190126字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1).doc

警告 阿闪光词或短语必须在被删除之前的状态正在制定方案。累积比特闪存编程在单词或短语是不允许的。 快闪记忆体可被理解为字节对齐的话，或错位的话。读访问时间为一个字节总线周期和一致的话，两个总线周期错位的话。对于闪存，擦除 位读取和程序1位值为0。 这是不可能的，从闪存块读命令，而任何具体的闪存模块执行。 它可以从一个闪存模块读取数据的同时命令在不同的闪存块执行。 P均闪光和D -与纠错码（ECC）的实施，可以解决单个比特错误和检测双比特错误快闪记忆体。为P -快闪记忆体，环境保护运动委员会的执行需要一个节目将于8字节对齐的基础上（一个Flash短语）做。由于P -闪存始终是读 由词组，只有一个包含字节或字短语访问单比特错误将得到纠正。 19.1.1术语 命令写序 - 微控制器的指令序列执行内置（包括编程和擦除算法）在快闪记忆体。 -闪存 - 的D -闪存构成了非易失性存储器的数据存储。 闪光部门 - 该D -闪存部门是最小的D部分，快闪记忆体，可以被删除。在D -闪存部门包括一个256字节总数的4行64个字节。 非易失命令模式 - 一种非易失性存储器模式使用CPU设置的FCCOB通过登记为Flash命令执行所需的参数。 词组 - 一个不结盟集团4个16位字内的P -快闪记忆体。每个短语包括8个 单比特错误校正和故障检测的双位ECC的位在词组。 个P -闪存 - 的P -闪存构成了申请的主要非易失性内存存储。 个P -闪光部门 - 的P -闪存部门的P最小的部分，快闪记忆体，可以被删除。每个P -闪存部门包含1024个字节。 计划仪表飞行规则 - 位于非易失性的信息登记在P -闪存块，它包含了设备ID，版本ID，以及经实地计划。该方案是可见的飞行技术研究所在全球内存映射通过设置在MMCCTL1寄存器PGMIFRON位。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体556 初步 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 19.1.2特点 19.1.2.1的P - Flash等功能 128字节的P -闪存的1 128 Kbyte闪存组成的块划分为128个部门 1024字节 单比特错误改正，并且在64位短语双位错误检测在读取操作 自动编程和擦除算法与核查和校验位的ECC一代 快速扇区擦除和短语程序操作 灵活的保障计划，以防止意外编程或擦除的P -快闪记忆体 19.1.2.2闪光功能 8字节的D -快闪记忆体的一个8 Kbyte闪存块组成，分成32个部门的256 字节 单比特错误改正，并且在字双位错误检测在读取操作 自动编程和擦除算法与核查和校验位的ECC一代 快速扇区擦除和文字程序操作 保护计划，以防止意外编程或擦除的D -快闪记忆体 能力计划后，以4个字在突发序列 19.1.2.3其它闪存模块功能 无需外部高压电源供应闪存程序所需和擦除操作 产生中断命令完成对Flash和Flash错误检测 安全机制，防止未经授权的访问闪存 19.1.3框图 该闪存模块的框图如图19-1。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体557 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 命令 中断 请求 错误 中断 请求 闪光 接口 寄存器 保护 16位内部总线 安全 振荡器 时钟（XTAL） 时钟 分频器 FCLK 处理器 内存 控制器 便条内存 384x16bits 闪光 4Kx22 扇区0 部门1 部门31 图19-1。 FTMR128K1框图 19.2外部信号描述 该闪存模块不包含任何信号，连接片外。 19.3内存映射和寄存器 本节介绍内存映射和闪存模块的寄存器。从闪存模块未执行的内存空间读取数据是不确定的。写访问权限没有得到执行或保留的内存空间 在Flash模块将被忽略的闪存模块。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 558飞思卡尔半导体 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 19.3.1模块内存映射 地方S12X架构的P -闪存之间的全局地址0x7E_0000和0x7F_FFFF内存 如表19-2。该P - Flash存储器映射如图19-2。 表19-2。个P -快闪记忆体寻址 全球通讯簿大小 （字节） 描述 0x7E_0000 - 0x7F_FFFF 128亩的P -闪光块0 包含Flash配置场 （见表19-3） 该FPROT寄存器，第19.3.2.9描述的，可设置为保护该地区的闪存 意外编程或擦除。三个独立的内存区域，一个不断向上的全局地址 在闪存0x7F_8000（下称区），一个日益下降，从全局地址 在闪存0x7F_FFFF（称为高地区），并在闪存的，其余的地址可以保护激活。快闪记忆体解决受这些受保护地区 列在P -快闪记忆体映射。较高的地址区域主要是针对持有引导装载程序代码，因为它涵盖的向量空间。默认保护设置以及安全信息，使 微控制器限制访问的闪存模块是在字段中存储的Flash配置中所描述 表19-3。 表19-3。闪存配置field1的 全球通讯簿大小 （字节） 描述 0x7F_FF00 - 0x7F_FF07 8后门比较关键 参考第19.4.2.11，“验证后门访问键司令部”，并 第19.5.1“Unsecuring使用后门MCU的重要通道” 0x7F_FF08 - 0x7F_FF0B2 4号 0x7F_FF0C2 1个P -闪存保护字节。 参考Section 19.3.2.9，的“P -闪光保护注册（FPROT）” 0x7F_FF0D2 1个D -闪存保护字节。 参考第19.3.2.10，的“D -闪光保护注册（DFPROT）” 0x7F_FF0E2 1字节的非易失性闪存 参考第19.3.2.15，“闪光选项寄存器（FOPT）” 0x7F_FF0F2 1闪光安全字节 参考Section 19.3.2.2，“闪光安全注册（FSEC）” 1旧版本的保护交换字节地址 2 0x7FF08 - 0x7F_FF0F形式的Flash短语，必须在一个单一的编程写入命令序列。 0x7F_FF08中的每个字节 - 0x7F_FF0B保留字段应被编程到0xFF。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体559 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 个P -闪光开始= 0x7E_0000 闪光保护/不保护区 96字节 0x7F_8000 0x7F_8400 0x7F_8800 0x7F_9000 闪光保护/不保护下区 1，2，4，8千字节 0x7F_A000 闪光保护/不保护区 8字节（最多29字节） 0x7F_C000 0x7F_E000闪光保护/不保护高级区 2，4，8，16字节 0x7F_F000 0x7F_F800 个P -闪光完= 0x7F_FFFF 闪存配置场 16字节（0x7F_FF00 - 0x7F_FF0F） 图19-2。个P -闪存地图 S12XS系列参考手册，修订版1.09 560飞思卡尔半导体 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 表19-4。计划仪表飞行规则字段 全球地址 （PGMIFRON）尺寸 （字节） 字段说明 0x40_0000 - 0x40_0007 8设备ID 0x40_0008 - 0x40_00E7 224号 0x40_00E8 - 0x40_00E9 2版本ID 0x40_00EA - 0x40_00FF 22号 0x40_0100 - 0x40_013F 64计划一旦场 参考Section 19.4.2.6，“一旦司令部计划” 0x40_0140 - 0x40_01FF 192号 表19-5。 闪光和内存控制器资源领域 全球通讯簿大小 （字节） 描述 0x10_0000 - 0x10_1FFF 8,192，快闪记忆体 0x10_2000 - 0x11_FFFF 122,880号 0x12_0000 - 0x12_007F 128闪光非易失信息登记表（DFIFRON1 = 1） 0x12_0080 - 0x12_0FFF 3968号 0x12_1000 - 0x12_1FFF 4,096号 0x12_2000 - 0x12_3CFF 7242号 0x12_3D00 - 0x12_3FFF 768内存控制器便条内存（MGRAMON1 = 1） 0x12_4000 - 0x12_E7FF 43008号 0x12_E800 - 0x12_FFFF 6144号 0x13_0000 - 0x13_FFFF 65536号 1 MMCCTL1寄存器位 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体561 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 闪光开始= 0x10_0000 -快闪记忆体 8字节 闪光完= 0x10_1FFF 0x12_0000 0x12_1000 闪光非易失信息登记（DFIFRON） 128字节 0x12_2000 0x12_4000 内存控制器便条内存（MGRAMON） 768字节 0x12_E800 0x12_FFFF 图19-3。 闪光和内存控制器内存资源地图 19.3.2注册说明 该闪存模块包含了20个控制和基地之间的闪存模块位于状态寄存器集 0x0000和0x0013。阿的闪存模块寄存器摘要载于图19-4在以下小节详细的说明。 警告 闪存写入任何登记时必须避免的Flash命令处于活动状态（陈叶冯会计师= 0），以防止闪光寄存器内容和内存控制器的腐败行为。 地址 名称7 6 5 4 3 2 1 0 0x0000 FCLKDIV糯 0x0001 FSEC糯 图19-4。 FTMR128K1注册摘要 S12XS系列参考手册，修订版1.09 562飞思卡尔半导体 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 地址 名称7 6 5 4 3 2 1 0 0x0002 FCCOBIX糯 0x0003 FECCRIX糯 0x0004 FCNFG糯 0x0005 FERCNFG糯 0x0006 命令fstat糯 0x0007 FERSTAT糯 0x0008 FPROT糯 0x0009 DFPROT糯 0x000A FCCOBHI糯 0x000B FCCOBLO糯 0x000C FRSV0糯 0x000D FRSV1糯 0x000E FECCRHI糯 0x000F FECCRLO糯 图19-4。 FTMR128K1注册摘要（续） S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体563 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 地址 名称7 6 5 4 3 2 1 0 0x0010 FOPT糯 0x0011 FRSV2糯 0x0012 FRSV3糯 0x0013 FRSV4糯 =未用或保留 图19-4。 FTMR128K1注册摘要（续） 19.3.2.1闪存时钟分频寄存器（FCLKDIV） 该FCLKDIV寄存器用来控制定时事件编程和擦除算法。 偏移模块基地0x0000 糯 复位 =未用或保留 图19-5。闪存时钟分频寄存器（FCLKDIV） 在FCLKDIV寄存器的所有位可读的，是写6-0位和第7位后不可写。 表19-6。 FCLKDIV域说明 字段说明 7 FDIVLD时钟分频器加载 0 FCLKDIV登记没有被写入 1 FCLKDIV注册已被写入自上次重置 6-0 FDIV 6:0时钟分频器位 - FDIV 6:0必须设置有效地划分OSCCLK下产生内部闪存的时钟，FCLK以供闪存模块来控制定时事件的目标为1兆赫的频率，在编程和擦除算法。表19-7显示了建议FDIV价值6:0的基础上OSCCLK频率。请参考第19.4.1，“闪光作战司令部”，获取更多信息。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 564飞思卡尔半导体 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 警告 在FCLKDIV登记绝不能写的，一个Flash命令执行（陈叶冯会计师= 0）。该FCLKDIV寄存器写在闪存复位序列即使陈叶冯会计师是明确的。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体565 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 表19-7。 FDIV队OSCCLK频率 OSCCLK频率 （兆赫） FDIV 6:0 OSCCLK频率 （兆赫） FDIV 6:0 敏1 MAX2敏1 MAX2 1.60 2.10 0x01 33.60 34.65 0x20 2.40 3.15 0x02 34.65 35.70 0x21 3.20 4.20 0x03 35.70 36.75 0x22 4.20 5.25 0x04 36.75 37.80 0x23 5.25 6.30 0x05 37.80 38.85 0x24 6.30 7.35 0x06 38.85 39.90 0x25 7.35 8.40 0x07 39.90 40.95 0x26 8.40 9.45 0x08 40.95 42.00 0x27 9.45 10.50 0x09 42.00 43.05 0x28 10.50 11.55字符0x0A 43.05 44.10 0x29 11.55 12.60 0x0B 44.10 45.15 0x2A 12.60 13.65 0x0C 45.15 46.20 0x2B 13.65 14.70字符0x0D 46.20 47.25 0x2C 14.70 15.75 0x0E 47.25 48.30 0x2D 15.75 16.80 0x0F 48.30 49.35 0x2E 16.80 17.85 0x10 49.35 50.40为0x2F 17.85 18.90 0x11 18.90 19.95 0x12 19.95 21.00 0x13 21.00 22.05 0x14 22.05 23.10 0x15 23.10 24.15 0x16 24.15 25.20 0x17 25.20 26.25 0x18 26.25 27.30 0x19 27.30 28.35 0x1A 28.35 29.40 0x1B 29.40 30.45 0x1C 30.45 31.50 0x1D 31.50 32.55 0x1E 32.55 33.60 0x1F 1 FDIV显示生成的“0.8兆赫频率FCLK 2 FDIV显示生成的1.05兆赫频率FCLK S12XS系列参考手册，修订版1.09 566飞思卡尔半导体 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 19.3.2.2闪光安全注册（FSEC） 在FSEC注册与内地的MCU和闪存模块安全有关的所有位。 偏移模块基地0x0001 糯 复位 =未用或保留 图19-6。闪光安全注册（FSEC） 在FSEC注册所有位都读，但是不能写。 在复位序列，FSEC寄存器装载在全球的地址位于0x7F_FF0F在P -的闪存在闪存领域的闪光安全配置字节的内容（见表19-3），由图19复位条件F所 - 6。如果一个双位错误检测到在读的P -闪光词组包含在复位序列安全字节的闪存，在FSEC注册所有位将 准备离开的安全状态与后门残疾人士的主要通道闪存模块。 表19-8。 FSEC域说明 字段说明 7-6 KEYEN 1:0后门密钥安全启用BITS - 在KEYEN 1:0位的定义，使关键的后门进入 闪存模块，如表19-9。 5-2 核素显像5时02分）保留非易失位 - 该核素显像位应留在抹去国家未来的增强。 1-0 美国证券交易委员会1:0 Flash保密位 - 美国证券交易委员会1:0位定义MCU的安全状态，如表19-10所示。如果 闪存模块使用后门是不安全的重要通道，美国证券交易委员会被迫位10。 表19-9。闪光KEYEN国 KEYEN 1:0的后门进入状态的关键 00禁用 01停用1 10启用 11禁用 1首选KEYEN国家禁用后门的主要通道。 表19-10。闪光安全国家 美国证券交易委员会1:0的安全状态 00有抵押 01成功地令 10无抵押 11有抵押 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体567 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 1首选美国证券交易委员会的状态设置微控制器安全状态。 在闪存模块中的安全功能是19.5节中描述。 19.3.2.3闪光CCOB索引寄存器（FCCOBIX） 该FCCOBIX寄存器用来索引的闪存业务FCCOB登记。 偏移模块基地0x0002 糯 复位 =未用或保留 图19-7。 FCCOB索引寄存器（FCCOBIX） CCOBIX位可读可写，而其余位改为0，不写。 表19-11。 FCCOBIX域说明 字段说明 2-0 CCOBIX 1:0通用命令寄存器指数的CCOBIX位用来选择哪FCCOB寄存器阵列字正在读取或写入。参阅第19.3.2.11，“闪光共同Command对象的登记（FCCOB），” 了解更多详情。 19.3.2.4闪光ECCR索引寄存器（FECCRIX） 该FECCRIX寄存器用来指数为ECC错误报告FECCR登记。 偏移模块基地0x0003 糯 复位 =未用或保留 图19-8。 FECCR索引寄存器（FECCRIX） ECCRIX位可读可写，而其余位改为0，不写。 表19-12。 FECCRIX域说明 字段说明 2-0 ECCRIX 2:0 ECC错误登记指数的ECCRIX位用来选择哪FECCR寄存器阵列正在读字。参阅第19.3.2.14，“闪光ECC错误结果寄存器（FECCR），”了解详情。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 568飞思卡尔半导体 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 19.3.2.5闪存配置寄存器（FCNFG） 该FCNFG登记使闪光命令的完整ECC的中断和力量上闪存阵列故障读取CPU或XGATE的访问。 偏移模块基地0x0004 糯 复位 =未用或保留 图19-9。闪存配置寄存器（FCNFG） 思科认证网络专家，IGNSF，频域有限差分和FSFD位可读可写，而其余位改为0，不 可写。 表19-13。 FCNFG域说明 字段说明 7 思科认证网络专家指令完成中断使能 - 思科认证网络专家位控制闪光时中断命令已完成一代。 0命令完全中断禁用 1中断时将被要求在命令fstat陈叶冯登记标志设置（见第19.3.2.7） 4 IGNSF忽略单比特错误 - 在IGNSF控制单个位断层FERSTAT登记报告（见 第19.3.2.8）。 0所有单个位被查出的毛病，在阵列读的报告 1单位被查出的毛病，在阵列读不会报告和单比特错误中断将不会生成 1 频域有限差分队双位错误检测 - 位的频域有限差分允许用户在闪存阵列模拟双位错读操作，并检查有关的中断程序。在频域有限差分位被清零写一个0到频域有限差分。该FECCR登记册将不会更新在闪存阵列读设置频域有限差分行动，除非实际双位错误检测到。 0闪存阵列的读操作将在城FERSTAT注册DFDIF标志只有一个双位错误检测 1，任何闪存阵列读操作将迫使在FERSTAT注册DFDIF标志被设置（见 第19.3.2.7）和中断会产生只要DFDIE中断使能在FERCNFG 寄存器设置（见第19.3.2.6） 0 FSFD队单比特错误检测 - 位的FSFD允许用户模拟在闪存阵列的单个位故障 读操作和检查相关的中断程序。该FSFD位被清零写一个0到FSFD。那个 FECCR寄存器将不会更新在闪存阵列读设置FSFD行动，除非实际单个位故障检测。 0闪存阵列的读操作将在城FERSTAT注册SFDIF标志只有一个位故障检测 1闪存阵列读操作将迫使在FERSTAT注册SFDIF标志被设置（见第19.3.2.7）和中断会产生只要SFDIE中断使能在FERCNFG寄存器设置（见第19.3.2.6） 19.3.2.6闪光错误配置寄存器（FERCNFG） 可注册的FERCNFG为FERSTAT旗帜闪存错误中断。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体569 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 偏移模块基地0x0005 糯 复位 =未用或保留 图19-10。闪存错误配置寄存器（FERCNFG） 在FERCNFG注册所有分配位可读可写。 表19-14。 FERCNFG域说明 字段说明 1 DFDIE双位错误检测中断使能 - DFDIE位控制的中断产生时，双位错误 过程中发现的Flash块读操作。 0 DFDIF中断禁用 1中断时将要求该DFDIF标志设置（见第19.3.2.8） 0 SFDIE单比特错误检测中断使能 - SFDIE位控制的中断产生时，一个位故障 过程中发现的Flash块读操作。 0 SFDIF中断残疾人只要SFDIF标志设置（见第19.3.2.8） 1中断时将要求该SFDIF标志设置（见第19.3.2.8） 19.3.2.7闪光状态寄存器（命令fstat） 该命令fstat登记报告的Flash模块的运行状态。 偏移模块基地0x0006 糯 复位 =未用或保留 图19-11。闪光状态寄存器（命令fstat） 1复位值可背离显示，如果一个双位错误是，在复位序列检测（见19.6）的值。 陈叶冯会计师，ACCERR和FPVIOL位可读可写，MGBUSY和MGSTAT位可读 但不写，而其余位改为0，不写。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 570飞思卡尔半导体 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 表19-15。命令fstat域说明 字段说明 7 陈叶冯会计师指令完成中断标志 - 在陈叶冯会计师标志表示的Flash命令已完成。在陈叶冯会计师标志被清除写一个1到陈叶冯会计师发动指挥和陈叶冯会计师将保持在低水平，直到完成命令或命令的行为。 0闪光命令进展 1闪光的命令已完成 5 ACCERR闪存访问错误标志 - 在ACCERR位表示一个已经发生的非法访问的快闪记忆体的任何一方违反行为所造成的命令写序（见19.4.1.2）或非法闪光发出命令。虽然ACCERR的设置，陈叶冯标志不能被清除的启动命令。该ACCERR位被清零写一个1 ACCERR。写一个0到ACCERR位并没有对ACCERR影响。 0没有访问错误检测 1访问错误检测 4 FPVIOL闪光保护冲突升国旗的FPVIOL位表示一个企图将程序或命令写在擦除序列中的一个保护区的P -闪光或D地址闪存。在FPVIOL 位被清零写一个1 FPVIOL。写一个0到FPVIOL位并没有对FPVIOL影响。虽然FPVIOL 设置，因此不可能启动一个命令或启动一个命令写入顺序。 0没有发现违反保护 1保护违规检测 3 MGBUSY内存控制器忙标志 - 国旗的MGBUSY反映了内存控制器有效状态。 0内存控制器处于闲置状态 1内存控制器是繁忙的Flash执行命令（陈叶冯会计师= 0） 2 RSVD保留位 - 此位是保留，总是读取0。 1-0 MGSTAT 1:0内存控制器命令完成状态标志 - 一个或多个MGSTAT标志位被设置，如果一个错误 在执行过程中发现一个闪光的命令或在闪存复位序列。参阅第19.4.2， “Flash命令说明”和第19.6节，“初始化”的细节。 19.3.2.8闪光错误状态寄存器（FERSTAT） 在FERSTAT登记反映了内部Flash操作的错误状态。 偏移模块基地0x0007 糯 复位 =未用或保留 图19-12。闪存错误状态寄存器（FERSTAT） 在FERSTAT注册所有标志是可读可写，只有清除标志。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体571 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 表19-16。 FERSTAT域说明 字段说明 1 DFDIF双位错误检测中断标志 - 的DFDIF标志的设置表明，一个双位错误检测到存储的校验和数据位闪存阵列中一读操作，或一闪存阵列读操作是在一个Flash块是企图闪光指挥下行动。该DFDIF标志被清除写 1 1 DFDIF。写一个0到DFDIF并没有对DFDIF影响。 0没有双位错误检测 1双位错误检测或无效的闪存阵列读操作尝试 0 SFDIF单比特错误检测中断标志 - 随着FCNFG IGNSF位寄存器清晰，SFDIF标志表示一个位在故障检测中的Flash存储阵列和数据位奇偶读操作 或者，一个闪存阵列读操作是在一个Flash块闪光指挥下操作尝试。该SFDIF标志被清除写一个1 SFDIF。写一个0到SFDIF并没有对SFDIF影响。 0没有单个位故障检测 1单比特错误检测和纠正或无效的闪存阵列读操作尝试 19.3.2.9的P -闪光保护注册（FPROT） 在FPROT寄存器定义在P -闪存部门受到保护，编程和擦除操作。 偏移模块基地0x0008 糯 复位 =未用或保留 图19-13。闪光保护注册（FPROT） 在（无保留）的FPROT寄存器位的限制，可写的大小受保护 地区只能增加（见第19.3.2.9.1“的P -闪光保护的限制，”和表19-21）。 在复位序列，FPROT寄存器装载的P含量闪光保护字节 在闪存领域的全球配置地址0x7F_FF0C设在P -快闪记忆体（见表19-3） 正如我的复位条件氟如图19-13。要更改的P -闪光的保护，将在复位序列加载的P上层部门闪存必须保护，然后是P -闪光保护字节必须重新规划。如果一个双位错误检测到在读的P -闪光词组包含在复位序列的P -闪光保护字节，FPOPEN位将被清除，在FPROT寄存器其余位将被设置为离开的P -闪存充分保障。 要改变在P保护区的任何数据，闪存将导致保护冲突错误，FPVIOL位将在命令fstat寄存器组。块擦除一个P -闪光块是不可能的 如果任何的P -闪存部门的载于同一的P -闪存块保护。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 572飞思卡尔半导体 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 表19-17。 FPROT域说明 字段说明 7 FPOPEN闪光保护行动启动 - 在FPOPEN位确定的程序或删除保护功能，如表19-18所示为P -闪存块操作。 0时FPOPEN明确，FPHDIS和FPLDIS位确定保护的地址范围由相应FPHS和FPLS位指定 1当FPOPEN被设置，FPHDIS和FPLDIS位启用了相应的FPHS和FPLS位指定的地址范围的保护 6 核素显像6保留非易失位 - 该核素显像位应该留在抹去国家未来的增强。 5 FPHDIS闪光更高的保护地址范围禁用 - 在FPHDIS位确定是否有保护/在一个特定区域的P -快闪记忆体与全球报告0x7F_FFFF结束保护区。 0保护/解除保护启用 1保护/解除保护残疾人 4-3 FPHS 1:0闪光保护更高的地址大小 - FPHS位确定的大小保护/保护区 在P -闪存所示请见表19-19。该FPHS位只能写入，而FPHDIS位被设置。 2 FPLDIS闪光的保护下地址范围禁用 - 在FPLDIS位确定是否有保护/保护区在一个特定区域的P -快闪记忆体与全球报告开始 0x7F_8000。 0保护/解除保护启用 1保护/解除保护残疾人 1-0 FPLS 1:0闪光的保护下地址大小 - FPLS位确定的大小保护/保护区 在P -闪存，见表19-20。该FPLS位只能写入，而FPLDIS位被设置。 表19-18。个P -闪光保护功能 FPOPEN FPHDIS FPLDIS的Function1 1 1 1无P闪光保护 1 1 0保护低量程 1 0 1保护的高幅度 1 0 0高，低保护范围 0 1 1全个P -快闪记忆体保护 0 1 0未受保护的低量程 0 0 1未受保护的高距离 0 0 0未受保护的高，低范围 1对于范围的大小，请参考表19-19和表19-20。 表19-19。个P -闪光保护更高的地址范围 FPHS 1:0全球受保护的地址范围大小 00 0x7F_F800 - 0x7F_FFFF 2字节 01 0x7F_F000 - 0x7F_FFFF 4千字节 10 0x7F_E000 - 0x7F_FFFF 8字节 11 0x7F_C000 - 0x7F_FFFF 16字节 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体573 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 表19-20。个P -闪光保护下地址范围 FPLS 1:0全球受保护的地址范围大小 00 0x7F_8000 - 0x7F_83FF 1字节 01 0x7F_8000 - 0x7F_87FF 2字节 10 0x7F_8000 - 0x7F_8FFF 4千字节 11 0x7F_8000 - 0x7F_9FFF 8字节 所有可能的P -闪光保护情况见图19-14。虽然保障计划 从在全球地址0x7F_FF0C闪存载入内存在复位序列，它是可以改变的 由用户。该P -闪存保障计划，可以被应用程序使用的要求在单芯片模式重新规划，同时尽可能多的保护，如果重新编程不需要提供。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 574飞思卡尔半导体 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） FPHDIS = 1 FPLDIS = 1 FPHDIS = 1 FPLDIS = 0 FPHDIS = 0 FPLDIS = 1 FPHDIS = 0 FPLDIS = 0 情景 闪光阶段 7 6 5 4 0x7F_8000 0x7F_FFFF 情景 闪光阶段 3 2 1 0 0x7F_8000 0x7F_FFFF 未受保护的区域保护区的大小 定义FPLS 保护区保护区的大小 没有界定FPLS，FPHS 定义FPHS 图19-14。个P -闪光保护情景 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体575 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 19.3.2.9.1的P -闪光保护的限制 一般的准则是P -闪光的保护只能是增加而不是删除。表19-21规定 P均之间的有效转换闪光的保护方案。任何企图写一个无效的情况下向FPROT登记将被忽略。该FPROT寄存器的内容反映了积极的保护方案。见FPHS和其他限制FPLS位说明。 表19-21。个P -闪光保护方案视线 从保护方案保护Scenario1 0 1 2 3 4 5 6 7 0 X X X X 1 X 2 X 3 4 X 5 X X X X 6 X X X 7 X X X X X X X 1允许有X标记的转换，参见图19-14为情景的定义。 19.3.2.10闪光保护注册（DFPROT） 在DFPROT寄存器定义的闪光部门受到保护，编程和擦除操作。 偏移模块基地0x0009 糯 复位 =未用或保留 图19-15。 闪光保护注册（DFPROT） 在（无保留）的DFPROT寄存器位的限制，可写的保护可以添加 但并未消除。写入必须增加存款保障计划的价值和DPOEN位只能从1书面 （保护残疾人）为0（保护启用）。如果DPOPEN位被设置，存保计划的比特的状态是不相关的。 在复位序列，DFPROT寄存器装载的D含量闪光保护字节 在闪存领域的全球配置地址0x7F_FF0D设在P -快闪记忆体（见表19-3） 正如在图19-15复位状态F。要更改为D -闪光的保护，将在复位序列加载的P -闪存部门包含的D -闪光保护字节必须保护，然后是D -闪光保护字节必须编程。如果一个双位错误检测到在阅读 S12XS系列参考手册，修订版1.09 576飞思卡尔半导体 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 个P -闪光词组包含的D -闪光时，复位序保护字节，DPOPEN位将被 清理和DPS位将被设置为离开的D -快闪记忆体得到充分的保障。 要改变任何在D保护区的数据闪存将导致保护冲突错误，FPVIOL位将在命令fstat寄存器组。块擦除的D -快闪记忆体是不可能的 如果任何的D -闪存部门得到保护。 表19-22。 DFPROT域说明 字段说明 7 DPOPEN闪光保护控制 0启用闪光的程序存储器的保护和擦除与保护的地址范围界定和DPS 位 1禁用闪光的程序内存保护和擦除 4-0 存款保障计划4:0闪光保护大小 - 存款保障计划4:0位决定在D型保护区，闪存，见表19-23。 表19-23。 闪光保护地址范围 存款保障计划4:0全球受保护的地址范围大小 0_0000 0x10_0000 - 0x10_00FF 256字节 0_0001 0x10_0000 - 0x10_01FF 512字节 0_0010 0x10_0000 - 0x10_02FF 768字节 0_0011 0x10_0000 - 0x10_03FF 1024字节 0_0100 0x10_0000 - 0x10_04FF 1280字节 0_0101 0x10_0000 - 0x10_05FF 1536字节 0_0110 0x10_0000 - 0x10_06FF 1792字节 0_0111 0x10_0000 - 0x10_07FF 2048字节 0_1000 0x10_0000 - 0x10_08FF 2304字节 0_1001 0x10_0000 - 0x10_09FF 2560字节 0_1010 0x10_0000 - 0x10_0AFF 2816字节 0_1011 0x10_0000 - 0x10_0BFF 3072字节 0_1100 0x10_0000 - 0x10_0CFF 3328字节 0_1101 0x10_0000 - 0x10_0DFF 3584字节 0_1110 0x10_0000 - 0x10_0EFF 3840字节 0_1111 0x10_0000 - 0x10_0FFF 4096字节 1_0000 0x10_0000 - 0x10_10FF 4352字节 1_0001 0x10_0000 - 0x10_11FF 4608字节 1_0010 0x10_0000 - 0x10_12FF 4864字节 1_0011 0x10_0000 - 0x10_13FF 5120字节 1_0100 0x10_0000 - 0x10_14FF 5376字节 1_0101 0x10_0000 - 0x10_15FF 5632字节 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体577 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 表19-23。 闪光保护地址范围 存款保障计划4:0全球受保护的地址范围大小 1_0110 0x10_0000 - 0x10_16FF 5888字节 1_0111 0x10_0000 - 0x10_17FF 6144字节 1_1000 0x10_0000 - 0x10_18FF 6400字节 1_1001 0x10_0000 - 0x10_19FF 6656字节 1_1010 0x10_0000 - 0x10_1AFF 6912字节 1_1