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Chapter One 第一章 Semiconductor fundamental 半导体基础1.1 Semiconductor Materials 半导体材料1 Solid stare 固态 2 insulator 绝缘体 3 electrical conductivity 电导率4 conductor 导体 5 semicoductor 半导体 6 Fused quartz熔融石英7 order 有序 8 impurity 杂质 9 element semiconductor 元素半导体10 illumination 阐明 11 silicon 硅 12 Periodic table周期表13 germanium 锗 14 gallium 嫁 15two-terminal 两端16 Arsenic 砷 17 silica 石英 18bipolar transistor 双极晶体管19 rectifier 整流器 20 optical 光 21photodiodes 光电二极管22silicates 硅酸盐 23dimension 维度 24 Gallium arsenide 砷化镓25 microwave 微波 26compound semicondutor 化合物半导体1.2 Crystal Structure 晶体结构1 Crystal 晶体 2 amorphous 非晶的 3 formlessness 无定形的4 solar cell 太阳能电池 5 polycrystalline 多晶的 6 silicon dioxide 二氧化硅7 gate 门 栅 8 lattice 晶格 9 single crystal 单晶10 Fashion 方式 11 vibration 振动 12 unit cell 原胞13 cubic-crystal 立方晶体 14 fcc 面心立方 15 lattice constant 晶格常数16 Polonium 钋 17 bcc 体心立方 18 Miller indices 密勒指数19 sodium 钠 20 tungsten 钨 21 gallium phosphide 磷化镓22 Aluminum 铝 23 copper 铜 24 diamondlattice 金刚石点阵25 platinum 铂 26 Sublattice 子格 27 interpenetrate 互相贯通28 diagonal 对角式 29 terahedron 四面体 30 zincblende lattice 闪锌矿晶格31 zincsulfide 硫化锌 32 anisotropic 各向异性 33 crystal orientation 晶向34 interceot 截距 35 reciprocal 倒数 36 perpendicular垂直37 integer 完整 38 Cartesian coordinate 笛卡尔坐标系1.3 Bohrs Atom Model 波尔原子模型1 nucleus 原子核 2 discrete 分立 3 engery level 能级4 electronvolt 电子伏 5 wavelength 波长 6 binding engery 结合能7 shell 壳 8 force 力 9 angular momentum 角动量10 photon 光子 11 joule 焦耳 12 excited state 激发态13 potential 电势 14 MKS system米千克秒制 15 kinetic energy 动能16 ground state 基态 17 valence electron 价电子 18 principal quantum number 主量子数1.4 Valence Bonds Model of Solid 固体材料价键模型1 current 电流 2 resistivity 电阻率 3 electric field 电场4 covalent bond 共价键 5 nuclei 核 6 metallic conductor 金属导体7 electrostatic 静电的 8 deficiency 缺陷 9 ionic bond 离子键10 hole 空穴 11 vacancy 空位1.5 Energy Bonds Model of Solid 固体材料的能带模型1 gaseous 气态 2 mass 质量 3 plank constant 普朗克常量4 permittivity 介电常数 5 bandgap频带间隙 6 energy band 能带7 valence band 价带 8 conduction band 导带 9 band diagram 能带图10 at rest 静态 11 discrete energy level 不连续能级 离散能级12 quantum mechanics 量子力学 13 doubly degenerate energy lever1.6 Free-Carrier Density in Semicondutor 半导体中的自由载流子的密度1 standing-wave 驻波 2 wavelength 波长 3 momentum 动量4 sphere 球面 5 volume 体积 6 electron spin 电子自旋7 agitation 振荡 8 intrinsic 本征的 9 allowed state 允态10 product 乘积 11 integrate 集成 12 Fermi level 费米能级13 function 函数 14 concentration 浓度 15 forbidden-gap 禁带16 unity 单元 17 exponential 指数函数 18 infinity 无穷大 19 excitation 激发 20 recombination 复合 21 deviation 误差 22 extrinsic 非本征的 23 term 项 24 mass-action law 质量守恒定律1.7 Donors and Acceptors1 donor 施主 2 accepter 受主 3 dope 掺杂4 negative 负的 5 positive 正的 6 boron 硼7 ionization 电离 第二章mobility mubiliti迁移率 drift drift 漂移 diffusion difju:n 扩散gradient greidint 梯度 generation ,denrein Injection indekn 注入 None-equilibrium 非平衡Excess carrier 过剩载流子 Recombination 符合Lifetime 寿命 Thermal equilibrium 热平衡particle p:tikl 粒子 质点 motion 运动Equipartition 均分 Degree of freedom 自由度Three-dimensional ri:dimennl 三维的kinetic energy 动能 collision klin 碰撞deflect diflekt 偏转 挠曲 phonon funn 声子mechanism meknizm 机制，机理，操作机构 coulomb force 库仑力displacement 位移，迁移 mean free path 平均自由行程component kmpunnt 子件，组件 vacuum vkjum 真空，负压proportionality pru,p:nliti 比例性 factor因素、因数subscript sbskript 下标 valley 谷 最小值cross-sectional area 截面积 conductivity ,kndktiviti 电导率linearity linirti 线性度 convection knvekn 对流stationary steinri 固定的 molecule mlikju:l 分子spatial speil 空间的 half-width 半角Ficks first law： 菲克（扩散）第一定理；菲克第一定律carrier injection 载子注入 forward bias 正向偏压；前向偏移optical excitation 光激励 electron hole pair 电子空穴对majority carrier 多数载流子 injection level 注入水平order of magnitude 数量级 low level injection 低水平注入low level injection 高水平注入dissipate 使消散,驱散；驱散；浪费；耗散 radiative reidieitiv 辐射的band to band带间 direct-bandgap 直接带隙transient trnnt 瞬态 response 响应decay 衰减 photoconductivity futu,kndktiviti 光电导性 setup 装置 pulse 脉冲 propagation 传播 传导 generation 产生 世代 carrier scattering 载流子散射Chapter Three3.1Device 器件 diode 二极管 wafer 晶片Alloying 合金 epitaxy 外延 implantation 注入Substrate 沉底 vacuum chamber 真空室 furnace 熔炉Eutectic 共晶体 dopant 掺杂剂 VPE气象外延LPE 液相外延 MBE 分子束外延 slice 切片Solubility 溶解度 range 范围 incident ion 入射离子Anneal 退火 oven 恒温炉 metallurgical 冶金Clectrostatic 静电的 dashed line 虚线 homojunction 同质结Huterojunction 异质结 3.2Electron affinity 电子亲和势 work function 功函数 reference 基准点Built-in 内建 depletion region 耗尽区 polarity 极性Quasi-neutral 准中性 reverse bias 反偏 tunneling current 漏电流3.3Numenclature 命名，命名法 sterdy-state 稳态 counterintuitive 违反直觉地 Avalanche 雪崩 interband 带间 extrapolate 外推Quality factot 品质因子 zener tunneling 齐纳隧道 multiplication factor 倍增因子 Impedance 阻抗 differential 差分 dimension 量纲 维数Trap 陷阱 rectangle 长方的 ，矩形Chapter FourBJT-双极结式晶体管 Collector-集电极 Saturation mode-饱和状态Cut off mode-截止状态 Minority carrier-少数载流子Qualitatively-质量上 Diode-二极管 Injection efficiency-注入系数Tunneling-隧道（穿） Ionized acceptor-离子化受主Approximation-近似 Barrier-势垒 Simulation-仿真Lateral-横向 Sheet resistance-表面电阻 MOS-金属氧化半导体Gate-栅极 Buried layer-势垒层 Forward biased-正向偏压 Nondegenerate-非简并 Injection-注入 Milliampere-毫安培Lifetime-寿命 Terminal-终端 Capacitance-电容Width-宽度 Substitute-代替 Uniform doping-均匀掺杂Horizontal axis-水平轴 Intrinsic-本征的 Slope-斜面，坡度，跨导Terminal-电极 Transistor-晶体管 Active mode-有源状态Reverse biased-反向偏压 Assumption-假想，假设 Recombination-复合Leakage current-漏电电流 Diffusion length-扩散长度 Quantitatively-数量上Breakdown-击穿 Flux-通量 Simplify-简化Doping profile-掺杂分布 Normalization-正规化，标准化Extrinsic-非本征的 Avalanche-电子雪崩Emitter-发射极 Junction-结Common base configuration-共基极组态Common emitter configuration-共射极组态Degenerate-简并的 Extract-提取 Base contact-基极接点Micrometer-千分尺 Principle-原理 Steady-state-平衡状态Concentration-集中，浓度 Denominator-分母 Semilog-半对数的Extrapolation-外推法 Lumped resistance-集中电阻Interdigitated structure-交互式结构 Base-基极 Well-井Boundary condition-边界条件 Generation-产生，代 Order of magnitude-数量级Current gain-电流增益 Collection efficiency-收集效率Neutrality-中性 Hyperbolic function-双曲函数 Multiplication-乘Gradient-坡度，斜率 Depletion layer-耗尽层 Polarity-极性，偏极Chapt 5frequency 频率 analog模拟 digital数字 transient瞬态的/过渡的 uppercase大写字母 lowercase小写字母 load resistance负载电容 supply voltage供给电压 load line 负载电路 equivalent circuit 等效电路differential 微分 measure 测量 reciprocal交互的/倒数Transconductance跨导 series resistance串联电阻 Infinite无穷的shaded area 阴影区 operating speed工作速度 Response反应figure of merit品质因数 Delay延时 Parasitic寄生的Oscillation振动 self-aligned自动对准 ion implantation离子注入heat treatment热处理 Polysilicon多晶硅 Discontinuity中断Switch开关 Pulse脉冲 Waveform波形charging time充电时间 Parallel并联 State状