实验四存储器部件教学实验.doc

实验四 存储器部件教学实验一主存储器部件教学机配置了6个存储器芯片插座，其中4个28芯插座可插只读存储器，2个24芯插座可插静态随机存储器。ROMH，ROML用来存放监控程序，RAMH，RAML用来存放用户程序和数据以及监控程序临时数据和堆栈。ExtROMH，ExtROML用来对存储器容量进行扩展。可以扩展的存储器的片选信号未连好，在扩展存储器时，要为其提供片选信号。16位机内存地址空间的分配说明：0000H-1FFFH：监控程序2600H-27FFH：监控程序临时数据和堆栈2000-25FFH：用户区，可存放用户的程序和数据4000H-FFFFH：用户扩展区，可存放用户的程序和数据。二存储器部件教学实验实验目的通过看懂教学计算机中已经使用的几个存储器芯片的逻辑连接关系和用于完成存储器容量扩展的几个存储器芯片的布线安排，在教学计算机上设计、实现并调试出存储器容量扩展的实验内容。其最终要达到的目的是：1 深入理解计算机内存储器的功能、组成知识；2深入地学懂静态存储器芯片的读写原理和用他们组成教学计算机存储器系统的方法（即字、位扩展技术），控制其运行的方式；思考并对比静态和动态存储器芯片在特性和使用场合等方面的同异之处。实验说明教学计算机存储器系统由ROM和RAM两个存储区组成，分别用EPROM芯片（或EEPROM芯片）和RAM芯片构成。TEC-2000A教学计算机中还安排了另外几个存储器器件插座，可以插上相应存储器芯片以完成存储器容量扩展的教学实验，为此必须比较清楚地了解：1 TEC-2000A教学机的存储器系统的总体组成及其连接关系；2 TEC-2000A教学机的有关存储器芯片、I/O接口芯片的片选信号控制和读写命令的给出和具体使用办法；3 RAM和EPROM、EEPROM存储器芯片在读写控制、写入时间等方面的同异之处，并正确建立连线关系和在程序中完成正确读写过程；4 如何在TEC-2000教学机中使用扩展的存储器空间并检查其运行的正确性。实验内容1 要完成存储器容量扩展的教学实验，需为扩展存储器选择一个地址，即将扩展存储器的片选信号与标有MEM /CS的一排插孔中的一个相连；2 用监控程序的D、E命令对存储器进行读写，比较RAM（6116）、EEPROM（28系列芯片）EPROM（27系列芯片）在读写上的异同；3 用监控程序的A命令编写一段程序，对RAM（6116）进行读写，用D命令查看结果是否正确；4 用监控程序的A命令编写一段程序，对扩展存储器EEPROM（28系列芯片）进行读写，用D命令查看结果是否正确；如不正确，分析原因，改写程序，重新运行；实验要求1 实验之前，应认真预先准备，写出实验步骤和具体设计内容，否则实验效率会特别低，一次实验时间根本无法完成实验任务，即使基本做对了，也很难说学懂了些什么重要教学内容；2 实验过程中，应认真进行实验操作，既不要因为粗心造成短路等事故而损坏设备，又要仔细思考实验有关内容，提高学习的主动性和创造性，把自己想不太明白的问题通过实验理解清楚，争取最好的实验效果，力求达到教学实验的主要目的；3 实验之后，应认真思考总结，写出实验报告，包括实验步骤和具体实验结果，遇到的主要问题和分析与解决问题的思路。实验报告中，还应写出自己的学习心得和切身体会，也可以对教学实验提出新的建议等。实验报告要交给教师评阅并给出实验成绩。实验步骤1 RAM（6116）支持即时读写1 用E命令修改内存单元的值2 用D命令察看3 断电后重启教学实验机，用D命令察看刚才内存单元的值4 结论5 用A命令输入一段程序，执行并观察结果6 断电后重启教学实验机，察看刚才输入的程序及结果，得出结论。2 扩展EPROM实验EPROM是紫外线可擦除的电可改写的只读存储器芯片，在对EPROM进行重写前必须先擦除并判空，再通过编程器进行编程。1 将芯片0000001F的内存单元的值置成01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0B 0C 0D 0E 0F 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F2 将编程好的该芯片插在扩展芯片的高位，低位不插，插好插针。3用D命令看内存单元0000001F的值。可以看到内存单元的值为：01FF 02FF 03FF 04FF.1FFF。4 用E命令向芯片的内存单元置值，再用D命令察看，会发现原来的值没有改变；用A命令向芯片所在的地址键入程序，用U命令反汇编，会发现地址仍然保持原来的值。该实验说明EPROM不能直接修改和编程，必须先擦除，再通过编程器编程。5 将教学机断电后重启，用D命令看内存单元0000001F的内容，会发现数值没变，EPROM的内容在断电后会保持。3 扩展EEPROM实验。AT28C64B的读操作和一般的RAM一样，而其写操作，需要一定的时间，大约为1毫秒。因此，需要编写一延迟子程序，在对EEPROM进行写操作时，调用该子程序，以完成正确的读写。（内存范围4000-5fffh，用户在这个范围内输入程序或改变内存单元的值）1 用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。2 断电后重新启动，用D命令察看内存单元的值，结论。3 AT28C64B存储器不能直接用A命令输入程序（建议试一试），可将编写好的程序用编程器写入片内；也可将程序放到RAM（6116）中，调用延时子程序，访问AT28C64B中的内存地址。编写一段程序，在内存单元5000-500fh单元中写入数据，在对