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常见故障的维修方法8.1维修前的准备8.1.1维修时所需的工具有;万用表、20兆以上双踪示波器、电烙铁、螺丝刀、扳手等。8.1.2维修时所需要的资料有:设各有关电气图纸、说明书等技术资料。8.1.3维修前应首先了解设备的故障现象,出现故障时所发生的情况,以及查看设备的记录资料。8.1.4准备一些易损和常用的元器件。8.2常见故障的维修8.2.1故障现象:设备无法启动,启动时只有直流电流表有指示,直流电压、中频电压表均无指示。故障分析及处理:这是一种最常见的故障现象,造成的原因可能是:8.2.1.1逆变触发脉冲有缺脉冲现象一一用示波器检查逆变脉冲(最好在可控硅的AK上检查),如发现有缺脉冲现象,检查连线是否有接触不良或开路,前级是否有脉冲输出。8.2.1.2逆变可控硅击穿一一更换可控硅,并检查可控硅损坏原因(有关可控硅损坏原因参见后面的可控硅损坏原因分析)。8.2.1.3电容器击穿一一拆除损坏的电容器极柱。8.2上4负载有短路、接地现象一一排除短路点和接地点。8.2.L5中频信号取样回路有开路或短路现象一一用示波器观察各信号取样点的波形,或在不通电的情况下用万用表测量各信号取样回路的电阻值,查找开路点或短路点。8.2.2故障现象:启动较困难,启动后中频电压高出直流电压的一倍,且直流电流过大。故障分析及处理;造成这种故障的原因有:8.2.2.1逆变回路有一只可控硅损坏一一当逆变回路有一只可控硅损坏时,设备有时也可启动,但启动后会出现上述故障现象,更换损坏的可控硅,并检查损坏原因。8.2.2.2中频信号取样回路有开路或极性错误现象一一这种原因多在采用交角法的线路中,中频电压信号开路或在维修其它故障时将中频电压信号的极性接反,均会造成此故障现象。8.2.2.3逆变引前角移向电路出现故障一一中频电源的负载是呈容性的,即:电流超前于电压。在取样控制电路中,都设计有移相电路,如果移相电路出现故障也会造成此故障现象。8.2.3故障现象启动困难,启动后直流电压最高只能升到400V,且电抗器震动大,声音沉闷。故障分析及处理:这种故障是三相全控整流桥故障,其主要原因是:8.2.3.1.整流可控硅开路、击穿、软击穿或电参数性能下降一一用示波器观察各整流可控硅的管压降波形,查找损坏的可控硅后更换。当损坏的可控硅击穿时,其管压降波形为一条直线;软击穿时电压升到一定时为一条直线,电参数下降时电压升到一定值时波形发生变化。如果出现上述现象,直流电流就会出现断流现象,造成电抗器震动。8.2.3.2缺少一组整流触发脉冲一一用示波器分别检查各路触发脉冲(最好在可控硅上检查),检查出没有脉冲的回路时,用倒推法确定故障位置,更换其损坏器件。当出现这种现象时,直流电压的输出波头就会缺少一个波头,造成电流断流,产生此故障现象。8.2.4故障现象能够启动,但启动后又马上停机,设备处于不断重复启动状态。故障分析及处理:这种故障是属于扫频式启动方式的设备故障,其原因是:8.2.4.5逆变引前角过小,启动后由于换相失败而引起的重复启动用示波器通过观察中频电压波形,将逆变引前角适当调大。8.2.4.6负载振荡频率信号在它激扫描频率信号范围的边缘位置重新调整它激扫描频率的扫描范围。图(5):中频电压波形及逆变前角8.2.5故障现象设备启动后,当功率升到一定值时设备过流保护动作,有时会烧坏可控硅元件,重新启动,现象依然如故。故障分析及处理:这种故障现象一般是由于两种原因造成:8.2.5.1逆变可控硅水冷套内断水或散热效果下降更换水冷套。有时观察水冷套的出水量和压力是足够的,但经常由于水质问题,在水冷套的壁上附着了一层水垢,由于水垢是一种导热性级差的物体,虽然有足够的水流量流过,但因为水垢的隔离是其散热效果大大降低。其判断方法是;将功率运行在较低于该过流值的功率下约十分钟,迅速停机,停机后迅速用手触摸可控硅元件的芯部,若感觉到烫手,则该故障是由此原因引起的。8.2.5.2槽路连接导线有接触不良和断线情况一一检查槽路连接导线,根据实际清况酌情处理。当槽路连接导线有接触不良或断线情况时,功率升到一定值后会产生打火现象,影响了设备的正常工作,从而导致设备保护动作。有时因打火时会在可控硅两端产生瞬时过电压,如果过压保护动作来不及,会烧坏可控硅元件。该现象经常会出现过电压、过电流同时动作。8.2.6故障现象设备启动时无任何反应,经观察,控制线路板上的缺相指示灯亮。故障分析及处理:这种故障现象较为明显,是由以下原因引起的:8.2.6.1快速熔断器烧断一般快速熔断器都有熔断指示,可通过观察其指示来判断熔断器是否烧断,但有时因快速熔断器使用时间过久或质量原因,不指示或指示不明确,须断电后用万用表测量。处理方法是:更换快速熔断器,分析烧断原因。一般烧断快速熔断器的原因有两种: 设备在长封间大功率、大电流的条件下运行造成快速熔断器发热,使熔芯热熔。 整流控制电路故障造成瞬时大电流冲击。应对整流电路进行检查。 整流负载或中频负载短路,造成瞬时大电流冲击,烧坏快速熔断器,检查其负载回路。8.2.6.2主令开关的触头烧坏或前级供电系统有缺相故障用万用表的交流电压档测量每一级的线电压,判断故障位置。8.2.7故障现象设备运行时直流电流以达到额定值,但直流电压和中频电压低,用示波器观察其中频电压波形,波形正常且逆变引前角也正常。故障分析及处理:该故障现象不属于中频电源故障,而是由于负载的阻抗过低引起的,须对负载阻抗重新调整。8.2.7.1在升压负载的电路中,由于串连补偿电容器的损坏将其拆除,没有更换,或者一味的最求高功率而无节制的增加补偿电容器,使负载的补偿量过补偿,都会造成此故障现象。解决方法是重新调整补偿电容器的补偿量,使设备能在额定功率下运行。8.2.7.2感应器有匝间短路现象一一如果感应器有匝间短路现象,其负载的阻抗也会随之降低,造成此故障现象。匝间短路有两种可能:感应器的铜管直接短路感应器的固定胶木柱严重炭化,由于炭具有导电特性,故造成感应器匝间由炭化的胶木使其匝间直接连接造成感应器匝间短路。解决方法是排除匝间短路现象8.2.8故障现象设备运行封直流电压、中频电压均以达到额定值,但直流电流小,功率低。故障分析及处理:该故障现象与“2.7”故障现象的原因相反,是由于负载阻抗高引起的。8.2.8.1负载补偿电容器的补偿量不足增加补偿电容器。8.2.8.2槽路(负载LC振荡回路)连接导线的节点接触电阻过大由于设备长封间的使用,其槽路铜排的连接处受灰尘的影响,使其接触电阻增大,造成负载的阻抗增高,出现此故障现象。8.2.9故障现象设备运行正常,直流电流指示偏高,如果将电流设定在额定值,则电压太低,且功率表的指示值与直流电压直流电流的乘积不符,而以前是相符的。故障分析及处理;这种故障现象有些类似于“2.7的故障现象,但有所区别。故障的原因是因为直流电流表的指示不准确,而给人造成一种错觉,误以为电流大。这种故障的原因较为隐蔽,一时很难发现。如果仔细分析,便可发现,功率的指示值与电压、电流的乘积不符,说明仪表的显示值可能有误。电压值可采用万用表的直流电压档去进行校对,电流值我们可通过用钳形电流表测量进线电流,然后乘以0.816的办法来校对。如果不符,则说明电流表指示不准确。直流电流表的值是取自分流器上产生的75m电压信号,在使用时间较长、使用环境较恶劣的条件下,分流器上的接线与分流器之间存在污垢或氧化现象,接触电阻增大,使分流器上产生的电压增高,大于75m,致使直流电流表的指示偏大。 处理方法是:处理分流器与其接线间的污垢和氧化层。8.2.10故障现象设各运行正常,但停机后启动无任何反应,也无任何保护指示。故障分析及处理:这类故障有两种可能:8.2.10.1中频启动开关坏一一中频启动开关在中频停止位置时处于接地状态(接在开关的闭点),如果开关坏,则无法打开接地状态,设备处于保护状态,故启动无反应。处理方法:更换中频启动开关。8.2.10.2保护电路故障一一如参考“控制电路原理图”中,集成电路IC4在运行过程中发热就会导致这一故障。处理方法:给IC4集成电路散热或加散热器。8.2.10.3给定电路中,给定信号中断一一在给定电路中,信号给定过程中某处开路,致使无法对整流脉冲进行移相,也会造成此故障现象。处理方法:采用倒推法对给定电路进行检查。8.2.11故障现象频繁烧坏可控硅元件,更换新可控硅后,马上烧坏。故障分析及处理;这是一种让人比较头疼,维修比较困难的故障现象。可控硅的价格比较昂贵,而烧坏可控硅却让人防不胜防,所以在维修这类故障时要格外小心谨慎。我们在分析故障“2.5”时,介绍了一种烧坏可控硅的原因。除此之外,还有以下原因:8.2.11.l可控硅在反相关断时,承受反向电压的瞬时毛刺电压过高一一在中频电源的主电路中,瞬时反相毛刺电压是靠阻容吸收电路来吸收的。如果吸收电路中电阻、电容开路均会使瞬时反相毛刺电压过高烧坏可控硅。在断电的情况下用万用表测量吸收电阻阻值、吸收电容容量,判断是否阻容吸收回路出现故障。8.2.11.2负载对地绝缘降低一一负载回路的绝缘降低,引起负载对地间打火,干扰了脉冲的触发时间或在可控硅两端形成高压,烧坏可控硅元件。8,2.11.3脉冲触发回路故障一一在设备运行时如果突然丢失触发脉冲,将造成逆变开路,中频电源输出端产生高压,烧坏可控硅元件。这种故障一般是逆变脉冲形成、输出电路故障,可用示波器进行检查,也可能是逆变脉冲引线接触不良,可用手摇晃导线接头,找出故障位置。8.2.11.4设备在运行时负载开路一一当设备正在大功率运行时,如果突然负载处于开路状态,将在输出端形成高压烧坏可控硅元件。8.2.11.5设备在运行时负载短路一一当设备在大功率运行时,如果负载突然处于短路状态,将对可控硅有一个很大的短路电流冲击,若过电流保护动作来不及保护,将烧坏可控硅元件。8.2.11.6保护系统故障(保护失灵)一一可控硅能否安全,主要是靠保护系统来保证的,如果保护系统出现故障,设备稍有一点工作不正常,将危机到可控硅安全。所以,当可控硅烧坏时对保护系统的检查是必不可少的。8.2.11.7可控硅冷却系统故障一一可控硅在工作时发热量很大,需要对其冷却才能保证正常工作,一般可控硅的冷却有两种方式:一种是水冷,另一种是风冷。水冷的应用较为广泛,风冷一般只用于100KW以下的电源设备。通常采用水冷方式的中频设备均设有水压保护电路,单基本上都是总进水的保护,若某一路出现水堵,是无法保护的。8.2.11.8电抗器故障一一电抗器内部打火会造成逆变侧的电流断续,也会在逆变输入侧产生高压烧坏可控硅。另外,如果在维修中更换了电抗器,而电抗器的电感量、铁芯面积小于要求值,会使电抗器在大电流工作时,因磁饱和失去限流作用烧坏可控硅。图(6):逆变可控硅两端电压波形8.2.12故障现象启动设备封,当打开中频启动开关,主电路开关保护跳闸或过电流保护。故障分析及处理:8.2.12.1功率调节旋钮在最高位置一一除淬火负载,其它负载要求设备在启动封将功率调节旋钮放在最小位置,如果不再最小位置,就会因电流冲击太大而过电流保护或主电路开关保护跳闸。8.2.12.2电流调节器故障一一当电流调节器电路故障,尤其是电流互感器损坏或接线开路时,启动无电流反馈抑制,直流电压就会直接冲击到最大(角=0度),直流电流会直接冲击到最大值,造成过电流保护或主电路开关跳闸。处理方法;检查电流互感器是否损坏;电流互感器至电路板的接线是否有断线情况;电流调节器部分是否有元器件损坏、开路现象。8.2.13故障现象中频变压器烧坏,更换后启动设备依旧烧坏中频变压器。故障分析及处理:这种故障常见于在采用升压负载的设备上,主要是因为泄放电感开路引起的。在升压负载中,串连电容器组和并联电容器组两端的电压不可能绝对一致,在两组补偿电容器放电时,由于端电压不一致,其放电封间的长短也不一样,则电压高的放电时间慢,而这组电容器还没有完全放电完成时又开始充电过程在此电容器组上就会积累直流电荷,这些直流电荷要通过泄放电感进行释放,如果泄放电感开路,电容器上积累的直流电荷就会通过中频变压器释放,由于中频变压器的容量很小,承受不了这么大的电流流过,引起中频变压器烧坏。8.2.14故障现象在升压负载中泄放电感发热甚至烧坏。故障分析及处理:引起泄放电感发热的原因有以下三点:8.2.14.1在上例故障分析中,如果串并联组电容器的容量差别很大,会造成直流电荷释放的电流增大,若泄放电感的容量较小就会引起发热。8.2.14.2逆变脉冲不对称一一逆变器对逆变脉冲的要求是两组脉冲互差180,如果逆变脉冲互差不是180,则逆变输出电压的正负半周的时间也不一致,导致补偿电容器在一个周期两次充电的时间不一致,那么时间长的半周给电容器充的电还未放完时,时间短的半周以开始给电容器充电,在电容器上就积累了一定电荷。逆变电压正负半周的时间差别越大,直流电荷就越高,流过泄放电感的电流就越大,当电流达到一定程度时,泄放电感就会引起发热现象甚至烧毁。所以,当泄放电感发热时,一定要仔细检查逆变脉冲的对称度,如果不对称就应分析原因,检查逆变脉冲形成电路,解决逆变脉冲不对称现象。在逆变脉冲形成电路中,两路脉冲形成电路是对称的。如果出现逆变脉冲不对称,一般可能是由于电容器容量、电阻阻值变化引起,也能是集成电路内部参数变化引起。8.2.14.3逆变可控硅有一只烧坏一一当一只逆变可控硅烧坏后,设备常常可以启动,这时如果不注意观察设备的运行状态,让设备带病工作,中频输出电压波形是畸变的波形。通过上面的分析,我们可以看出,泄放电感流过的电流很大,引起泄放电感发热或烧坏。8.3、维修技巧 在设备维修时我们经常可以发现在维修时花费了大量的经历和时间,往往最后的原因很简单。如;连线虚接、螺丝未紧固、断水、某器件烧坏等原因。为了缩短维修时间,就需要我们在维修时不断的总结经验,勤于观察,同时也要掌握一些维修技巧。和医生给病人看病一样,在中频电源维修时需要望、闻、问、切后判断故障位置。 望:所谓望就是观察设备在运行时其仪表的参数、设备内有无发热、发红、锣丝松动等外观现象,这里我们主要介绍有关仪表参数和设备运行状态的关系。在中频电源运行时中频电压、直流电压、直流电流三个仪表之间有
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