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杭州中科微电子有限公司CR0508带关断的低温漂CMOS带隙基准电压源一概述采用CMOS技术设计的带隙式电压基准源，输出电压为：VREF=1.29371V。其设计思想是利用PTAT电流产生的正温度系数电压与晶体管的射基级负温度系数电压相加，来产生理论上温度系数可为零的高精度高稳定性基准电压。另外还设计了一种快速启动电路使得芯片能够很快进入工作状态。二特性在Vdd5V，T27时，输出电压 Vref=1.29371V静态电流 Iq=21.3uA输出电压漂移 18.8ppm温度漂移 25.8ppm 电源抑制比 PSRR-76dB三应用适用于需要高精度高稳定性的参考电压应用场合下，范围非常广。四引脚说明名称说明I/O方向功能备注Vdd电源输入电源2.0-5.5VGnd参考地输入参考地SHUTDOWN关断输入高电平有效，进入低功耗状态，低电平电路正常工作VREF基准输出输出输出基准参考电压五电气参数没特殊指明，电源电压为5V在正常工作模式下：符号参数条件标准限制单位Vdd电源电压52.0V(最小)5.5V(最大)Vref输出电压1.293711.29392VIq静态电流20.320.9uAVref/Vdd电压漂移4V到5V测试25.827.5ppmVref/T温度漂移-30到125测试18.828.8ppmPSRR电源抑制比VRIPPLE=0.707Vrms-76dBIsd关断电流SHUTDOWN为高电平48662.3pA六系统架构图七典型工作特性(1) 输出基准电压Vs电源电压（图1）(2) 输出基准电压Vs温度（图2） 图1 图2 (3) 电源抑制比PSRR (图3) 图 3(4) 电源启动瞬态特性（图4）(5) SHU
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