模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路.doc

第二章 基本放大电路2.1 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.2在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 2.3 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.4在电路中我们可以利用 实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。 A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路2.5 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.6 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是 A. 饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真2.7以下电路中，可用作电压跟随器的是 A差分放大电路 B共基电路C共射电路 D共集电路2.8 晶体三极管的关系式iE=f(uEB)|uCB代表三极管的 A.共射极输入特性 B.共射极输出特性 C.共基极输入特性 D.共基极输出特性 2.9 对于图2.9所示的复合管，穿透电流为 （设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）A. ICEO= ICEO2 ICEO B. ICEO=ICEO1+ICEO2 C. ICEO=（1+b2）ICEO1+ICEO2 D. ICEO=ICEO1 图2.9 2.10 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是 B. 饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真2.11对于基本共射放大电路， Rb减小时，输入电阻Ri将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 2.12在基本共射放大电路中，信号源内阻RS减小时，输入电阻Ri将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 2.13 在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.14 在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.15 某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3KW的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 。2.16 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 、集电结 。2.17 对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大，b.减小，c.不变)，选择正确的答案填入空格。1、Rb减小时，输入电阻Ri 。2、Rb增大时，输出电阻Ro 。3、信号源内阻Rs增大时，输入电阻Ri 。4、信号源内阻Rs减小时，电压放大倍数 。5、负载电阻RL增大时，电压放大倍数 。6、负载电阻RL减小时，输出电阻Ro 。2.18 选择正确的答案填空。1、复合管的额定功耗是 。(a.各晶体管额定功耗之和；b.前面管子的额定功耗；c.后面管子的额定功耗；d.各晶体管额定功耗的平均值)2、复合管的反向击穿电压等于 。(a.各晶体管反向击穿电压之和；b.前面管子的反向击穿电压；c.后面管子的反向击穿电压；d.各晶体管反向击穿电压值中的较小者)3、复合管的集电极最大允许电流等于 。(a.各晶体管集电极最大允许电流之和；b.前面管子的集电极最大允许电流；c.后面管子的集电极最大允许电流；d.各晶体管集电极最大允许电流值中的较小者)4、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小。这说明A的 。a.输入电阻大 b.输入电阻小c.输出电阻大 d.输出电阻小2.19 在实验桌上放有下列仪器：A、WQ-2-A型直流稳压电源：输出电压在030V范围内可调；B、FG-163型函数发生器：可产生正弦波、三角波、方波等信号，频率范围为0.0001Hz20MHz，输出电阻约为50；C、DA-16型晶体管毫伏表：频率范围为20Hz1MHz，输入电阻在频率为1kHz时大于1MQ，输入电容为5070pF；D、DT-830型数字万用表：交、直流挡的输入电阻均为10M，交流电压挡的频率范围45500Hz，输入电容为100pF；E、CS-1830型示波器：频率范围为030MHz，输入电阻为1M，输入电容为23pF。问测量放大电路的下列性能指标需用哪些仪器设备？（只需写出上述仪器设备的标号，如A、B等）1、静态工作点： 2、电压放大倍数： 3、输入电阻： 4、输出电阻： 5、上限截止频率（预计约1MHz）： 2.20 为了测量交流放大电路的电压放大倍数，需要在放大电路的输入端加进10mV的正弦信号。问下列几种获取信号的方法是否正确？为什么？1、调整信号发生器的电压幅度，利用信号发生器上的表头指示和衰减倍数产生10mV的正弦电压，然后将它加到放大电路的输入端。2、调整信号发生器的电压幅度，利用晶体管毫伏表测量其输出端电压，从而得到10mV信号。然后将它接到放大电路的输入端。3、先将尚无输出电压的信号发生器连接到放大电路的输入端，然后由小到大地调节信号源的电压幅度，用晶体管毫伏表测量其大小，使之达到10mV。2.21 某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件下对同一个电路测了四级数据。试找出其中错误的一组。a.Ic=0.5mA，Ui=10mV，Uo=0.37Vb.Ic=1.0mA，Ui=10mV，Uo=0.62Vc.Ic=1.5mA，Ui=10mV，Uo=0.96Vd.Ic=2mA，Ui=10mV，Uo=0.45V2.22 判断下列说法是否正确，对的画，错的画。1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（ ）2、在基本共射放大电路中，若晶体管的增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。 （ ）3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1，故不能用来实现功率放大。（ ）4、只有当两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管）时才能组成复合管。 （ ）5、复合管的类型（NPN或PNP）与组成它的最前面的管子类型相同。（ ）6、只要把两个晶体管的复合管，一定可以提高管子的输入电阻。 （ ）7、复合管的值近似等于组成它的各晶体管值的乘积。 （ ）8、复合管的空透电流等于组成它的各晶体管的空透电流之和。 （ ）9、两个同类晶体管（例如都是NPN管）复合，由于两管的UBE叠加，受温度的影响增大，所以它产生的漂移电压比单管大。 （ ）10、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以两个场效应管不能组成复合管。（ ）11、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以场效应管与双极型晶体管也不能级成复合管。 （ ）2.23 用两个晶体管分别组成下面的两种复合管：1、输入电阻与单管相同的NPN型复合管；2、输入电阻明显增大的PNP型复合管。3、用一个NPN和一PNP型晶体管，分别组成一个NPN和一个PNP型的复合管；4、用两个NPN型晶体管组成一个NPN型的复合管。2.24 通常功率管的电流放大系数较小，而小功率管的较大，现需要一个较大而基-射极电压UBE温漂较小的NPN型大功率管，拟采用复合管的结构来实现。试画出该复合管的接线图。2.25 设图2.25所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的b=50，rbb=200W,UBEQ=0.6V,求： 1） 静态工作点ICQ、UCEQ 各为多少？2） 输入电阻Ri ,输出电阻Ro各为多少？3） 电压放大倍数Au为多少？ 图2.252.26 在图2.26的电路中，T1、T2特性相同，且b很大，求IC2和UCE2 的值。设UBE=0.6V。 图2.262.27 判断如图2.27a、b所示电路是否可能对正弦信号实现放大，不能放大的说明原因。 图2.27a 图2.27b228设图2.28所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的=50,rbb=200,UBEQ=0.6,求: .求静态工作点ICQ=? .该电路的输入电阻Ri输出电阻Ro各为多少? .该电路的电压放大倍数Au为多少? 图2.282.29在右图2.29所示电路中，设Vcc=12V，Rc=5.1K，R1=R2=150K，Rs=300，RL=，晶