实验三 伏安法测二极管正反向特性.doc

实验 二极管伏安特性曲线的测定电路中有各种电学元件，如碳膜电阻、线绕电阻、晶体二极管、光敏和热敏元件等。人们常需要了解它们的伏安特性，以便正确的选用它们。通常以电压为横坐标，电流为纵坐标作出元件的电压电流关系曲线，叫做该元件的伏安特性曲线。如果元件的伏安特性曲线是一条直线，说明通过元件的电流与元件两端的电压成正比，则称该元件为线性元件（如碳膜电阻）；如果元件的伏安特性曲线不是直线，则称其为非线性元件（如晶体二极管、三极管）。实验目的（1）了解分压器电路的调节特性；（2）掌握测量伏安特性的基本方法；（3）了解二极管的正向伏安特性。实验仪器直流稳压电源、直流电压表、直流电流表、滑线变阻器、待测二极管、导线等。实验原理晶体二极管是常见的非线性元件，其伏安特性曲线如图1所示。图1二极管正反向伏安特性曲线当对晶体二极管加上正向偏置电压，则有正向电流流过二极管，且随正向偏置电压的增大而增大。开始电流随电压变化较慢，而当正向偏压增到接近二极管的导通电压（锗二极管为0.2左右，硅二极管为0.7左右时），电流明显变化。在导通后，电压变化少许，电流就会急剧变化。当加反向偏置电压时，二极管处于截止状态，但不是完全没有电流，而是有很小的反向电流。该反向电流随反向偏置电压增加得很慢，但当反向偏置电压增至该二极管的击穿电+K+ AEV压时，电流剧增，二极管PN结被反向击穿。+ K图 2 测二极管正向伏安曲线连接图mA+E+VR图 3测二极管反向伏安曲线连接图二极管一般工作在正向导通或反向截止状态。当正向导通时，注意不要超过其规定的额定电流；当反向截止时，更要注意加在该管的反向偏置电压应小于其反向击穿电压。但是，稳压二极管却利用二极管的反向击穿特性而恰恰工作于反向击穿状态。本实验用伏安法测定二极管的伏安特性，测量电路如图2、图3所示。注意事项：1 为保护直流稳压电源，接通或断开电源前均需先使其输出为零；对输出调节旋钮的调节必须轻而缓慢。2 更换测量内容前，必须使电源输出为零，然后再逐步增加至需要值，以免损坏元件。3 测定2AP型锗二极管的正、反向伏安特性曲线时，注意正向电流不要超过15mA，反向电压不要超过26V。4 开始实验时，作为分压器的滑线变阻器的滑动触头C应置于使输出电压为最小值处。实验内容一、必做内容1确定电流表的接法，参照图2和图3 ，选取测量二极管正向伏安特性和反向特性时所用的电压表和电流表的量程。2按照所选用的正确接法接线，测定2AP型锗二极管的正、反向伏安特性曲线。测正向特性时，电源电压可取3伏；测反向特性时，电源电压可取26伏。滑动一下滑线变阻器的滑动触头，看一看电压和电流的大致变化范围，以及电表的选择是否合适。3电压与电流均从零开始测量，然后让滑线变阻器的滑动触头C点向输出电压增大方向缓缓移动，按照电压和电流的实际变化范围选取数据点，记下电流表和电压表读数（不要超过二极管额定值）。对正向及反向的ID-VD关系都要测10个以上的点，并注意在曲线的弯曲部分，点应密些，在平直部分，点可稀些。4把实验数据记录在表1和2里，用毫米方格纸作2AP型二极管的正向及反向伏安特性曲线。因正、反向电压电流相差很大，作图时可选用不同单位。二、选做内容1已知加在灯泡上的电压与通过灯丝的电流之间的关系为型，其中K，n是与灯泡有关的常数，试通过实验确定K和n，得出I随U变化的经验公式。注意：小灯泡的工作电压不超过6伏。数据记录与处理表1二极管正向伏安特性曲线测定测量序数12345678U（V）00.050.100.150.200.250.300.40I（mA）0测量序数91011121314U（V）0.500.600.700.800.901.00I（mA）15mA表2二极管反向伏安特性曲线测定测量序数12345678U（V）02.04.06.08.010.012.014.0I（A）0测量序数910111213141516U（V）16.018.020.022.024.0I（A）数据处理要求：1、按表1、2的数据进行等精度作图，画出二极管正向伏安特性曲线。2、对正向特性表1的数据进行线性拟合，验证二极管方程。式中Is为反向饱和电流，U为二极管两端的电压降，UT =KT/q称为温度电压当量，K为玻尔兹曼常数，q为电子电荷量，T为热力学温度。常温下（T=300K），则有UT =26mV。思考题：1、伏安特性曲线的斜率的物理意义是什么？2、用伏