硅片清洗水处理的经验分享.doc

硅片清洗水处理的经验分享一、应用范围概述：电解电容器生产铝箔及工作件的清洗电子管生产 电子管阴极涂敷碳酸盐配液显像管和阴极射线管生产配料用纯水 黑白显像管荧光屏生产 玻壳清洗、沉淀、湿润、洗膜、管颈清洗用纯水 液晶显示器的生产屏面需用纯水清洗和用纯水配液晶体管生产中主要用于清洗硅片，另有少量用于药液配制集成电路生产中高纯水清洗硅片。二、典型工艺流程预处理系统-反渗透系统-中间水箱-粗混合床-精混合床-纯水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-抛光混床-精密过滤器-用水对象(18M.CM)(传统工艺)预处理-反渗透-中间水箱-水泵-EDI装置-纯化水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-抛光混床-0.2或0.5m精密过滤器-用水对象(18M.CM)(最新工艺)预处理-一级反渗透-加药机(PH调节)-中间水箱-第二级反渗透(正电荷反渗膜)-纯水箱-纯水泵-EDI装置-紫外线杀菌器-0.2或0.5m精密过滤器-用水对象(17M.CM) (最新工艺)预处理-反渗透-中间水箱-水泵-EDI装置-纯水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-0.2或0.5m精密过滤器-用水对象(15M.CM)(最新工艺)处理系统-反渗透系统-中间水箱-纯水泵-粗混合床-精混合床-紫外线杀菌器-精密过滤器-用水对象(15M.CM)(传统工艺)三、达到标准纯化水标准，注射水标准 显像管、液晶显示器用纯水水质(经验数据) 集成电路用纯水水质 国家电子级纯水标准 美国SEMI标准四、 硅片清洗 - 硅片清洗这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导;碱金属如钠等，引起严重漏电;颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。1、物理清洗物理清洗有三种方法。刷洗或擦洗:可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜。高压清洗：是用液体喷射片子表面，喷嘴的压力高达几百个大气压。高压清洗靠喷射作用，片子不易产生划痕和损伤。但高压喷射会产生静电作用，靠调节喷嘴到片子的距离、角度或加入防静电剂加以避免。超声波清洗：超声波声能传入溶液,靠气蚀作用洗掉片子上的污染。但是,从有图形的片子上除去小于 1微米颗粒则比较困难。将频率提高到超高频频段，清洗效果更好。2、化学清洗化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染,方法较多,有溶剂萃取、酸洗(硫酸、硝酸、王水、各种混合酸等)和等离子体法等。其中双氧水体系清洗方法效果好，环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性,将有机物分解而除去;用超纯水冲洗后,再用成分比为H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的碱性清洗液清洗,由于H2O2的氧化作用和NH4OH的络合作用，许多金属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水;然后使用成分比为H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液，由