2017-2018(1)汽车电工电子期末复习卷.doc

汽车电工电子期末复习试卷一、填空题（20分，每空1分）1、物质按导电能力强弱可分为_、_和_。2、电路中_因所选的参考点不同而变化，但电路两点间的_是不变的。3、三相四线制的线电压是相电压的_倍，相位超前相应的相电压_。4、本征半导体掺入微量的三价元素形成的是_型半导体，其多子为_。5、当PN结两侧加反向偏置电压时，外电场与PN结内电场方向_，PN结呈_状态。6、晶体三极管有两个PN结，分别是_和_。7、晶体管的三种工作状态是_、_和_。8、稳压管工作在特性曲线的_区。9、共射极单管放大电路中的基极电源和基极电阻是为了使晶体管发射结处于_偏置。10、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为_信号；在时间上和数值上离散的信号叫做_信号。11、电容元件具有隔_，通_的特性。12、XL简称_，表示_对所通过的交流电所呈现的阻碍作用。13、正弦量的三要素中，表示正弦交流电幅度的量是_；表示正弦交流电随时间变化快慢程度的量是_。14、半导体与导体导电的主要区别是当半导体两端加上外电压时，将出现_和_两部分电流。15、本征半导体掺入微量的五价元素形成的是_型半导体，其多子为_。16、当PN结两侧加_电压时，外电场与PN结内电场方向相反，PN结中电流较大，呈_状态。17、一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于_状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于_状态；18、硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为_V和_V。19、在共射极单管放大电路中，集电极电源是为了保证晶体管集电结处于_偏置，以使晶体管起到_作用。20、在正逻辑的约定下，“1”表示_电平，“0”表示_电平。二、选择题（20分，每题2分）1、有“220V、100W”“220V、25W”的白炽灯两盏，串联后接入220V交流电源，其亮度情况是（ ）。A、两只灯泡一样亮 B、100W的较亮 C、25W的较亮2、三相对称负载星形连接于线电压为380V的三相电源上，无中性线连接，若第一相负载断路，则第二相负载和第三相负载分别为（ ）。A、380V和220V B、380V和380V C、220V和220V D、190V和190V3、有一交流信号源电压U110V，通过变压比K5的变压器接负载RL10，当负载达到最大功率时，该信号源内阻为（ ）。A、50 B、250 C、50004、某电流互感器的电流比I1/I245，二次电流表量程为10A，若电流表读数为5.6A时，一次电流是（ ）。A、252A B、450A C、560A5、工作在放大状态的晶体管IE2.02mA，IC2mA，该晶体管电流放大倍数为（ ）。A、404 B、101 C、100 D、506、PN结两端加反向电压时，其反向电流是（ ）而成。A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。7、在单相桥式整流电路中接入电容滤波器后，输出电压（ ）。A、升高 B、降低 C、不变 D、无法判断8、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ ）。A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。9、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE1.3V，VB2V，VC8V，说明此三极管处在（ ）。A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、反向击穿状态10、数字电路中机器识别和常用的数制是（ ）。A、二进制 B、八进制 C、十进制 D、十六进制11、右图所示电路中有（ ）。A4个节点、5个网孔B6个节点、3个网孔C6个节点、7个网孔D4个节点、3个网孔12、纯电感电路中，电压有效值不变，频率增大时，电路中电流将（ ）。A、增大 B、减小 C、不变13、设交流信号源电压U110V，内阻R0900，负载RL9，当负载通过变压器进行阻抗匹配时，变压器变比应是（ ）。A、10 B、100 C、1000014、交流异步电动机旋转磁场的转速与（ ）。A、电压电源成正比 B、频率和磁极对数成正比C、频率成正比，与磁极对数成反比15、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于0，说明该二极管（ ）。A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。16、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ ）而成。A、多子扩散 B、少子扩散 C、少子漂移 D、多子漂移17、桥式整流电容滤波电路的变压器副边电压为110V，则电路的输出电压为（ ）。A、220V B、110V C、22V D、99V18、处于放大状态时，加在硅材料晶体三极管的发射结正向压降为（ ）。A、0.10.3V B、0.60.8V C、0.91.2V19、测得某NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE2V，VB2.7V，VC2.5V，说明此三极管处在（ ）。A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、反向击穿状态20、测得工作在放大状态的某晶体管的IE5mA，IB0.2mA，该晶体管电流放大倍数为（ ）。A、25 B、24 C、10 D、1三、判断题1、电路中电压的高低是绝对的，与参考点选择无关；而电位的高低则是相对的，与参考点的选择有关。 （ ）2、中线的作用就是使不对称Y接负载的端电压保持对称。 （ ）3、交流异步电动机的转速总是略小于旋转磁场的转速。 （ ）4、所有的二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （ ）5、硅二极管两端加上正向电压U0.2V时，该二极管处于正向导通状态。 （ ）6、二极管的最高反向工作电压等于二极管的反向击穿电压。 （ ）7、三相桥式整流电路中的负载电压UL0.9U2。 （ ）8、二极管的钳位作用是指当二极管正向导通时，强制使其阳极电位和阴极电位基本相当的作用。 （ ）9、晶体三极管放大的实质是用较小电流控制较大电流。 （ ）10、基本放大电路中输入信号的能量较小，输出信号的能量较大，所以放大电路可以将输入能量放大。 （ ）11、在正弦交流电路中，最大值是有效值的倍。 （ ）12、变压器电压变换时，电压和匝数成正比。 （ ）13、当二极管所加的正向电压超过死区电压时，PN结内电场就被加强，电流急剧增加从而处于导通状态。 （ ）14、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （ ）15、稳压电路中的稳压二极管工作在反向击穿状态。 （ ）16、利用单相半波整流电路就能把交流电变成稳定的直流电。 （ ）17、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （ ）18、晶体三极管可以将小电流放大成大电流。 （ ）19、若三极管发射级处于反向偏置，则三极管在截止状态。 （ ）20、与逻辑关系是“有0出0，见1出1”。 （ ）四、简答题（10分，每题5分）1、请简述PN结的形成过程。2、放大电路中为什么要设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？3、简述晶体三极管的三种工作状态。4、图示桥式整流电路中的二极管D2或D4接反的后果如何？如果D2或D4因击穿或短路，后果又如何？五、作图题（10分）一、作三相交流电的相量图（比例自定）：1u 1 = Um sint V u 2 = Um sin（t120) V u 3 = Um sin（t240) V2u 12= u 1 u 2 u 23= u 2 u 3 u 31= u 3 u 1结论：u 12= u 1 u 2 =u 23= u 2 u 3 =u 31= u 3 u 1=二、作给定正弦交流电的波形图（选做一题，画一个周期）：1u = 4 sin(t30) V 2i = 5 sin(t60) A 3e= 4 sintV 选 t0306090120150t180210240270300330360六、计算题（30分，每题10分）1、试求下列几种情况下输出电位V0及各元件（R，VDA，VDB）中所通过的电流：（1）VAVB0V，（2）VA+3V，VB0V，（3）VAVB+3V。其中R4k，二极管的正向压降忽略不计。2、有一电压为110V，电阻为55的直流负载，采用单相桥式整流电路供电，试求变压器副边电压、通过每个二极管的平均电流及承受的最大反向电压。3、晶体管放大电路如图所示，已知UCC12V，RC3k，RB240k，晶体管的40，试求放大电路的静态值IB、IC、UCC。4、试求下列几种情况下输出电位V0及各元件（R，VDA，VDB）中通过的电流：（1）VA10V，VB0V，