电导率、Seebeek系数及功率因子和热电优值的影响。结果表明,掺杂后的试样与纯Bi2Te3相比,其热导率均降低,但同时电导率也降低了,不同含量的结果是不一样的,最后得到的ZT值均低于Bi2Te3的ZT值。38 耿爱芳等.掺杂Ag，Au，SiO2的纳米碲化铋的制备及热电性能研究J.CNKI. 2012Sn掺杂Bi2Te2.7Se0.3薄膜材料的微结构及热电性能研究采用真空熔炼法合成(Bi1-xSnx)2Te2.7Se0.3合金,再通过热蒸发技术在473K玻璃基体上沉积了厚800 nm的Sn掺杂Bi2Te2.7Se0.3热电薄膜。利用X射线衍射技术对薄膜的相结构进行表征;采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度;采用四探针法和温差电动势法分别测量薄膜的电阻率和Seebeck系数;采用薄膜的电阻率和Seebeck系数Sn掺杂浓度对(Bi1-xSnx)2Te2.7Se0.3薄膜热电性进行分析。结果表明,Sn掺杂浓度为0.003时,热电功率因子提高到12.8W/K2.cm;Sn掺杂浓度从0.004增加到0.01,薄膜为P型半导体,热电功率因子减小。39江月珍等. Sn掺杂Bi2Te2.7Se0.3薄膜材料的微结构及热电性能研究J.热加工工艺.2011.Vol.12添加La的Bi2Te3和Bi0.5Sb1.5Te3热电材料的电磁感应熔炼法制备及其热电性能在N2气保护下,采用电磁感应法制备了添加La的Bi2Te3和Bi0.5Sb1.5Te3。运用X射线粉末衍射、电感耦合等离子光谱和扫描电子显微镜对材料的物相成分和形貌进行了表征。研究了La对Bi2Te3和Bi0.5Sb1.5Te3热电材料的电导率()、Seebeck系数(S)和热导率()的影响。实验结果表明,添加La明显降低了2种材料的热导率,提高了热电优值(ZT),添加La的Bi0.5Sb1.5Te3的热电优值在室温超过了1。40傅继澎等. 添加La的Bi2Te3和Bi0.5Sb1.5Te3热电材料的电磁感应熔炼法制备及其热电性能J.应用化学.2012.Vol.9Cr掺杂拓扑绝缘体Sb2Te3薄膜中反常霍尔效应的调控拓扑绝缘体是最近几年发现的一种新的物质形态,具有很多独特的物理性质,有可能在拓扑量子计算和自旋电子学等领域有重要的应用1。特别是,在磁性掺杂的拓扑绝缘体中,人们预言了多种新奇的量子效应,例如拓扑磁电效应、量子化反常霍尔效应2、表面态诱导的磁有序等等。利用分子束外延技术在sappire(0001)、SrTiO3(111)等多种衬底中制备了Cr掺杂的三维拓扑绝缘体Sb2Se3外延单晶薄膜。STM显示Cr均匀分布在Sb2Se3母体中。角分辨光电子能谱测量表明，Cr掺杂对Sb2Se3能带结构影响不大。特别是拓扑绝缘体的狄拉克表面态并没有受到破坏。电输运测量结果显示Cr掺杂的Sb2Se3在低温下具有明显的反常霍尔效应。说明Cr原子在薄膜中形成了长程的铁磁序。我们还利用SrTiO3（111）作为介电层衬底，成功实现了对Cr掺杂Sb2Se3载流子浓度的场效应调控。另外发现，随着、随着载流子浓度减小，薄膜的磁性没有明显变化。而反常霍尔效应却显著增加。另外通过掺杂Bi原子实现Cr掺杂的Sb2Se3的载流子从p型到n型的转变。，这些结果为实现反常霍尔效应奠定了坚实基础。40 常翠祖等。Cr掺杂拓扑绝缘体Sb2Te3薄膜中反常霍尔效应的调控R. 中国北京.中国材料研讨会. 2011半导体陶瓷散热材料的结构和性能研究热电多晶陶瓷材料制备了一种新的陶瓷技术。 p-型的样品72Sb2Te3+25的Bi2Te3+3Sb2Se3掺杂的碲和90的Bi2Te3+5Sb2Te3+5Sb2Se3掺杂SBL3或碘化银进行了研究。新的陶瓷散热材料有不均匀的结构，但较高的机械强度及热电性能。方法比布里奇曼和粉末冶金工艺简单。测量表明，烧结温度和时间的影响样品的热电性能。扫描电子显微镜显示，多晶陶瓷材料有一个明显的层状结构。的掺杂材料进行了研究，包括各种掺杂和掺杂浓度。对n型掺杂SBL3图的优点是2.910-3 K-1，而p型掺杂碲为3.110-1 K-141 Cui Wanqiu eg. Studies on the structure and properties of semiconductor ceramic cooling materialsJ.M.O.M.S.1993Studies on the structure and properties of semiconductor ceramic cooling materialsAbstractThermoelectric polycrystalline ceramic materials were prepared by a new ceramic technology. Samples of p-type 72% Sb2Te3 + 25% Bi2Te3 + 3% Sb2Se3 doped with tellurium and 90% Bi2Te3 + 5% Sb2Te3 + 5% Sb2Se3 doped with Sbl3 or Agl were studied. The new ceramic cooling materials have an inhomogeneous structure, but higher mechanical strength and thermoelectric properties. The method is simpler than the Bridgman and powder metallurgy processes. Measurements of properties show that sintering temperature and time effect the thermoelectric properties of the samples. Scanning electron microscopy shows that the polycrystalline ceramic materials have an obvious layered structure. The doping of the materials was studied, including doping variety and doping concentration. The figure of merit for n-type doped with Sbl3