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Multisim电路仿真报告 翟斯颖 5130309602 一、 题目电流负反馈偏置的共发射极放大电路如图1所示，设晶体管=100，rbb=100。（1）计算电路的电压增益Aus=vo/vs,输入电阻Ri及输出电阻Ro；（2）研究耦合电容、旁路电容对低频截止频率fL的影响：令C2，CE足够大，计算由C1引起的低频截止频率fL1；令C1，CE足够大，计算由C2引起的低频截止频率fL2；令C1，C2足够大，计算由CE引起的低频截止频率fL3；同时考虑C1，C2，CE时的低频截止频率fL；（3）采用图1所示的电路结构，使用上述给定的晶体管参数，设RL=3k，RS=100,设计其它电路元件参数，满足下列要求：Aus40，fL80Hz。图1 电流负反馈偏置共发射极放大电路二、 计算（1） 计算电路的电压增益Aus=vo/vs,输入电阻Ri及输出电阻Ro；VB=RB2RB1+RB2VCC=2VIE=VB-UBERE=1.3mArbe=rbb+(1+)UTIE=2.1kRi=RB1/RB2/rbe=1.87kRo=Rc=3.3kAus=-RiRi+RSrbegmRLrbe=-86（2）研究耦合电容、旁路电容对低频截止频率fL的影响：令C2，CE足够大，计算由C1引起的低频截止频率fL1；fL1=12C1(Ri+RS)=21Hz令C1，CE足够大，计算由C2引起的低频截止频率fL2；fL2=12C2(RL+RC)=5.7Hz令C1，C2足够大，计算由CE引起的低频截止频率fL3；fL3=1(2CE(RE/rbe+RS/RB1/RB21+)=138Hz同时考虑C1，C2，CE时的低频截止频率fL；fL1fL3, fL2fL3认为低频截至频率fL=fL3=138Hz。（3）采用图1所示的电路结构，使用上述给定的晶体管参数，设RL=3k，RS=100,设计其它电路元件参数，满足下列要求：Aus40，fL80Hz。由以上计算可知，低频截止频率过高是因为射极耦合电容引起，因此要降低截止频率，要增大耦合电容或rbe。因此经过计算，可将Ce增大为100uF，可取RB1=70k，RB2=10k。为了满足放大倍数的条件，增大Rc至5k，这样计算可得Aus=53，截止频率为54Hz，经过仿真得Aus=47，低频截止频率为56Hz，满足要求。三、 结果图2 仿真电路图图3 波形图vo 空载 负载图4 输出电阻由RO=VOVO-1RL, Ro=5.0k。图5 输入电阻由图知，Ro=2.7k。图6 波特图由波特图知， 20lg|Aus|=33.508 Aus=-47.4；fL=56Hz，均符合要求。四、 结论实验结论：晶体管放大电路的共发射极放大电路的放大倍数和输入输出电阻由组成电路的元件确定
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